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安岡慎之介 2023年 研究業績一覧 (10件 / 48件)
論文
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Reika Ota,
Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Takahisa Shiraishi,
Kazuki Okamoto,
Kuniyuki Kakushima,
Tomoyuki Koganezawa,
Osami Sakata,
Hiroshi Funakubo.
Scalable ferroelectricity of 20-nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films sandwiched between TiN electrodes,
J. Appl. Phys.,
vol. 134,
pp. 214103-1-6,
Dec. 2023.
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Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Reika Ota,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Kazuki Okamoto,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.2Sc0.8)N film with frequency and temperature,
Appl. Phys. Lett.,
vol. 123,
pp. 202902,
Nov. 2023.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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安岡 慎之介,
岡本 一輝,
清水 荘雄,
松井 尚子,
入澤 寿和,
恒川 孝二,
舟窪 浩.
種々の組成の(Al, Sc)N多層膜のスイッチング特性評価,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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茶谷那知,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
山岡和希子,
井上ゆか梨,
舟窪浩.
スパッタリング法によるHfO2-CeO2強誘電体厚膜の非加熱合成,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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前川芳輝,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
様々な基板上におけるY:HfO2エピタキシャル膜の合成と評価,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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安岡慎之介,
大田怜佳,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
NbN電極上に作製したエピタキシャル(Al, Sc)N膜の電気特性評価,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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前川芳輝,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
種々の基板上におけるHfO2基エピタキシャル膜の合成と評価,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
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茶谷那知,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
舟窪浩.
フレキシブルデバイスに向けたHfO2基強誘電体厚膜の室温合成と圧電性の評価,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
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中畑美紀,
岡本一輝,
胡雨弦,
安岡慎之介,
石濱圭佑,
舟窪浩.
正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜における圧電特性の膜厚依存性,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
特許など
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舟窪浩,
白石貴久,
安岡慎之介,
水谷涼一,
大田怜佳,
召田 雅実 ,
楠瀬 好郎,
上岡 義弘 ,
末本 祐也 ,
飯浜 準也 .
窒化アルミニウムスカンジウム膜及び強誘電体素子.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, 東ソー株式会社.
2023/03/30.
PCT/JP2023/013181.
2023/10/05.
WO 2023/190869.
2023.
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舟窪浩,
清水荘雄,
安岡慎之介,
上原 雅人,
山田 浩志 ,
秋山 守人.
強誘電性薄膜、それを用いた電子素子および強誘電性薄膜の製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人産業技術総合研究所.
2020/12/25.
特願2021-567693.
特許第7260863号.
2023/04/11
2023.
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