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藤戸啓輔 研究者情報

姓 藤戸  fujito 
名 啓輔  keisuke 
状態 本学を転出・卒業
学位論文 Si基板上にバッファ層を導入してエピタキシャル成長させたPZT薄膜の残留応力と電気的特性に関する研究,  本文,  博士（工学）,  東京工業大学,  2006/09/30, 
パルスMOCVD法PZT系強誘電体薄膜の微構造と誘電特性に及ぼす原料供給方式の影響,  Master of Engineering,  Tokyo Institute of Technology,  2003/--/--, 

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