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菅原聡 2009年 研究業績一覧 (41件 / 409件)
論文
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Y. Shuto,
M. Tanaka,
S. Sugahara.
Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex Thin Films Epitaxially Grown on Si(001) Substrates,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 47,
no. 9,
pp. 7108-7112,
June 2009.
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Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Analysis of L21-ordering in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics,
vol. 105,
no. 7,
pp. 07B109/1-3.,
Apr. 2009.
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Shuu'ichirou Yamamoto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 48,
No. 4,
pp. 043001-1-7,
Apr. 2009.
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S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 48,
no. 4,
pp. 043001/1-7,
2009.
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Yusuke Shuto,
Shuu'ichirou Yamamoto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors,
J. Appl. Phys.,
Vol. 105,
pp. 07C933/1-3,
2009.
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Shuto,
R. Nakane,
H. Sukegawa,
S. Yamamoto,
M. Tanaka,
K. Inomata,
S. Sugahara.
Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs,
Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030,
paper P-49,
pp. 148-149,
Oct. 2009.
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S. Yamamoto,
Yusuke Shuto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop,
International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030,
P-50,
Oct. 2009.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
Half-metallic ferromagnet technologies for spin-functional MOSFETs,
Intl. Conf. “Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by world’s leading scientists,
paper P-48,
Oct. 2009.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology,
Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09),
paper P7,
Oct. 2009.
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Shuu’ichirou.Yamamoto,
Yusuke Shuto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices,
Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC),
pp. 531-534,
Sept. 2009.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors,
Intermag 2009,
paper CT-02,
p. 195,
May 2009.
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Shuu’ichirou Yamamoto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture,
IEEE International Magnetics Conference,
ET-01,
May 2009.
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K. Hayashi,
Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Preparation and characterization of full-Heusler Co2FeSi alloy thin films on amorphous insulator films,
IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 09),
paper ES-08,
May 2009.
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菅原聡.
スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開,
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第111回研究集会,
paper 6,
Mar. 2009.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices,
Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials,
pp. 810-811,
2009.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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菅原聡.
スピン機能MOSFETとその集積回路応用,
日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会,
Nov. 2009.
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菅原聡.
エマージングメモリデバイスとCMOSの機能融合による新しいコンピュータアーキテクチャの基礎:イントロダクトリートーク,
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会,
paper 9p-TA-8,
Sept. 2009.
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Sanjeewa Dissanayake,
富山健太郎,
周藤悠介,
菅原聡,
竹中充,
高木信一.
超薄膜(110)面GOI p型MOSFETの電気的特性,
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会,
paper 11p-TH-3,
Sept. 2009.
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山本修一郎,
菅原聡,
前島英雄.
マイクロプロセッサにおけるエマージングメモリデバイスへの期待,
第70回応用物理学会学術講演会,
9p-TA-4,
0分冊,
p. 53,
Sept. 2009.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用,
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会,
paper 9p-TA-8,
Sept. 2009.
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山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF:バルーンDFFとの比較,
第70回応用物理学会学術講演会,
10a-TA-6,
II分冊,
p. 790,
Sept. 2009.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:電源遮断動作消費電力の評価,
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会,
paper 10a-TA-5,
Sept. 2009.
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高村陽太,
菅原聡.
Co線源X線回折を用いたフルホイスラー合金の不規則構造評価法の提案,
第70回応用物理学会学術講演会,
paper 10p-ZE-3,
第2分冊,
p. 674,
Sept. 2009.
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菅原聡.
スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開,
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) テーマ:低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用,
July 2009.
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山本修一郎,
菅原聡.
スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性Dフリップフロップ,
第56回応用物理学関係連合講演会,
第56回応用物理学関係連合講演会予稿集,
Vol. 2,
p. 785 1p-TB-6,
Apr. 2009.
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竹中充,
田辺聡,
S. Dissanayake,
菅原聡,
高木信一.
酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討,
第56回応用物理学関連連合講演会,
paper 5p-ZN-1,
Mar. 2009.
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山本修一郎,
菅原聡.
ノンポーラ型抵抗変化素子のSPICEモデル,
第56回応用物理学関連連合講演会,
第56回応用物理学関連連合講演会予稿集,
paper 2a-P16-13,
Mar. 2009.
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
抵抗変化素子を用いたFunctional MOSFET/CMOS,
第56回応用物理学関連連合講演会,
paper 2a-P16-14,
Mar. 2009.
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
ノンポーラ型抵抗変化素子を用いた不揮発性SRAM,
第56回応用物理学関連連合講演会,
paper 2a-P16-15,
Mar. 2009.
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
極薄絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成とその評価,
第56回応用物理学関連連合講演会,
1a-Q-5,
Mar. 2009.
公式リンク
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM:情報ストア動作解析,
第56回応用物理学関連連合講演会,
paper 1p-TB-8,
Mar. 2009.
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高村陽太,
中根了昌,
周藤悠介,
菅原聡.
不純物偏析技術を用いたCo2FeSiソース/ドレインMOSFETの作製と評価,
第56回応用物理学関連連合講演会,
1p-TB-9,
Mar. 2009.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
非晶質絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成と評価,
第13回半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-13),
B-3,
p. 9,
Jan. 2009.
公式リンク
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMの提案と解析,
第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13),
paper E-4,
p. 42,
Jan. 2009.
その他の論文・著書など
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
スピン機能MOSFETによる不揮発性ロック 不揮発性パワーゲーティング・ロジックへの応用 不揮発性SRAM/フリップフロップの可能性を検証,
Semiconductor FPD World,
pp. 46-49,
Sept. 2009.
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック,
スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線,
シーエムシー出版,
27章,
pp. 319-330,
2009.
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菅原聡.
スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開,
応用物理,
vol. 78,
no. 3,
pp. 236-241,
2009.
特許など
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菅原聡,
山本修一郎,
周藤悠介.
電子回路.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2009/03/27.
特願2009-078082.
2010/10/14.
特開2010-232959.
特許第5234547号.
2013/04/05
2013.
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