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加藤潤 研究業績一覧 (7件)
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論文
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Shiro Hino,
Tomohiro Hatayama,
Jun Kato,
Naruhisa Miura,
Tatsuo Oomori,
Eisuke Tokumitsu.
Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al2O3/SiOx/SiC Gate Structure,
ICSCRM2007,
Materials Science Forum,
vol. 600-603,
pp. 683-686,
Feb. 2009.
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S.Hino,
Tomohiro Hatayama,
J.Kato,
E.Tokumitsu,
N.Miura,
T.Oomori.
High channel mobility 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low temperature metal-organic chemical-vapor deposition grown Al2O3 gate insulator,
Applied Physics Letters,
Vol. 92,
No. 183503,
pp. 1-2,
June 2008.
国際会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読有り)
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加藤潤,
日野史郎,
三浦 成久,
大森 達夫,
徳光永輔.
低温堆積Al2O3を用いたSiC MOSFETのアニールによる電気的特性の変化,
第68回 応用物理学関係連合講演会,
第68回 応用物理学関係連合講演会,
No. 6p-ZN-10/I,
Sept. 2007.
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日野史郎,
畑山 智裕,
加藤潤,
守谷仁,
三浦 成久,
大森 達夫,
徳光永輔.
極薄膜酸化膜を用いたAl2O3/SiC MOSFETのチャネル移動度の向上(Ⅱ),
第68回 応用物理学会学術講演会,
第68回 応用物理学会学術講演会,
No. 6p-ZN-9/Ⅰ,
Sept. 2007.
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畑山 智裕,
日野史郎,
加藤潤,
徳光永輔,
三浦 成久,
大森 達夫.
極薄酸化膜を用いたAl2O3/SiC-MOSFETのチャネル移動度の向上,
第54回応用物理学関係連合講演会,
No. 29a-N-3,
Mar. 2007.
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日野史郎,
畑山 智裕,
加藤潤,
徳光永輔,
三浦 成久,
大森 達夫.
Al2O3/SiC-MOSFETトランジスタ特性のAl2O3堆積温度依存性,
第54回応用物理学関係連合講演会,
No. 29a-N-4,
Mar. 2007.
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