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菅原聡 2010年 研究業績一覧 (28件 / 409件)
論文
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Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Quantitative analysis of atomic disorders in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films using x-ray diffraction with Co Kα and Cu Kα sources,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics,
Vol. 107,
pp. 09B111/1-3,
Apr. 2010.
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K. Hayashi,
Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Formation of Co2FeSi/SiOxNy/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics.,
Vol. 107,
pp. 09B104/1-3,
Apr. 2010.
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Shuu'ichirou Yamamoto,
Yusuke Shuto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile SRAM (NV-SRAM) Using Resistive Switching Devices: Variable-Transconductance MOSFET Approach,
Jpn. J. Appl. Phys,
vol. 49,
no. 4,
pp. 040209/1-3,
2010.
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S. Yamamoto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile Delay Flip-Flop Based on Spin-Transistor Architecture and Its Power-Gating Applications,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 49,
no. 9,
pp. 090204/1-3,
2010.
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Y. Shuto,
R. Nakane,
W. H. Wang,
H. Sukegawa,
S. Yamamoto,
M. Tanaka,
K. Inomata,
S. Sugahara.
A New Spin-Functional Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Based on Magnetic Tunnel Junction Technology: Pseudo-Spin-MOSFET,
Appl. Phys. Exp.,
vol. 3,
no. 1,
pp. 013003/1-3,
2010.
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Takamura,
T. Sakurai,
R. Nakane,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Comparative study of full-Heusler Co2FeSi and Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
55th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2010),
paper CV-02,
p. 114 (program),
Nov. 2010.
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Y. Shuto,
Y. Takamura,
S. Sugahara.
Numerical simulation analysis of nonlocal multi-terminal devices for spin current detection in semiconductors,
55th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials,
paper DD-04,
p. 124,
Nov. 2010.
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T. Sakurai,
Y. Takamura,
R. Nakane,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films by rapid thermal annealing,
The 6th International Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI),
paper P2-22,
Aug. 2010.
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Y. Shuto,
R. Nakane,
W. H. Wang,
H. Sukegawa,
S. Yamamoto,
M. Tanaka,
K. Inomata,
S. Sugahara.
A new spin-functional MOSFET based on MTJ technology: Pseudo-spin-MOSFET,
The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors,
Aug. 2010.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Operating analysis of nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs,
The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors,
Aug. 2010.
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Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Disordered structures in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
The 6th International Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI),
paper P2-21,
Aug. 2010.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
X-ray diffraction study for atomic disorder in full-Heulser alloy thin films using Co x-ray source,
11th MMM-Intermag Conf.,
Jan. 2010.
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S Yamamoto,
Satoshi Sugahara.
Nonvolatile delay flip-flop using pseudo-spin-MOSFETs and its power-gating applications,
the 11th Joint MMM/Intermag Conf.,
Jan. 2010.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Operating analysis of nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs,
11th Joint MMM-Intermag Conference,
Jan. 2010.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMと不揮発性DFFのFPGA応用,
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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周藤悠介,
高村陽太,
菅原聡.
非局所配置マルチターミナルデバイスの数値解析シミュレーション,
第71回応用物理学会学術講演会,
paper 16a-A-10,
p.73,
10-044(DVD),
Sept. 2010.
公式リンク
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櫻井 卓也,
高村 陽太,
中根 了昌,
周藤 悠介,
菅原 聡.
RTAによるフルホイスラー合金Co2FeGe薄膜のエピタキシャル形成,
第71回応用物理学会学術講演会,
paper 14p-F-7,
p.73,
10-018(DVD),
Sept. 2010.
公式リンク
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菅原聡.
スピン機能MOSFETとその集積エレクトロニクスへの応用,
日本物理学会2010年秋大会,
Paper 25pRP-9,
Sept. 2010.
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術,
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:ストア時の書き込み電流制御,
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:セルリーク電流とBETの削減,
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF:静的リーク電流とBETの削減,
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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山本修一郎,
菅原聡.
抵抗変化素子を用いたばらつき補償CMOSゲート,
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2010.
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周藤悠介,
中根了昌,
Wenhong Wang,
介川裕章,
山本修一郎,
田中雅明,
猪俣浩一郎,
菅原 聡.
擬似スピンMOSFETの作製と評価,
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2010.
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佐藤充浩,
高村陽太,
菅原聡.
RTAを用いたフルホイスラー合金Co2FeAlxSi1-xの形成と評価,
第57回応用物理学関係連合講演会,
17a-ZH-4,
Mar. 2010.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
Co2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成とその構造評価,
第57回応用物理学関係連合講演会,
17a-ZH-5,
Mar. 2010.
公式リンク
その他の論文・著書など
特許など
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菅原聡,
山本修一郎,
周藤悠介.
電子回路.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2009/03/27.
特願2009-078082.
2010/10/14.
特開2010-232959.
特許第5234547号.
2013/04/05
2013.
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山本修一郎,
菅原聡.
スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2008/07/31.
特願2009-530030.
2010/11/25.
再表2009/028298.
特許第5170706号.
2013/01/11
2013.
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