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Publication List - YASUYUKI MIYAMOTO 2012 (29 / 477 entries)
Journal Paper
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Atsushi Kato,
Toru Kanazawa,
Shunsuke Ikeda,
Yosiharu Yonai,
Yasuyuki Miyamoto.
Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode,
IEICE Trans. Electron.,
vol. E95-C,
no. 5,
pp. 904-919,
May 2012.
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Naoaki Takebe,
Y. Miyamoto.
Reduction of base-collector capacitance in InP/InGaAs DHBT with buried SiO2 wires,
IEICE Trans. Electron.,
vol. E95-C,
no. 5,
pp. 917-920,
May 2012.
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Hisashi Saito,
Y. Miyamoto.
Reduction of Output Conductance in Vertical InGaAs Channel Metal?Insulator?Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region,
Applied Phys. Exp.,
vol. 5,
no. 2,
pp. 24101,
Mar. 2012.
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F. Fatah,
C.-I Kuo,
H.-T. Hsu,
C.-Y. Chiang,
C.-Y. Hsu,
Y. Miyamoto,
E. Y. Chang.
Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40 nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600 GHz,
JPN. J. APPL. PHYS.,
vol. 51,
no. 11,
2012.
International Conference (Reviewed)
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Y. Yamaguchi,
K. Hayashi,
T. Oishi,
H. Otsuka,
T. Nanjo,
K. Yamanaka,
M. Nakayama,
Y. Miyamoto.
Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs,
Oct. 2012.
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M. Kashiwano,
J. Hirai,
S. Ikeda,
M. Fujimatsu,
Y. Miyamoto.
High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa,
2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012),
Sept. 2012.
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Y. Yamaguchi,
K. Hayashi,
T. Oishi,
H. Otsuka,
K. Yamanaka,
M. Nakayama,
Y. Miyamoto.
Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation,
2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012),
Sept. 2012.
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T. Oishi,
K. Hayashi,
Y. Yamaguchi,
H. Otsuka,
K. Yamanaka,
M. Nakayama,
Y. Miyamoto.
Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation,
2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012),
Sept. 2012.
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M. Fujimatsu,
H. Saito,
Y. Miyamoto.
71 mV/dec of Sub-Threshold Slope in Vertical Tunnel Field-Effect Transistors with GaAsSb/InGaAs Heterostructure,
24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012),
Aug. 2012.
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K. Tanaka,
Y. Miyamoto.
InP HBT with 55-nm-wide Emitter and Relationship between Emitter Width and Current Density,
24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012),
Aug. 2012.
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Jun Hirai,
Tomoki Kususaki,
Shunsuke Ikeda,
YASUYUKI MIYAMOTO.
Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate,
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2012),
2012.
Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Toru Kanazawa.
MOSFET低電圧化の為のInGaAs チャネル,
応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,
Nov. 2012.
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Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaAsSb/InGaAs ヘテロ接合を用いた縦型トンネル FET における サブスレッショルドスロープの改善,
第 73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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atsushi kato,
Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa,
YASUYUKI MIYAMOTO.
Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究,
第73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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Masashi Kashiwano,
Jun Hirai,
Shunsuke Ikeda,
Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型 InGaAs チャネル MISFET の高電圧利得化,
第 73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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Takeru Sagai,
Yosiharu Yonai,
YASUYUKI MIYAMOTO.
InGaAs チャネル MOSFET の EOT 削減による 伝達コンダクタンス向上,
第 73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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Keishi Tanaka,
YASUYUKI MIYAMOTO.
55 nm 幅エミッタInP HBT および電流密度とエミッタ幅の関係,
第 73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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大石敏之,
林一夫,
佐々木肇,
Yuutarou Yamaguchi,
大塚浩志,
山中宏治,
中山正敏,
YASUYUKI MIYAMOTO.
トランジスタ動作時における GaN HEMT ゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析,
電子情報通信学会2012年ソサエティ大会,
Sept. 2012.
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Tomohiro Amemiya,
Toru Kanazawa,
Atsushi Ishikawa,
Seiji Miyouga,
Eijun Murai,
Takahiko Shindou,
JoonHyun Kang,
Nobuhiko Nishiyama,
YASUYUKI MIYAMOTO,
Takuo Tanaka,
SHIGEHISA ARAI.
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第73回秋季応用物理学会学術講演会,
Vol. 愛媛,
No. 13p-C5-3,
Sept. 2012.
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山口 裕太郎,
林 一夫,
大石 敏之,
大塚 浩志,
小山 英寿,
加茂 宣卓,
山中 宏治,
中山 正敏,
YASUYUKI MIYAMOTO.
C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション),
電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 2012,
No. 2,
pp. 62,
Aug. 2012.
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Masashi Kashiwano,
Jun Hirai,
Shunsuke Ikeda,
Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化,
電子情報通信学会技術研究報告,
May 2012.
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa.
エヒ?タキシャル成長ソースによる InGaAs MOSFET の高電流密度化,
電気学会電子デバイス研究会,
Mar. 2012.
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Masashi Kashiwano,
Jun Hirai,
Shunsuke Ikeda,
Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析,
電子情報通信学会2011年総合大会,
Mar. 2012.
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa.
エピタキシャル成長ソースによるInGaAsMOSFETの高電流密度化,
電気学会電子デバイス研究会,
Mar. 2012.
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Yuutarou Yamaguchi,
大石敏之,
大塚浩志,
山中宏治,
南條拓真,
中山正敏,
平野嘉仁,
YASUYUKI MIYAMOTO.
デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析,
電子情報通信学会2011年総合大会,
Mar. 2012.
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Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa,
Shunsuke Ikeda,
YASUYUKI MIYAMOTO.
InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET,
応用物理学会 2012年度春季大会,
Mar. 2012.
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Masayuki Yamada,
Ken Uchida.
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討,
電子情報通信学会技術研究報告,
Jan. 2012.
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa.
InGaAs MOSFETの高電流密度化,
電子情報通信学会技術研究報告,
Jan. 2012.
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