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塩尻大士 研究業績一覧 (33件)
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論文
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daishi shiojiri,
Daiji Fukuda,
Ryosuke Yamauchi,
Nobuo Tsuchimine,
Koji Koyama,
Satoru Kaneko,
Akifumi Matsuda,
MAMORU YOSHIMOTO.
Room-temperature laser annealing for solid-phase epitaxial crystallization of β-Ga2O3 thin films,
Applied Physics Express,
IOPscience,
Vol. 9,
105502,
Sept. 2016.
公式リンク
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Akifumi Matsuda,
Ryosuke Yamauchi,
Daishi Shiojiri,
Geng Tan,
Satoru Kaneko,
Mamoru Yoshimoto.
Room-temperature Selective Epitaxial Growth of CoO (111) and Co3O4 (111) Thin Films with Atomic Steps by Pulsed Laser Deposition,
Applied Surface Science,
Elsevier,
Volume 349,
Page 78,
Sept. 2015.
公式リンク
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daishi shiojiri,
Ryosuke Yamauchi,
Daiji Fukuda,
Nobuo Tsuchimine,
Satoru Kaneko,
Akifumi Matsuda,
Mamoru Yoshimoto.
Room-temperature fabrication of highly oriented β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing,
Journal of Crystal Growth,
Vol. 424,
pp. 38-41,
Aug. 2015.
公式リンク
国際会議発表 (査読有り)
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Akifumi Matsuda,
Daishi Shiojiri,
Hiroki Uchida,
Kisho Nakamura,
Yanna Chen,
Osami Sakata,
Nobuo Tsuchimine,
Satoru Kaneko,
Mamoru Yoshimoto.
Buffer-Layer Enhanced Heteroepitaxy of β-Ga2O3:(Sn, Si) Thin Films by Room-Temperature Excimer Laser Annealing,
2016 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Nov. 2016.
公式リンク
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daishi shiojiri,
Daiji Fukuda,
Nobuo Tsuchimine,
Koji Koyama,
Satoru Kaneko,
Akifumi Matsuda,
Mamoru Yoshimoto.
Solid-phase Epitaxial Crystallization of Ga2O3 Thin Films by Pulsed KrF Excimer Laser Annealing towards Low-Temperature Device Fabrication,
2015 MRS Fall Meeting & Exhibits RR: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency—Power Electronics and Solid-State Lighting,
Materials Research Society,
Nov. 2015.
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Akifumi Matsuda,
Geng Tan,
daishi shiojiri,
Mushin Ryu,
Satoru Kaneko,
Mamoru Yoshimoto.
Thermoelectric generation of V2O5–P2O5 oxide glass-based printable devices,
2015 MRS Fall Meeting & Exhibits SS: Progress in Thermal Energy Conversion,
Materials Research Society,
Nov. 2015.
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Akifumi Matsuda,
Geng Tan,
Yasuhisa Nozawa,
daishi shiojiri,
Tatsuhiro Urakami,
Satoru Kaneko,
Mamoru Yoshimoto.
Preparation of ultra-flat transparent conductive films on atomic step-and-terrace structured flexible polymer sheets,
2015 MRS Fall Meeting & Exhibits MM: Advances in Flexible Devices for Energy Conversion and Storage,
Materials Research Society,
Nov. 2015.
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daishi shiojiri,
Ryosuke Yamauchi,
Daiji Fukuda,
Nobuo Tsuchimine,
Masaya Oda,
Satoru Kaneko,
Akifumi Matsuda,
Mamoru Yoshimoto.
Room-Temperature Oriented Crystallization of Ga2O3 Thin Films by UV Pulsed Laser Annealing,
2014 MRS Fall Meeting & Exhibits T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics,
Materials Research Society,
Nov. 2014.
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daishi shiojiri,
Akira Yoshida,
Naoya Inoue,
Satoru Kaneko,
Akifumi Matsuda,
MAMORU YOSHIMOTO.
Nanoscale Surface Patterning of α-Al2O3 Substrates by Way of Room-temperature Homoepitaxial Growth for Development of High-performance Devices,
2013 MRS Spring Meeting & Exhibit,
Apr. 2013.
公式リンク
国内会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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松田晃史,
塩尻大士,
内田啓貴,
金子智,
吉本護.
室温レーザMBEによる超平坦α-Fe2O3(0001)薄膜のヘテロエピタキシャル成長,
日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム,
日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 講演予稿集,
公益社団法人 日本セラミックス協会,
Aug. 2016.
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松田晃史,
塩尻大氏,
福田大二,
内田啓貴,
土嶺信男,
金子智,
吉本護.
レーザプロセスによるワイドギャップβ-Ga2O3薄膜の低温エピタキシー,
日本セラミックス協会 2016年年会,
日本セラミックス協会 2016年年会 講演予稿集,
Mar. 2016.
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梅澤 憲司,
塩尻大士,
松田晃史,
吉本護,
小粥 啓子.
低速原子散乱分光法によるMgO(111)表面構造解析,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Mar. 2016.
公式リンク
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高野詩織,
福田大二,
塩尻大士,
秋山賢輔,
金子智,
松田晃史,
吉本護.
EuドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Mar. 2016.
公式リンク
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内田啓貴,
塩尻大士,
福田大二,
土嶺信男,
小山浩司,
金子智,
松田晃史,
吉本護.
エキシマレーザーアニーリングによるバッファ層誘起β-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会,
第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Mar. 2016.
公式リンク
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高野詩織,
福田大二,
塩尻大士,
土嶺信男,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
希土類ドープNiOエピタキシャル薄膜の特性評価,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2015.
公式リンク
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塩尻大士,
福田大二,
内田啓貴,
高野詩織,
土嶺信男,
小山浩司,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2015.
公式リンク
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塩尻大士,
福田大二,
内田啓貴,
土嶺信男,
小山浩司,
金子智,
松田晃史,
吉本護.
紫外エキシマレーザー照射によるワイドギャップGa2O3薄膜の室温固相配向成長,
日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム,
日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム 講演予稿集,
公益社団法人 日本セラミックス協会,
Sept. 2015.
公式リンク
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内田啓貴,
塩尻大士,
福田大二,
土嶺信男,
小山浩司,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
エキシマレーザー照射による固相結晶化Ga2O3薄膜における構造及び光学特性へ,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2015.
公式リンク
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松田晃史,
福田大二,
塩尻大士,
土嶺信男,
金子智,
吉本護.
NiOバッファ層を用いたワイドギャップ半導性β-Ga2O3エピタキシャル薄膜の低温PLD成長,
日本セラミックス協会 2015年 年会,
日本セラミックス協会 2015年年会 講演予稿集,
公益社団法人 日本セラミックス協会,
Mar. 2015.
公式リンク
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福田大二,
塩尻大士,
山内涼輔,
土嶺信男,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
PLD法を用いたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化,
第62回 応用物理学会 春季学術講演会,
第62回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Feb. 2015.
公式リンク
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塩尻大士,
福田大二,
山内涼輔,
金子智,
土嶺信男,
織田 真也,
松田晃史,
吉本護.
非晶質Ga2O3薄膜へのエキシマレーザーアニールによる室温配向結晶成長,
レーザー学会学術講演会 第35回年次大会,
レーザー学会学術講演会 第35回年次大会 講演予稿集,
一般社団法人 レーザー学会,
Jan. 2015.
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淀 徳男,
楊 楠,
石川 智暁,
金子 智,
塩尻大士,
松田 晃史,
吉本 護.
ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO2/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II),
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2014.
公式リンク
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福田大二,
塩尻大士,
山内涼輔,
土嶺信男,
織田真也,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
PLD 法を用いたGa2O3薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果,
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2014.
公式リンク
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塩尻大士,
福田大二,
山内涼輔,
金子 智,
土嶺信男,
織田真也,
松田 晃史,
吉本 護.
紫外レーザーアニーリングによるGa2O3薄膜の室温配向結晶化,
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会,
第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Sept. 2014.
公式リンク
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塩尻大士,
吉田彬,
土嶺信男,
小粥啓子,
淀徳男,
金子 智,
松田 晃史,
吉本 護.
PLD法によるGa2O3薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性,
第61回 応用物理学会 春季学術講演会,
第61回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集,
公益社団法人 応用物理学会,
Mar. 2014.
公式リンク
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塩尻大士,
山内涼輔,
譚ゴオン,
金子智,
松田晃史,
吉本護.
サファイア基板表面のナノスケールモフォロジー制御によるα-Al2O3薄膜の室温ホモエピタキシャル成長,
日本セラミックス協会 2013年年会,
Mar. 2013.
公式リンク
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淀徳男,
井上直哉,
塩尻大士,
譚ゴオン,
熊谷典子,
松田晃史,
吉本護.
ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t<200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討―,
2013年 第60回 応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2013.
公式リンク
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山内涼輔,
譚ゴオン,
塩尻大士,
小山浩司,
金子智,
松田晃史.
急速熱アニールによるセラミック薄膜表面へのナノパターン形成,
日本セラミックス協会2012年年会,
2012.
公式リンク
学位論文
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Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,
Thesis,
博士(工学),
Tokyo Institute of Technology,
2016/03/26,
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室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究,
要約,
博士(工学),
東京工業大学,
2016/03/26,
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Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,
Summary,
博士(工学),
Tokyo Institute of Technology,
2016/03/26,
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Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,
Exam Summary,
博士(工学),
Tokyo Institute of Technology,
2016/03/26,
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