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Publication List - YASUYUKI MIYAMOTO 2014 (23 / 477 entries)
Journal Paper
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K. Ohsawa,
A. Kato,
T. Kanazawa,
E. Uehara,
Y. Miyamoto.
Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density,
IEICE Electronics Express,
vol. 11,
No. 14,
pp. 1-5,
July 2014.
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Y. Atsumi,
N. Taksatorn,
N. Nishiyama,
Y. Miyamoto,
S. Arai.
Loss reduction of Si optical waveguides by beam step-size fracturing technique in electron beam lithography,
Japanese Journal of Applied Physics,
JSAP,
Vol. 53,
No. 6,
p. 06JB04,
May 2014.
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M. Yamada,
K. Uchida,
Y. Miyamoto.
Delay time component of InGaAs MOSFET caused by dynamic source resistance,
IEICE Trans. Electron,
Vol. E97-C,
No. 5,
pp. 419-422,
May 2014.
International Conference (Reviewed)
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R. Yamanaka,
T. Kanazawa,
E. Yagyu,
Y. Miyamoto.
Normally-off AlGaN/GaN HEMT using Digital Etching Technique,
2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC),
Nov. 2014.
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K. Ohashi,
M. Fujimatsu,
Y. Miyamoto.
Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs Double Gate Vertical Tunnel FETs,
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
Sept. 2014.
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Tomohiro Amemiya,
Toru Kanazawa,
Atsushi Ishikawa,
JoonHyun Kang,
Nobuhiko Nishiyama,
YASUYUKI MIYAMOTO,
Takuo Tanaka,
SHIGEHISA ARAI.
(Invited) Meta-photonics for Advanced InP-based Photonic Integration,
the Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014,
No. Day1. p.85,
June 2014.
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Y. Mishima,
T. Kanazawa,
H. Kinoshita,
E. Uehara,
Y. Miyamoto.
InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain,
72nd Device Research Conference (DRC),
June 2014.
International Conference (Not reviewed / Unknown)
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
Y. Yonai,
K. Ohsawa,
Y. Mishima,
T. Irisawa,
M. Oda,
T. Tezuka.
(Invited) Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs,
72nd Device Research Conference (DRC),
June 2014.
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
Y. Yonai,
A. Kato,
M. Fujimatsu,
M. Kashiwano,
K. Ohsawa,
K. Ohashi.
(Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications,
26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014),
May 2014.
Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)
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Ryota Yamanaka,
Toru Kanazawa,
柳生栄治,
YASUYUKI MIYAMOTO.
デジタルエッチングを用いたGaN HEMTのノーマリーオフ化,
第75回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
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Kazumi Ohashi,
Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける SSとON電流のボディ幅依存性,
第75回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2014.
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YASUYUKI MIYAMOTO.
低消費電力と高速動作を両立させるInP系電子デバイス,
電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ大会,
エレクトロニクスソサエティ受賞記念講演,
Sept. 2014.
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Tomohiro Amemiya,
Toru Kanazawa,
Atsushi Ishikawa,
JoonHyun Kang,
Zhichen Gu,
Nobuhiko Nishiyama,
YASUYUKI MIYAMOTO,
Takuo Tanaka,
SHIGEHISA ARAI.
[依頼講演]透磁率制御メタマテリアルを装荷した光変調器,
電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会,
Sept. 2014.
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Kazumi Ohashi,
Motohiko Fujimatsu,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証,
電子情報通信学会 電子デバイス研究会,
IEICE Technical Report,
Aug. 2014.
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YASUYUKI MIYAMOTO,
Toru Kanazawa,
Yosiharu Yonai,
atsushi kato,
Motohiko Fujimatsu,
Masashi Kashiwano,
Kazuto Ohsawa,
Kazumi Ohashi.
低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造,
電子情報通信学会 電子デバイス研究会,
IEICE Technical Report,
Aug. 2014.
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Yuutarou Yamaguchi,
大石敏之,
大塚浩志,
山中宏治,
TeoKoonHoo,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析,
第61回春季応用物理学会学術講演会,
Mar. 2014.
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大石敏之,
Yuutarou Yamaguchi,
大塚浩志,
山中宏治,
野上洋一,
福本宏,
YASUYUKI MIYAMOTO.
GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル,
第61回春季応用物理学会学術講演会,
Mar. 2014.
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入澤寿史,
小田穣,
池田圭司,
守山佳彦,
三枝栄子,
JevaswanWipakorn,
前田辰朗,
市川麿,
長田剛規,
YASUYUKI MIYAMOTO,
秦雅彦,
手塚勉.
MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET,
電気学会電子デバイス研究会,
Mar. 2014.
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Yuichi Mishima,
Toru Kanazawa,
Haruki Kinoshita,
Eiji Uehara,
YASUYUKI MIYAMOTO.
再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET,
第61回春季応用 物理学会学術講演会,
Mar. 2014.
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入澤寿史,
小田穣,
池田圭司,
守山佳彦,
三枝栄子,
JevaswanWipakorn,
前田辰朗,
市川麿,
長田剛規,
YASUYUKI MIYAMOTO,
秦雅彦,
手塚勉.
高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET,
第61回春季応用物理学会学術講演会,
Mar. 2014.
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Toru Kanazawa,
Yuichi Mishima,
Haruki Kinoshita,
Eiji Uehara,
YASUYUKI MIYAMOTO.
MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET,
電子情報通信学 会 電子デバイス研究会,
IEICE technical report,
Jan. 2014.
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入澤寿史,
小田穣,
池田圭司,
守山佳彦,
三枝栄子,
JevaswanWipakorn,
前田辰朗,
市川麿,
長田剛規,
YASUYUKI MIYAMOTO,
秦雅彦,
手塚勉.
MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFET,
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会,
Jan. 2014.
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