論文

• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga₂O₃, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 55, No. 1202B7, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• Mai Hattori, Takayoshi OSHIMA, Ryo Wakabayashi, K. Yoshimatsu, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, A. Ohtomo. Epitaxial growth and electric properties of γ-Al₂O₃ (110) films on β- Ga₂O₃ (010) substrates, Japanese Journal of Applied Physics, IOP publishing, Vol. 55, No. 12, 1202B6, Oct. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-Ga₂O₃ and β-(Al_xGa_1−x)₂O₃ films, Journal of Crystal Growth, Elsevier, Vol. 424, pp. 77-79, May 2015.
• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ single crystal as a photoelectrode for water splitting, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, 111102-1-4, Nov. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Formation of semi-insulating layers on semiconducting β-Ga₂O₃ single crystals by thermal oxidation, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Volume 52, Number 5, 051101-1-5, Apr. 2013.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• T. Oshima, K. Kaminaga, H. Mashiko, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Ga₂O₃ photoeledtrode for water splitting, The 41th International Symposium on Compound Semiconductor, May 2014.  公式リンク  
  
• A. Mukai, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. Doping control in device-grade β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition, 2013 Materials Research Society Fall Meeting, Dec. 2013.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読有り)

• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation behavior in conducting β-Ga₂O₃ single crytal surfaces by thermal oxidation, 32nd Electronic materials Symposium, July 2013.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu. ITO ohmic contacts for β-Ga₂O₃, German-Japanese Gallium Oxide Technical Meeting 2016, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Strong Fermi-Level Pinning at Metal/β-Ga₂O₃ (̅201) Interface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, R. Wakabayashi, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Evaluation of Band Offset at β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ Heterointerface, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• M. Hattori, T. Oshima, R. Wakabayashi, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Epitaxial Relationship and Capacitance-Voltage Characteristicsof γ-Al₂O₃ Films Grown on (010) β-Ga₂O₃ Substrates, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Growth and Electric Properties of Conductive β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Films, The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo. β-Al_2XGa_2-2XO₃ thin films for β-Ga₂O₃ hetero-device applications, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sept. 2013.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大島孝仁, 若林諒, 服部真依, 橋口 明広, 河野 直士, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃用ITOオーミック電極, 第77回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 大島 孝仁, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. β-Ga₂O₃上γ-Al₂O₃膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 金属/β-Ga₂O₃ (̅201)界面における強いフェルミ準位ピンニング効果, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 服部 真依, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ヘテロ接合におけるタイプI型バンドラインナップ, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第34回電子材料シンポジウム, July 2015.  公式リンク  
  
• 若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明. 酸素ラジカル支援PLD法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 服部 真依, 若林 諒, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明. β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃/ヘテロ接合のバンドオフセット評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo. Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ alloy films, The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic, Dec. 2014.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 神永 健一, 増子 尚徳, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃単結晶光電極の特性評価, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. PLD法による(201)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo. Semi-insulation of conducting β-Ga₂O₃ single crystal surfaces by thermal oxidation, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013.  公式リンク  
  
• 大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明. 熱酸化によるβ-Ga₂O₃単結晶表面の半絶縁層形成, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明. β-Ga₂O₃ (201)基板上のAl_2xGa_2-2xO₃薄膜の成長制御, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸, 大島 孝仁, 大友明. ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用, 日本学術振興会・透明酸化物光・電子材料第166委員会第55回研究会, Apr. 2012.  公式リンク  
  
• 藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山脇 茂伸, 大島 孝仁, 大友 明. 酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用, 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第78回研究会, Mar. 2012.

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