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Publication List - Netsu Seikou 2017 (7 / 20 entries)
Journal Paper
International Conference (Reviewed)
Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)
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Netsu Seikou,
Toru Kanazawa,
Tomohiro Amemiya,
YASUYUKI MIYAMOTO.
HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性,
第78回応用物理学会秋季学術講演会,
No. 7p-C11-16,
Sept. 2017.
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Toru Kanazawa,
Tomohiro Amemiya,
Netsu Seikou,
Vikrant Upadhyaya,
Koichi Fukuda,
YASUYUKI MIYAMOTO.
HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
16a-F203-3,
Mar. 2017.
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Kazuto Ohsawa,
Shinji Noguchi,
Netsu Seikou,
Nobukazu Kise,
YASUYUKI MIYAMOTO.
[16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2017.
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Netsu Seikou,
Toru Kanazawa,
Vikrant Upadhyaya,
ウワンノー ティーラユット,
Tomohiro Amemiya,
長汐 晃輔,
YASUYUKI MIYAMOTO.
Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
16a-F203-4,
Mar. 2017.
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Kazuto Ohsawa,
Shinji Noguchi,
Netsu Seikou,
Nobukazu Kise,
YASUYUKI MIYAMOTO.
HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響,
電子情報通信学会電子デバイス研究会,
信学技報,
vol. 116,
no. 431,
pp. 35-40,
Jan. 2017.
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