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岩井洋 2019年 研究業績一覧 (14件 / 1185件)
論文
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Kuan Ning Huang,
Yueh-Chin Lin,
Jia Ching Lin,
Chia Chieh Hsu,
Jin Hwa Lee,
Chia-Hsun Wu,
Jing Neng Yao,
Heng-Tung Hsu,
Venkatesan Nagarajan,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hiroshi Iwai,
Edward Yi Chang,
Chao Hsin Chien.
Study of E-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT with La-silicate gate insulator for power applications,
Journal of Electronic Materials,
Vol. 49,
pp. 1348–1353,
Nov. 2019.
国際会議発表 (査読有り)
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T. Hiramoto,
T. Saraya,
K. Itou,
T. Takakura,
M. Fukui,
S. Suzuki,
K. Takeuchi,
M. Tsukuda,
Y. Numasawa,
K. Satoh,
T. Matsudai,
W. Saito,
K. Kakushima,
T. Hoshii,
K. Furukawa,
M. Watanabe,
N. Shigyo,
H. Wakabayashi,
K. Tsutsui,
H. Iwai,
A. Ogura,
S. Nishizawa,
I. Omura,
H. Ohash.
Switching of 3300V Scaled IGBT by 5V Gate Drive,
ASICON (International Conference on ASIC),
Oct. 2019.
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T. Saraya,
K. Itou,
T. Takakura,
M. Fukui,
S. Suzuki,
K. Takeuchi,
K. Kakushima,
T. Hoshii,
K. Tsutsui,
H. Iwai,
S. Nshizawa,
I. Omura,
T. Hiramoto.
Impact of Structural Parameter Scaling on On-state Voltage in 1200V Scaled IGBTs,
Int. Conf. on Solide State Devices and Materials (SSDM2019),
Sept. 2019.
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M. Fukui,
T. Saraya,
K. Itou,
T. Takakura,
S. Suzuki,
K. Takeuchi,
K. Kakushima,
T. Hoshii,
K. Tsutsui,
H. Iwai,
S. Nishizawa,
I. Omura,
T. Hiramoto.
Turn-Off Loss Improvement by IGBT Scaling,
Int. Conf. on Solide State Devices and Materials (SSDM2019),
May 2019.
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Takuya Saraya,
Kazuo Itou,
Toshihiko Takakura,
Munetoshi Fukui,
Shinichi Suzuki,
Kiyoshi Takeuchi,
Masanori Tsukuda,
Yohichiroh Numasawa,
Katsumi Satoh,
Tomoko Matsudai,
Wataru Saito,
Kuniyuki Kakushima,
Takuya Hoshii,
Kazuyoshi Furukawa,
Masahiro Watanabe,
Naoyuki Shigyo,
Hitoshi Wakabayashi,
Kazuo Tsutsui,
Hiroshi Iwai,
Atsushi Ogura,
Shin-Ichi Nishizawa,
Ichiro Omura,
Hiromichi Ohashi,
Toshiro Hiramo.
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltag,
31th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019),
May 2019.
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Masahiro Watanabe,
Naoyuki Shigyo,
Takuya Hoshii,
Kazuyoshi Furukawa,
Kuniyuki Kakushima,
Katsumi Satoh,
Tomoko Matsudai,
Takuya Saraya,
Toshihiro Takakura,
Kazuo Itou,
Munetoshi Fukui,
Shinichi Suzuki,
Kiyoshi Takeuchi,
Iriya Muneta,
Hitoshi Wakabayashi,
Akira Nakajima,
Shin-ichi Nishizawa,
Kazuo Tsutsui,
Toshiro Hiramoto,
Hiromichi Ohashi,
Hiroshi Iwai.
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs,
31th Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019),
May 2019.
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Takeya Inoue,
Takuya Hoshii,
Takuo Kikuchi,
Hidehiko Yabuhara,
Kazuyuki Ito,
Kuniyuki Kakushima,
Hitoshi Wakabayashi,
Hiroshi Iwai,
Junichi Tonotani,
Kazuo Tsutsui.
Fundamental study on reducing on-resistance by introducing strain into silicon vertical power devices,
3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019),
Mar. 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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渡辺正裕,
執行直之,
星井拓也,
古川和由,
角嶋邦之,
佐藤克己,
末代知子,
更屋拓哉,
高倉俊彦,
伊藤一夫,
福井宗利,
鈴木慎一,
竹内 潔,
宗田伊里也,
若林 整,
中島 昭,
西澤伸一,
筒井一生,
平本俊郎,
大橋弘通,
岩井洋.
トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション,
電子情報通信学会 SDM(シリコン材料・デバイス)研究会,
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,
電子情報通信学会,
Vol. 119,
No. 273,
pp. 45-48,
Nov. 2019.
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向井 勇人,
髙山 研,
濱田 拓也,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三聡,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
選択成長法を用いたGaN FinFETの作製,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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井上 毅哉,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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高山 研,
向井 勇人,
濱田 拓也,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三総,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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木村 安希,
久永 真之佑,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
部分的に薄層化したAlGaN 層によるAlGaN/GaN コンタクト抵抗低減効果の薄層領域パターン依存性,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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更屋 拓哉,
伊藤 一夫,
高倉 俊彦,
福井 宗利,
鈴木 慎一,
竹内 潔,
附田 正則,
沼沢 陽一郎,
佐藤 克己,
末代 知子,
齋藤 渉,
角嶋邦之,
星井 拓也,
古川 和由,
渡辺正裕,
執行 直之,
筒井一生,
岩井洋,
小椋 厚志,
西澤 伸一,
大村 一郎,
大橋 弘通,
平本 俊郎.
5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス),
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,
電子情報通信学会,
Vol. 118,
No. 429,
pp. 39-44,
Aug. 2019.
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濱田 拓也,
向井 勇人,
高橋 言緒,
井手 利英,
清水 三聡,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
若林 整,
岩井 洋,
筒井 一生.
FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性,
第66回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2019.
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