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山田泰之 研究業績一覧 (3件)
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国際会議発表 (査読有り)
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Hiroyuki Yamada,
Shiro Hino,
Naruhisa Miura,
Masayuki Imaizumi,
Satoshi Yamakawa,
EISUKE TOKUMITSU.
Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al2O3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al2O3 Buffer Layer,
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013,
Oct. 2013.
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Eisuke Tokumitsu,
Akio Ishiguro,
Hiroyuki Yamada,
Shiro Hino,
Naruhisa Miura,
Masayuki Imaizumi,
Hiroaki Sumitani,
Tatsuo Oomori.
Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process,
2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011),
pp. 320,
Sept. 2011.
国内会議発表 (査読有り)
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山田泰之,
石黒暁夫,
日野史郎,
三浦 成久,
今泉昌之,
岸谷博昭,
徳光永輔.
Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価,
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会、電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会,
信学技報,
pp. 11-15,
July 2011.
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