論文

• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, JPN. J. APPL. PHYS., vol. 54, no. 4, issue 2, 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto. Experimental approach for feasibility of superlattice FETs, 2016 Lester Eastman Conference (LEC), pp. 8-11, Aug. 2016.  公式リンク  
  
• M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto. Dependence of the Carrier Concentration in InGaAs/InP Superlattice-based FETs with a Steep Subthreshold Slope, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2013.
• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano, K. Ohsawa, K. Ohashi. (Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications, 26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014), May 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 行待 篤志, 柏野 壮志, 宮本 恭幸. 超格子FETに向けたダブルバリアp-i-n接合ダイオード, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水. 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 柏野壮志, 行待篤志, 宮本恭幸. 急峻なSS特性の為のInGaAs/InP超格子FETにおけるキャリア濃度依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型 InGaAs チャネル MISFET の高電圧利得化, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化, 電子情報通信学会技術研究報告, May 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析, 電子情報通信学会2011年総合大会, Mar. 2012.

特許など

• 宮本恭幸, 柏野壮志, 金澤徹. 電界効果トランジスタ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2013/01/09. 特願2013-001907. 2014/07/24. 特開2014-135359. 2014.

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