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坂本拓朗 研究業績一覧 (13件)
論文
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Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Takuro Sakamoto,
Haruki Tanigawa,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Sulfurization even through Al2O3 Passivation Film Simultaneously Preventing Oxidation,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP),
Vol. 59,
No. 10,
Page 105501,
Sept. 2020.
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Kentaro Matsuura,
Masaya Hamada,
Takuya Hamada,
Haruki Tanigawa,
Takuro Sakamoto,
Atsushi Hori,
Iriya Muneta,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo.
Normally-off sputtered-MoS2 nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) (Rapid Communication),
Vol. 59,
No. 8,
Page 80906,
Aug. 2020.
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Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Takuro Sakamoto,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
High Hall-Effect Mobility of Large-Area Atomic-Layered Polycrystalline ZrS2 Film using UHV RF Magnetron Sputtering and Sulfurization,
Journal of the Electron Devices Society (J-EDS),
IEEE,
Vol. 7,
No. 1,
pp. 1258-1263,
Dec. 2019.
国際会議発表 (査読有り)
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Ryunosuke Otsuki,
Yuta Suzuki,
Takuro Sakamoto,
Takanori Shirokura,
Iriya Muneta,
Masahiro Nagao,
Hitoshi Wakabayashi,
Nobuyuki Ikarashi.
Structural analysis of MoS2 films fabricated by radiofrequency sputtering using highangle annular dark field scanning transmission electron microscopy,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019),
Nov. 2019.
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K. Matsuura,
M. Hamada,
T. Hamada,
H. Tanigawa,
T. Sakamoto,
W. Cao,
K. Parto,
A. Hori,
I. Muneta,
T. Kawanago,
K. Kakushima,
K. Tsutsui,
A. Ogura,
K. Banerjee,
H. Wakabayashi.
Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration,
Int. Workshop on Juction Technology (IWJT2019),
June 2019.
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Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Takuro Sakamoto,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing,
3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019),
Mar. 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
濱田 拓也,
谷川 晴紀,
坂本 拓朗,
堀 敦,
宗田 伊理也,
川那子 高暢,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs,
第67回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2020.
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松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
坂本 拓朗,
谷川 晴紀,
宗田 伊理也,
石原 聖也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減,
第66回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2019.
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松浦賢太朗,
清水淳一,
外山真矢人,
大橋匠,
坂本拓朗,
宗田伊理也,
石原聖也,
角嶋邦之,
筒井一生,
小椋厚志,
若林整.
大面積集積化に向けたスパッタ二次元半導体 MoS2 薄膜のTop-gate nMISFETs チャネル応用,
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第216回研究集会,
Feb. 2019.
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谷川 晴紀,
松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
坂本 拓朗,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2018.
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五十嵐 智,
松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
谷川 晴紀,
坂本 拓朗,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2018.
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大橋 匠,
坂本 拓朗,
松浦 賢太朗,
清水 淳一,
外山 真矢人,
石原 聖也,
日比野 祐介,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2018.
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坂本 拓朗,
大橋 匠,
松浦 賢太朗,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減,
Mar. 2018.
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