論文

• A. Yukimachi, Y. Miyamoto. InGaAs/AlAs triple-barrier p-i-n junction diode for realizing superlattice-based FET for steep slope, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 55, 118004, Oct. 2016.
• Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain, Solid-State Electronics, Vol. 126, pp. 92-95, Sept. 2016.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto. Experimental approach for feasibility of superlattice FETs, 2016 Lester Eastman Conference (LEC), pp. 8-11, Aug. 2016.  公式リンク  
  
• Haruki Kinoshita, Nobukazu Kise, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain, Compound Semiconductor Week (CSW2016), TuD4-2, June 2016.
• M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto. Dependence of the Carrier Concentration in InGaAs/InP Superlattice-based FETs with a Steep Subthreshold Slope, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2013.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, M. Fujimatsu, K. Ohashi, A. Yukimachi, S. Iwata. Steep subthreshold slope in InGaAs MOSFET, SemiconNano2015, Sept. 2015.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 行待 篤志, 宮本 恭幸. 超格子FET のためのAlAs/InGaAsダブルバリアp-i-n 接合ダイオード, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-4C-3, Sept. 2015.
• 行待 篤志, 柏野 壮志, 宮本 恭幸. 超格子FETに向けたダブルバリアp-i-n接合ダイオード, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 宮本恭幸, 行待篤志. 超格子ソースによるスティープスロープFETの可能性, 電子情報通信学会 総合大会, Mar. 2015.
• 柏野壮志, 行待篤志, 宮本恭幸. 急峻なSS特性の為のInGaAs/InP超格子FETにおけるキャリア濃度依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.

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