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雲見日出也 2019年 研究業績一覧 (2件 / 25件)
論文
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Kenji M. Kojima,
Masatoshi Hiraishi,
Hirotaka Okabe,
Akihiro Koda,
Rryosuke Kadono,
Keisuke Ide,
Satoru Matsuishi,
Hideya Kumomi,
Toshio Kamiya,
Hideo Hosono.
Electronic structure of interstitial hydrogen in In-Ga-Zn-O semiconductor simulated by muon,
Applied Physics Letters,
115,
122104-1-5,
Sept. 2019.
特許など
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細野秀雄,
金正煥,
雲見日出也.
光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学.
2019/06/14.
特願2020-528761.
2021/09/24.
再表2020/008839.
特許第7181641号.
2022/11/22
2022.
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細野秀雄,
雲見日出也,
中村 伸宏 ,
渡邉 暁 ,
伊藤 和弘 ,
宮川 直通 .
半導体素子.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2017/09/29.
特願2018-543876.
2019/07/18.
特開(再)2018-066483.
2019.
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細野秀雄,
神谷利夫,
雲見日出也,
金正煥,
中村 伸宏,
渡邉 暁,
宮川 直通.
酸化物半導体化合物の層、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.
2017/02/23.
特願2018-503092.
2019/01/10.
再表2017/150351.
特許第7130209号.
2022/08/26
2022.
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