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畑山智裕 研究業績一覧 (11件)
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論文
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Shiro Hino,
Tomohiro Hatayama,
Jun Kato,
Naruhisa Miura,
Tatsuo Oomori,
Eisuke Tokumitsu.
Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure,
ICSCRM2007,
Materials Science Forum,
vol. 600-603,
pp. 683-686,
Feb. 2009.
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Tomohiro Hatayama,
Shiro Hino,
Naruhisa Miura,
Tatsuo Oomori,
Eisuke Tokumitsu.
Remarkable Increase in the Channel Mobility of SiC-MOSFETs by Controlling the Interfacial SiO2 Layer Between Al2O3 and SiC,
IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol. 55,
No. 8,
pp. 2041-2045,
Aug. 2008.
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S.Hino,
Tomohiro Hatayama,
J.Kato,
E.Tokumitsu,
N.Miura,
T.Oomori.
High channel mobility 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low temperature metal-organic chemical-vapor deposition grown Al2O3 gate insulator,
Applied Physics Letters,
Vol. 92,
No. 183503,
pp. 1-2,
June 2008.
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Shiro Hino,
Tomohiro Hatayama,
Naruhisa Miura,
Tatsuo Oomori,
Eisuke Tokumitsu.
Fabrication and Charactarization of 4H-SiC MOSFET with MOCVD-grown Al2O3 Gate Insulator,
Materials Science Forum,
Vol. 556-557,
pp. 787-790,
Oct. 2007.
国際会議発表 (査読有り)
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S.Hino,
Tomohiro Hatayama,
J.Kato,
N. Miura,
T.Oomori,
E.Tokumitsu.
Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure,
International Conference on Silicon Barbide and Related Materials 2007,
No. We-2A-2,
Oct. 2007.
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Tomohiro Hatayama,
Shiro Hino,
Shio Hagiwara,
Eisuke Tokumitsu.
Preparation of Al2O3 Thin Films on SiC by Metal Organic Chemical Vapor Deposition,
2006 Spring meeting, Materials Research Society,
pp. Paper B5.10,
Apr. 2006.
国内会議発表 (査読有り)
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日野史郎,
畑山 智裕,
加藤潤,
守谷仁,
三浦 成久,
大森 達夫,
徳光永輔.
極薄膜酸化膜を用いたAl2O3/SiC MOSFETのチャネル移動度の向上(Ⅱ),
第68回 応用物理学会学術講演会,
第68回 応用物理学会学術講演会,
No. 6p-ZN-9/Ⅰ,
Sept. 2007.
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畑山 智裕,
日野史郎,
加藤潤,
徳光永輔,
三浦 成久,
大森 達夫.
極薄酸化膜を用いたAl2O3/SiC-MOSFETのチャネル移動度の向上,
第54回応用物理学関係連合講演会,
No. 29a-N-3,
Mar. 2007.
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日野史郎,
畑山 智裕,
加藤潤,
徳光永輔,
三浦 成久,
大森 達夫.
Al2O3/SiC-MOSFETトランジスタ特性のAl2O3堆積温度依存性,
第54回応用物理学関係連合講演会,
No. 29a-N-4,
Mar. 2007.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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日野史郎,
畑山智裕,
徳光永輔,
三浦成久,
大森達夫.
MOCVD法により形成したAl2O3薄膜をゲート絶縁膜とする4H-SiC MOS-FETの作製と評価,
第67回応用物理学会学術講演会,
第67回応用物理学会学術講演会,
No. 31a-ZG-10,
Aug. 2006.
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日野史郎,
畑山智裕,
徳光永輔,
三浦成久,
大森達夫.
MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価,
信学技報, 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー, IEICE Technical Report、SDM2006-42,
Vol. 106,
No. 108,
pp. 1-5,
June 2006.
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