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川那子高暢 2023年 研究業績一覧 (6件 / 94件)
国際会議発表 (査読有り)
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Ryosuke Kajikawa,
Takamasa Kawanago,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs,
International Conference on Solid State Devices and Materials,
Sept. 2023.
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Ryo Ono,
Shinya Imai,
Takamasa Kawanago,
Iriya Muneta,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Tetsuya Tatsumi,
Shigetaka Tomiya,
Hitoshi Wakabayashi.
Improvement of MoS2 Film Quality by Solid-Phase Crystallization from PVD Amorphous MoSx Film,
IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM),
Mar. 2023.
公式リンク
国内会議発表 (査読なし・不明)
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寺岡 楓,
今井 慎也,
黒原 啓太,
伊東 壮真,
川那子 高暢,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
若林 整.
Ni/Al2O3/スパッタWS2コンタクトの電流電圧特性,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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梶川 亮介,
川那子 高暢,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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今井 慎也,
梶川 亮介,
川那子 高暢,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
辰巳 哲也,
冨谷 茂隆,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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Peilong Wang,
Atsushi Hori,
Iriya Muneta,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Self-heating and Short-Channel Effect Immunity with Partial-Bottom-Dielectric-Isolation for Gate-All-Around Nano-Sheet FETs,
70th JSAP Spring meeting,
Mar. 2023.
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