論文

• Miyuki Kouda, 鈴木 拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Electrical Properties of CeO2/La2O3 Stacked Gate Dielectrics Fabricated by Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 51, pp. 121101-1-121101-5,, Dec. 2012.
• 鈴木 拓也, 久保田透, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI. La2O3 gate insulators prepared by atomic layer deposition: Optimal growth conditions and MgO/La2O3 stacks for improved metal-oxide-semiconductor characteristics, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol. 30, No. 5, pp. 051507-1-8, July 2012.
• Takamasa Kawanago, 鈴木 拓也, Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process, Solid-State Electronics, Vol. 68, pp. .68-72, Feb. 2012.

国際会議発表 (査読有り)

• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. TiN/W/La2O3 /Si High-k Gate Stack for EOT below o.5nm, CSTIC2011, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田 翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, M. Mamatrishat, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI. Scaling of EOT Beyond 0.5nm, ICSICT(International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology)2010, Nov. 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Miyuki Kouda, 鈴木 拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, HIROSHI IWAI. Stack structures of ALD- La2O3 and CVD-CeO2 : fabrication and mobility improvement effects, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.
• 鈴木 拓也, Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Formation and electrical characterization of MgO - incorporated La2O3 gate insulators by ALD, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.
• Takamasa Kawanago, 鈴木 拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. An effective process for oxygen defect suppression for La-based oxide gate dielectric, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.
• Ahmet Parhat, 来山大祐, 金田翼, 鈴木 拓也, Tomotsune Koyanagi, Miyuki Kouda, マイマイティ マイマイティレャアティ, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Effects of Metal Layer Insertion on EOT scaling in TiN/Metal/ La2O3 Si High –k Gate Stacks, ,219th ECS Meeting, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 鈴木 拓也, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, 安田哲二. ALDによるMgO添加La2O3ゲート絶縁膜の形成及び電気特性評価, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 鈴木 拓也, 川那子高暢, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 希釈酸素雰囲気熱処理を用いたLaシリケート/Si MOS構造のVFB/Vthシフトの低EOTへの適用, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 川那子高暢, 鈴木 拓也, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. An Effective Process for Oxygen Defects Suppression for La-based Oxide Gate Dielectric, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

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