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宮本智之 2009年 研究業績一覧 (26件 / 915件)
論文
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Tomoyuki Sengoku,
Ryoichiro Suzuki,
Kosuke Nemoto,
Satoru Tanabe,
Fumio Koyama,
Tomoyuki Miyamoto.
Photoluminescence characteristics of InAs quantum dots with GaInP cover layer grown by metalorganic chemical vapor deposition,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 48,
no. 7R,
pp. 070203-1-3,
July 2009.
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Yuta Sugawara,
Tomoyuki Miyamoto.
Laterally intermixed quantum structure for carrier confinement in vertical-cavity surface-emitting lasers,
Electron. Lett.,
vol. 45,
no. 3,
pp. 167-168,
Jan. 2009.
国際会議発表 (査読有り)
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Yusuke Mikoshiba,
Tomoyuki Miyamoto.
Theoretical design of current injection type high-index contrast subwavelength grating mirror for VCSELs,
15th Microoptics Conference (MOC'09),
Oct. 2009.
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Ryoichiro Suzuki,
Tomoyuki Miyamoto,
Tomoyuki Sengoku,
Kosuke Nemoto,
Satoru Tanabe,
Rei Nishio,
Fumio Koyama.
InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer,
36th International Symposium on Compound Semiconductors,
pp. 133-134,
Aug. 2009.
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Ryoichiro Suzuki,
Tomoyuki Miyamoto,
Tomoyuki Sengoku,
Kosuke Nemoto,
Satouru Tanabe,
Fumio Koyama.
Photoluminescence Characteristics of MOCVD Grown-InAs Quantum Dots Covered by GaInP Laye,
2009 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM2009,
WB1-7,
pp. 234-237,
May 2009.
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Yuta Sugawara,
Tomoyuki Miyamoto.
Laterally intermixed quantum structure for carrier confinement of VCSELs,
Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/IQEC2009),
May 2009.
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Satoru Tanabe,
Ryoichiro Suzuki,
Tomoyuki Sengoku,
Kosuke Nemoto,
Tomoyuki Miyamoto.
InAs QDs on thin GaP<small>1-x</small>N<small>x</small> buffer on GaP by MOCVD,
2009 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009),
May 2009.
国内会議発表 (査読有り)
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田辺 悟,
鈴木 亮一郎,
仙石 知行,
根本 幸祐,
宮本 智之.
Characterization of InAs QDs on a thin GaPN buffer layer by MOCVD,
第28回電子材料シンポジウム,
July 2009.
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根本 幸祐,
鈴木 亮一郎,
仙石 知行,
田辺 悟,
小山 二三夫,
宮本 智之.
InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer,
第28回電子材料シンポジウム,
July 2009.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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宮本智之.
面発光レーザの最新動向,
高分子学会フォトニクスポリマー研究会,
Nov. 2009.
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牛尾拓也,
菅原雄大,
宮本智之.
量子構造混晶化による面発光レーザの低しきい値化,
第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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御子柴祐介,
小山二三夫,
宮本智之.
高屈折率差サブ波長格子によるVCSELの研究(II),
第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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根本幸祐,
鈴木亮一郎,
仙石知行,
田辺悟,
西尾礼,
小山二三夫,
宮本智之.
MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性,
第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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比嘉康貴,
松崎真也,
反町幹夫,
宮本智之.
トンネル注入量子井戸レーザの動特性の理論解析(II),
第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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田辺悟,
鈴木亮一郎,
仙石知行,
根本幸祐,
西尾礼,
宮本智之.
MOCVD成長によるSi上GaPの表面モフォロジーの成長条件依存性,
第70回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2009.
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菅原雄大,
牛尾拓也,
宮本智之.
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価,
電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE),
Aug. 2009.
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松崎真也,
比嘉康貴,
藤本康介,
宮本智之.
半導体レーザの利得変調動作の特性解析,
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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菅原雄大,
松谷晃宏,
小山二三夫,
宮本智之.
横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上,
電子情報通信学会2009年総合大会,
Mar. 2009.
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菅原雄大,
松谷晃宏,
小山二三夫,
宮本智之.
量子構造混晶化を用いた微小化面発光レーザ(II),
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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御子柴祐介,
小山二三夫,
宮本智之.
VCSELに用いる高屈折率差サブ波長格子の反射特性の構造依存性解析,
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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田辺 悟,
鈴木亮一郎,
仙石知行,
根本幸祐,
小山二三夫,
宮本智之.
GaPNバッファ層を用いたGaP基板上InAs 量子ドット成長,
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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仙石知行,
宮本智之,
鈴木亮一郎,
根本幸祐,
田辺 悟,
小山二三夫.
MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化,
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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比嘉康貴,
藤本康介,
松崎真也,
宮本智之.
トンネル注入量子井戸レーザの特性向上に関する検討,
第56回応用物理学関連連合講演会,
Mar. 2009.
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宮本智之.
トンネルキャリア注入を用いた半導体光デバイス高性能化,
第56回精研シンポジウム,
Mar. 2009.
その他の論文・著書など
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宮本智之.
面発光レーザーの最近の進展,
O plus E,
アドコム・メディア,
vol. 31,
no. 11,
pp. 1251-1257,
Nov. 2009.
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宮本智之.
VCSEL技術の現状と課題,
レーザー研究,
vol. 37,
no. 9,
pp. 649-656,
Sept. 2009.
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