|
岩崎孝之 2014年 研究業績一覧 (36件 / 464件)
論文
-
S. Furuyama,
K. Tahara,
T. Iwasaki,
A. Matsutani,
M. Hatano.
Fluorinated Graphene FETs Controlled by Ionic Liquid Gate,
IEEE J. Display Technolog,
Vol. 10,
pp. 962-965,
Oct. 2014.
-
T. Yatsui,
D. Takeuchi,
S. Koizumi,
kazuki satou,
K. Tsuzuki,
T. Iwasaki,
M. Hatano,
T. Makino,
M. Ogura,
Hiromitsu Kato,
H. Okushi,
S. Yamasaki.
Polarization-controlled dressed-photon and phonon etching of patterned diamond structures,
Phys. Status. Solidi A,
Vol. 211,
pp. 2339-2342,
July 2014.
-
T. Iwasaki,
A. A. Zakharov,
T. Eelbo,
M. Wasniowska,
R. Wiesendanger,
J. H. Smet,
U. Starke.
Formation and Structural Analysis of Twisted Bilayer Graphene on Ni(111) Thin Films,
Surface Science,
Vol. 625,
pp. 44-49,
Mar. 2014.
-
K. Sato,
T. Iwasaki,
H. Kato,
T. Makino,
M. Ogura,
S. Yamasaki,
S. Nakamura,
K. Ichikawa,
A. Sawabe,
M. Hatano.
Analysis of Selective Growth of n-Type Diamond in Lateral pn Junction Diode,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 53,
pp. 05FP01-1~05FP01-4,
2014.
-
Takayuki Iwasaki,
Junya Yaita,
Hiromitsu Kato,
Toshiharu Makino,
Masahiko Ogura,
Daisuke Takeuchi,
Hideyo Okushi,
Satoshi Yamasaki,
Mutsuko Hatano.
600 V Diamond Junction Field-Effect Transistors Operated at 200 °C,
IEEE Electron Device Lett.,
Vol. 35,
pp. 241-243,
2014.
-
J. T. Song,
T. Iwasaki,
H. Hatano.
Pt co-catalyst effect on photoelectrochemical properties of 3C-SiC photo-anode,
Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol. 53,
pp. 05FZ04-1~05FX04-4,
2014.
国際会議発表 (査読有り)
-
J. Hasegawa,
T. Kodera,
T. Iwasaki,
M. Hatano.
Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS,
The Third International Education Forum on Environment and Energy Science,
Dec. 2014.
-
K.Tahara,
T.Iwasaki,
A.Matsutani,
M.Hatano.
Characteristics of Fluorinated Graphene Field Effect Transistors,
The Third International Education Forum on Environment and Energy Science,
Dec. 2014.
-
J. Yaita,
T. Iwasaki,
M. Natal,
S. E. Saddow,
M. Hatano.
Heteroepitaxial Growth of Diamond on Si Substrates via 3C-SiC buffer layer by Antenna Edge Microwave Plasma CVD for Power Electronics Application,
The Third International Education Forum on Environment and Energy Science,
Dec. 2014.
-
J. Yaita,
T. Iwasaki,
M. Natal,
S. E. Saddow,
M. Hatano.
Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on Si(001) Substrates with 3C-SiC(001) Buffer Layers,
2014 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Dec. 2014.
-
Takayuki Iwasaki,
Junya Yaita,
Meralys Reyes-Natal,
Stephen E. Saddow,
Mutsuko Hatano.
High Voltage Characteristics and Interface Analysis of Diamond Lateral p-n Junction Devices,
2014 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Dec. 2014.
-
J. Hasegawa,
M. Noguchi,
M. Furuhashi,
S. Nakata,
T. Iwasaki,
T. Kodera,
T. Nishimura,
M. Hatano.
Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS,
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014),
Sept. 2014.
-
J.Yaita,
T.Iwasaki,
M.Natal,
S.E.Sadow,
M.Hatano.
Heteroepitaxial growth of diamond films on 3C-SiC (001)/Si substrates by antenna-edge microwave plasma CVD,
SSDM 2014,
Sept. 2014.
-
JunTae Song,
T.Iwasaki,
M.Hatano.
Photoelectrochemical Co2 conversion system with 3C-SiC photo-anode and Pt counter electrode,
SSDM2014,
Sept. 2014.
-
J. Hasegawa,
M.Noguchi,
M.Furuhashi,
S. Nakata,
T.Iwasaki,
T.Kodera,
T.Nishimura,
M.Hatano.
Effect of gate oxide process at SiC-MOS interface on threshold voltage shift analyzed by DLTS,
SSDM 2014,
Sept. 2014.
-
K.Sato,
T.Iwasaki,
M. Shimizu,
H.Kato,
T.Makino,
M.Ogura,
D.Takeuchi,
S.Nakamura,
A.Sawabe,
S.Yamasaki,
M. Hatano.
Fabrication of diamond lateral pn Junctions on (111)substrates,
Hasselt Diamond Workshop 2015,
Feb. 2014.
-
T. Iwasaki,
J. Yaita,
M. Natal,
S. E. Saddow,
M. Hatano.
Heteroepitaxial nucleation of diamond on 3C-SiC(001) thin films by antenna-edge microwave plasma CVD,
Hasselt Diamond Workshop 2014,
Feb. 2014.
-
T. Suwa,
T. Iwasaki,
K. Sato,
H. Kato,
T. Makino,
M. Ogura,
D. Takeuchi,
S. Yamasaki,
M. Hatano.
Normally-off operation of diamond junction FETs,
Hasselt Diamond Workshop 2015,
Feb. 2014.
国内会議発表 (査読有り)
-
田原康佐,
岩崎孝之,
松谷晃宏,
波多野睦子.
フッ化グラフェン中のスピン緩和,
第28回ダイヤモンドシンポジウム,
Nov. 2014.
-
佐藤一樹,
岩崎孝之,
清水麻希,
加藤宙光,
牧野俊晴,
小倉政彦,
竹内大輔,
山崎 聡,
中村新一,
澤邊厚仁,
波多野睦子.
(111)基板上の横型p-n接合ダイオードの作製と評価,
第28回ダイヤモンドシンポジウム,
Nov. 2014.
-
矢板潤也,
岩崎孝之,
M.Natal,
S.E. Saddow,
波多野睦子.
先端放電型プラズマCVDを用いた3C-SiC/Si上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長,
第28回ダイヤモンドシンポジウム,
Nov. 2014.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
-
長谷川淳一,
須藤建瑠,
岩崎孝之,
小寺哲夫,
古橋壮之,
野口宗隆,
中田修平,
西村正,
波多野睦子.
DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価,
第75回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
矢板潤也,
岩崎孝之,
Meralys Natal,
Steven E. Saddow,
波多野睦子.
先端放電型プラズマCVDを用いた3C-SiC(001)/Si(001)ウェハ上への高配向ダイヤモンド薄膜合成,
第75回ダ応用物理学会秋季学術講演会,,
Sept. 2014.
-
佐藤一樹,
岩崎孝之,
清水麻希,
加藤宙光,
牧野俊晴,
小倉政彦,
竹内大輔,
山崎聡,
中村新一,
澤邊厚仁,
波多野睦子.
(111)基板上のダイヤモンド横型p-n接合の作製,
第75回ダ応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
赤羽俊之輔,
Jun Tae Song,
Renato Goes Amici,
三宅景子,
加藤正史,
岩崎孝之,
波多野睦子.
高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発,
第75回ダ応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
Song JunTae,
赤羽 俊之輔,
R. G. Amici,
岩崎 孝之,
波多野 睦子.
Photoelectrochemical CO2 reduction on 3C-SiC photo-anode,
第75回ダ応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
赤羽俊之輔,
Jun Tae Song,
Renato Goes Amici,
三宅景子,
加藤正史,
岩崎孝之,
波多野睦子.
”高安定、高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発,
第75回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
Jun Tae Song,
Sunnosuke Akabane,
Renato Goes Amici,
Takayuki Iwasaki,
Mutsuko Hatano.
Photoelectrochemical Co2 reduction on 3C-SiC photoanode,
Sept. 2014.
-
長谷川淳一,
野口宗隆,
中田修平,
須藤建瑠,
岩崎孝之,
小寺哲夫,
古橋壮之,
西村正,
波多野睦子.
DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価,
第75回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
-
岩崎孝之.
ダイヤモンド接合型電界効果トランジスタ(JFET)の開発,
散逸ゆらぎ制御ナノ電子フォトン国際研究拠点 Core-to-Core若手研究者育成プログラムセミナー,
July 2014.
-
矢板 潤也,
岩崎 孝之,
S.E.Saddow,
波多野 睦子.
先端放電型プラズマCVDを用いたb-SiC上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2014.
-
成木 航,
田原 康佐,
岩崎孝之,
古山聡子,
松谷晃宏,
波多野睦子.
横型フッ化グラフェン‐グラフェンヘテロ構造の作製,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2014.
-
古山 聡子,
岩崎 孝之,
波多野 睦子.
ボトムアップ法を用いたダイヤモンドの選択成長,
第61回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2014.
特許など
-
岩崎孝之,
波多野睦子,
長町 信治,
犬伏 俊郎 .
蛍光ダイヤモンド及びその製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, 国立大学法人滋賀医科大学.
2014/12/22.
特願2014-259175.
2016/06/30.
特開2016-117852.
特許第6392109号.
2018/08/31
2018.
-
波多野睦子,
岩崎孝之,
加藤 宙光,
牧野 俊晴,
小倉 政彦,
竹内 大輔,
山崎 聡.
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, 独立行政法人産業技術総合研究所.
2012/08/17.
特願2012-180956.
2014/02/27.
特開2014-038953.
2014.
Feb.
[ BibTeX 形式で保存 ]
[ 論文・著書をCSV形式で保存
]
[ 特許をCSV形式で保存
]
|