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安岡慎之介 2020年 研究業績一覧 (8件 / 48件)
論文
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Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Yoshiomi Hiranaga,
Yasuo Cho,
Hiroshi Funakubo.
Effects of deposition conditions on the ferroelectric properties of (Al1-xScx)N thin films,
J. Appl. Phys.,
vol. 128,
pp. 114103-1-11,
Sept. 2020.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
スパッタリング法で室温合成した(Al1-xScx)N膜の強誘電性評価,
第81回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2020.
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安岡 慎之介,
清水 荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪 浩.
二次元スパッタリング法により作製した(Al1-xScx)N 薄膜の強誘電特性,
第37回強誘電体会議(FMA 37),
May 2020.
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上原雅人,
安岡慎之介,
清水荘雄,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
舟窪浩.
(Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
舟窪浩.
二元同時スパッタリング法によるAl1-xScxN薄膜の作製と強誘電性評価,
第58回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2020.
その他の論文・著書など
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安岡慎之介,
清水荘雄,
舟窪浩.
窒化物圧電体膜の微構造評価,
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学,
令和元年度,
A-19-TU-0048,
Sept. 2020.
特許など
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