論文

• Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Fumio Koyama. Photoluminescence characterization of (Ga)InAs quantum dots with GaInAsSb cover layer grown by MBE, Physica Status Solidi, vol. 3(c), no. 3, pp. 516-519, Feb. 2006.
• Masataka Ohta, Tomoyuki Miyamoto, Tetsuya Matsuura, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, Takahiro Iwasaki, Yoshihiro Kashihara, Fumio Koyama. Low threshold GaInAs quantum well lasers grown under low growth rate by solid-source MBE for 1200 nm wavelength range, Physica Status Solidi, vol. 3(c), no. 3, pp. 419-422, Feb. 2006.
• Masataka Ohta, Tatsuya Furuhata, Takahiro Iwasaki, Tetsuya Matsuura, Yoshihiro Kashihara, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama. Structure-dependent lasing characteristics of tunnel injection GaInAs/AlGaAs single-quantum well lasers, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 45, no. 6, pp. 162-164, Jan. 2006.
• MASATAKA OHTA, Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Sb surfactant effect on highly strained GaInAs/GaAs quantum well grown by molecular beam epitaxy, J. Crystal Growth, vol. 278, no. 1-4, pp. 521-525, May 2005.
• MASATAKA OHTA, Tomoyuki Miyamoto, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Optical quality dependence on growth rate for solid-source MBE grown highly-strained GaInAsSb/GaAs QWs, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 12B, pp. L1569-L1571, Nov. 2004.
• Takeo Kageyama, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Sb surfactant effect on GaInAs/GaAs highly strained quantum well lasers emitting at 1200 nm-range grown by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., vol. 96, no. 1, pp. 44-48, July 2004.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, MASATAKA OHTA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Surfactant effect of Sb on GaInAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 5A, pp. L605-L607, May 2004.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, Shigeki Makino, MASATAKA OHTA, Yasutaka Matsui, FUMIO KOYAMA. P-type doping characteristics of GaInNAs:Be grown by solid source molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 4A, pp. L433-L435, Apr. 2004.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, MASATAKA OHTA, Yasutaka Matsui, FUMIO KOYAMA. Elongation of emission wavelength of GaInAsSb-covered (Ga)InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 1AB, pp. L82-L84, Jan. 2004.
• Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Tetsuya Matsuura, Yasuhisa Matsui, Fumio Koyama. Thermal annealing effect on self-assembled GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy, Physica Status Solidi, vol. 0(c), no. 4, pp. 1097-1100, Aug. 2003.

国際会議発表 (査読有り)

• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, FUMIO KOYAMA. Photoluminescence Characterization of (Ga)InAs Quantum Dots with GaInAsSb Cover Layer Grown by MBE, 32th International Symposium on Compound Semiconductors, Sept. 2005.
• MASATAKA OHTA, Tatsuya Furuhata, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA. MBE Growth of High Quality Highly Strained GaInAs/GaAs QWs for 1200nm Lasers, 32th International Symposium on Compound Semiconductors, Sept. 2005.
• MASATAKA OHTA, Tomoyuki Miyamoto, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, Takahiro Iwasaki, Yoshihiro Kashihara, FUMIO KOYAMA. Structure dependence of lasing characteristics of GaInAs/AlGaAs tunnel injection lasers, International Quantum Electronics Conference 2005 and the Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics 2005, July 2005.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, FUMIO KOYAMA. Topological Characteristics of MBE Grown Sb-Introduced Ga(In)As Covered InAs Quantum Dots on GaAs, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2005.
• MASATAKA OHTA, Tomoyuki Miyamoto, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Lasing characteristics of highly-strained thin GaInAs/GaAs multiple quantum well lasers, OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet, OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet, No. 14E2-4, July 2004.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, FUMIO KOYAMA. Wavelength elongation of MBE grown (GaInAs )QD by GaInAsSb cover layer, The 16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, June 2004.
• TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, MASATAKA OHTA, Yasutaka Matsui, FUMIO KOYAMA. Surfactant effect of Sb for GaInAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy, International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003, Nov. 2003.
• FUMIO KOYAMA, MASATAKA OHTA, Takeo Kageyama, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, Tatsuya Furuhata, Tomoyuki Miyamoto. Sb surfactant effect on highly strained GaInAs/GaAs quantum well grown by molecular beam epitaxy, The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2004, Aug. 2003.
• MASATAKA OHTA, Tomoyuki Miyamoto, Shigeki Makino, TETSUYA MATSUURA, Yasutaka Matsui, FUMIO KOYAMA. Investigation of well thickness reduction effect of GaInNAs/GaAs quantum well lasers, 15th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 204 -208, May 2003.
• Shigeki Makino, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Tetsuya Matsuura, Yasutaka Matsui, Fumio Koyama. Thermal annealing effect on self-assembled GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy, 15th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, IRPM2003, pp. 460-463, May 2003.
• Shigeki Makino, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, TETSUYA MATSUURA, Yasuhisa Matsui, FUMIO KOYAMA. Thermal annealing effect on self-assembled GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy, 2nd Int. Conf. on Semiconductor Quantum Dots, Sept. 2002.
• Shigeki Makino, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, Takeo Kageyama, Yoshihiko Ikenaga, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga. Growth temperature and nitrogen composition dependence of growth characteristics of GaInNAs/GaAs quantum dots, 12th International Conderence on Molecular Beam EpitaxySeptenber 2002., Sept. 2002.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Tomoyuki Miyamoto, Shigeki Makino, Masao Kawaguchi, MASATAKA OHTA, Shugo Minobe, FUMIO KOYAMA. Wavelength elongation of GaInNAs lasers beyond 1.3µm, Physics and Technology of Dilute Nitrides for Optical Communications, Sept. 2002.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 柏原吉浩, 宮本智之, 松浦哲也, 太田征孝, 岩崎鷹博, 小山二三夫. MBE法によるGaAsSb量子井戸の成長条件の検討, 第53回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2006.
• 太田征孝, 宮本智之, 岩崎鷹博, 古旗達也, 松浦哲也, 柏原吉浩, 小山二三夫. トンネル注入構造における透過スペクトルのレーザ特性への影響, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 太田征孝, 宮本智之, 松浦哲也, 岩崎鷹博, 柏原吉浩, 小山二三夫. 異なる井戸幅の同一波長GaInAs量子井戸レーザ特性の比較, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 小山二三夫. (Ga)InAs/GaInAsSb量子ドットの成長条件・構造依存性, 第66回応用物理学会学術講演会, Sept. 2005.
• 松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 小山二三夫. Sb導入によるInAs量子ドット形状への影響(II), 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 松井康尚, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 古旗達也, 小山二三夫. 三種材料による量子カスケードレーザの波長制御性向上, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 古旗達也, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 松井康尚, 小山二三夫. GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル構造依存性, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 太田征孝, 宮本智之, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. MBE法による低成長速度の高歪GaInAs量子井戸のPL特性改善, 第52回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2005.
• 松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. Sb導入によるInAs量子ドット形状への影響, 第65回応用物理学会学術講演会, pp. 1p-P2-1, Sept. 2004.
• 太田征孝, 宮本智之, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. 固体原料MBE法での低成長速度による高歪GaInAsSb量子井戸PL特性の改善, 第65回応用物理学会学術講演会, Sept. 2004.
• 宮本智之, 松浦哲也, 太田征孝, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. GaInAs量子ドットへのSb添加効果, 第34回結晶成長国内会議, pp. 26aE05, Aug. 2004.
• 太田征孝, 宮本智之, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. 薄膜高歪GaInAs/GaAs量子井戸レーザの井戸層多層化の検討, 第51回応用物理学関連連合講演会, pp. 30p-ZT-16, Mar. 2004.
• 松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. 成長中断におけるInAs量子ドットへのSb照射, 第51回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2004.
• 太田征孝, 宮本智之, 影山健生, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也 小山二三夫. GaInAs量子井戸レーザ特性の井戸幅及びIn組成依存性, 第64回応用物理学会学術講演会, Sept. 2003.
• 影山健生, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. MBE成長GaInNAs量子井戸に対するアニール効果の成長条件依存性, 第64回応用物理学会学術講演会, Sept. 2003.
• 影山健生, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. 波長1200nm帯高歪GaInAsSb/GaAs量子井戸構造の固体原料MBE成長, 第64回応用物理学会学術講演会, Sept. 2003.
• 松浦哲也, 宮本智之, 影山健生, 太田征孝, 松井康尚, 古旗達也, 小山二三夫. MBE法によるGaInAs量子ドットへのSb添加の影響, 第64回応用物理学会学術講演会, pp. 31p-K-17, Sept. 2003.
• 松浦哲也, 宮本智之, 牧野茂樹, 太田征孝, 松井康尚, 小山二三夫. MBE法によるGaIn(N)Asのドーピング特性とコンタクト層への応用, 第50回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2003.
• 太田征孝, 宮本智之, 牧野茂樹, 松浦哲也, 松井康尚, 小山二三夫. Ga(In)NAs光閉じ込め層とGaAsクラッド層による放熱性に優れた長波長帯レーザ構造の検討, 第50回応用物理学関連連合講演会, 第50回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2003.
• 牧野茂樹, 宮本智之, 太田征孝, 松浦哲也, 小山二三夫. CBE成長した自己形成GaInNAs量子ドットに対する熱アニール効果, 第63回応用物理学会学術講演会, Sept. 2002.
• 太田征孝, 宮本智之, 牧野茂樹, 松浦哲也, 松井康尚, 小山二三夫. GaInNAs/GaAs量子井戸薄膜化による利得特性の向上, 第63回応用物理学会学術講演会, Sept. 2002.
• 太田征孝, 宮本智之, 牧野茂樹, 池永賀彦, 小山二三夫. GaInNAs/GaAs量子井戸薄膜化による温度特性への影響の検討, 第49回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2002.
• 牧野茂樹, 宮本智之, 影山健生, 池永賀彦, 太田征孝, 小山二三夫, 伊賀健一. CBE法によるGaInNAs量子ドット形成特性の成長温度・窒素組成依存性, 第49回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2002.
• 牧野茂樹, 宮本智之, 影山健生, 池永賀彦, 太田征孝, 荒井昌和, 小山二三夫, 伊賀健一. CBE法によるGaInNAs量子井戸の成長速度，V/III比依存性, 第62回応用物理学会学術講演会, Sept. 2001.
• 宮本智之, 影山健生, 太田征孝. 量子井戸構造における光閉じ込め係数の取扱について, 第62回応用物理学会学術講演会, Sept. 2001.

学位論文

• A study on novel GaInNAsSb quantum well structures for high performance lasers,  Thesis,  Doctor of Engineering,  Tokyo Institute of Technology,  2006/03/26, 

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