国際会議発表 (査読有り)

• Hideaki Arai, Hideyuki Kamimura, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire, ECS 216th Meeting, vol. 25, No. 7, pp. 447-454, Oct. 2009.
• Soshi Sato, Hideyuki Kamimura, Hideaki Arai, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for Integration, ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device Research Conference, p. 249, Sept. 2009.
• Hideyuki Kamimura, Hideaki Arai, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Evaluation of Lateral Ni Diffusion in Si Nanowire Schottky Contact, ISTC /CSTIC2009, ISTC /CSTIC2009, pp. 58, Mar. 2009.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• 小山将央, Naoto Shigemori, Hideaki Arai, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Lateral encroachment of Ni silicide into silicon nanowire, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 佐藤創志, 新井英朗, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利 健治, 名取研二, 岩井洋, 山田啓作. Siナノワイヤトランジスタの電気特性の断面形状依存症, 第57回応用物理学関係連合講演会, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, pp. 13-270, Apr. 2010.
• 茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 酸化膜中のSiナノワイヤへのNi拡散の制御, 第57回応用物理学関係連合講演会, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, pp. 13-269, Mar. 2010.
• 小山将央, 茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Lateral encroachment of Ni silicide into Si nanowire, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• Soshi Sato, Hideaki Arai, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI. Evaluation of Channel Potential Profile of Si Nanowire Field Effect Transistor, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.
• Hideaki Arai, Hideyuki Kamimura, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, 西山彰, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.
• 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二, 筒井一生, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗. トップダウンSiナノワイヤFETの作製法とその電気的特性のサーベイ, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 0, pp. 147, Mar. 2009.
• 新井英朗, 上村英之, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. SiナノワイヤへのNiシリサイド形成の評価, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 901, Mar. 2009.
• 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健二, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 山田啓作, 岩井洋. 四端子測定TEGを用いたSiナノワイヤトランジスタのチャネル内電位の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 901, Mar. 2009.
• 新井英朗, 上村英之, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 服部健雄, 杉井信之, 岩井洋. 熱酸化によるSi ナノワイヤの作製とその電気特性, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 768, Sept. 2008.
• 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗, 大毛利健二, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 服部健雄, 杉井信之, 山田啓作, 岩井洋. Si Finのアスペクト比最適化により作製した円形Siナノワイヤの形状に関する研究, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 735, Sept. 2008.

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