Journal Paper

• H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. Epitaxial structures of band-gap-engineered α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃ (0 ≤x≤1) films grown on C-plane sapphire, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 51, 11PG11-1-5, Nov. 2012.  Official location  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Epitaxial growth of γ-Ga₂O₃ films by mist chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Volume 359, Page 60-63, Sept. 2012.  Official location  

International Conference (Reviewed)

• A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki. Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double-perovskites, 2012 Materials Research Society Spring Meeting, MRS Proceedings, Cambridge University Press, Volume 1454, pp. 3-13, May 2012.  Official location  

International Conference (Not reviewed / Unknown)

• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Mist chemical vapor deposition of γ-phase Ga₂O₃ thin films, 39th International Symposium on Compound Semiconductors, Aug. 2012.
• A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki. Design and synthesis of ubiquitous-elements-based novel magnetic oxides, The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-6), June 2012.  Official location  
• A. Ohtomo, S. Chakraverty, M. Kawasaki. Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double-perovskites, 2012 Material Research Society Spring Meeting & Exhibit, Apr. 2012.  Official location  
• A. Ohtomo. Quantum transport at polar oxide interfaces, 8th International Workshop on Oxide Surfaces (IWOX-VIII), Jan. 2012.  Official location  

Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)

• A. Ohtomo. Epitaxial syntheses of functioning oxide interface and nanomaterials, The 73rd JSAP Autumn Meeting, 2012, Sept. 2012.  Official location  
• H. Mashiko, E.Sakai, H. Kumigashira, T. Oshima, A. Ohtomo. 遷移金属酸化物混晶におけるバンドギャップ狭帯化の起源, The 73rd JSAP Autumn Meeting, 2012, Sept. 2012.  Official location  
• A. Mukai, T. Oshima, A. Ohtomo. カソードルミネッセンス法によるAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の発光特性評価, The 73rd JSAP Autumn Meeting, 2012, Sept. 2012.  Official location  
• K. Yokoyama, M. Niwa, T. Oshima, A. Ohtomo. パルスレーザ堆積法によるLiTi₂O₄ 薄膜のエピタキシャル成長, The 73rd JSAP Autumn Meeting, 2012, Sept. 2012.  Official location  
• A. Ohtomo. 酸化物半導体材料・デバイスの基礎と最新動向, Electronic Journal The 1401st Technical Seminar, Sept. 2012.  Official location  
• T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo. Epitaxial stabilization of gamma-phase Ga₂O₃ thin films by Mist CVD, 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), July 2012.  Official location  
• A. Ohtomo. 酸化物半導体の基礎と薄膜・デバイス研究動向, 各種デバイスの高効率化を目指す酸化物半導体の研究～基礎・アモルファス酸化物TFTから各種デバイスの応用・無線応用まで～, June 2012.  Official location  
• A. Ohtomo. 薄膜積層構造による遷移金属酸化物の光電変換機能開発, 有機太陽電池シンポジウム, June 2012.
• S. Fujita, M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T, Masui, S. Yamakoshi, T. Oshima, A. Ohtomo. ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用, 日本学術振興会・透明酸化物光・電子材料第166委員会第55回研究会, Apr. 2012.  Official location  
• A. Mukai, T. Nakazono, T. Oshima, A. Ohtomo. Ga₂O₃の結晶多形とヘテロエピ構造：β-Ga₂O₃/(0001)α-Al₂O₃, 春季第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.  Official location  
• S. Fujita, M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamawaki, T. Oshima, A. Ohtomo. 酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用, 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第78回研究会, Mar. 2012.
• J. Noda, H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo. α-(V_1-xCr_x)₂O₃薄膜の作製と光学特性評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.  Official location  
• A. Ohtomo. ペロブスカイト型鉄酸化物薄膜の原子秩序構造と磁性, 第5回放射光連携研究ワークショップ － SPring-8のナノアプリケーションが拓くイノベーション －, Feb. 2012.

Other Publication

• A. Ohtomo. 金属酸化物ヘテロ接合の界面伝導, 応用物理, 公益社団法人 応用物理学会, Vol. 81, No. 12, pp. 1002-1008, Dec. 2012.  Official location  

Patent

• Akira Ohtomo, Takayoshi OSHIMA. Ga2O3系HEMT. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学, 株式会社タムラ製作所, 国立大学法人京都大学, 独立行政法人情報通信研究機構. 2012/09/07. 特願2013-532669. 2015/03/23. 特開（再表）2013/035841. 2015.

[ Save as BibTeX ]    [ Paper, Presentations, Books, Others, Degrees: Save as CSV ]    [ Patents: Save as CSV ]