国際会議発表 (査読有り)

• Hiroyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Satoshi Yamakawa, EISUKE TOKUMITSU. Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al2O3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al2O3 Buffer Layer, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013, Oct. 2013.
• Eisuke Tokumitsu, Akio Ishiguro, Hiroyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Hiroaki Sumitani, Tatsuo Oomori. Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process, 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), pp. 320, Sept. 2011.

国内会議発表 (査読有り)

• 山田泰之, 石黒暁夫, 日野史郎, 三浦 成久, 今泉昌之, 岸谷博昭, 徳光永輔. Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第１37回研究集会、電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会, 信学技報, pp. 11-15, July 2011.

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