論文

• 後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎. 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響, 電子情報通信学会技術研究報告 信学技報, vol. 113, no. 176, pp. 37-42, Aug. 2013.
• Miyuki Kouda, 鈴木 拓也, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Electrical Properties of CeO2/La2O3 Stacked Gate Dielectrics Fabricated by Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 51, pp. 121101-1-121101-5,, Dec. 2012.
• Miyuki Kouda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, ト部友二, 安田哲二. Preparation and Electrical Characterization of CeO2 Films for Gate Dielectrics Application: Comparative Study of Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition Processes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PA06-1-4, Oct. 2011.
• Miyuki Kouda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI, ト部友二, 安田哲二. Preparation and Electrical Characterization of CeO2 Films for Gate Dielectrics Application: Comparative Study of Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition Processes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 10, pp. 10PA06-1-4, Oct. 2011.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Takuya Suzuki, Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Formation and electrical characterization of MgO - incorporated La2O3 gate insulators by ALD, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, 2013.
• 鈴木 拓也, Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Formation and electrical characterization of MgO - incorporated La2O3 gate insulators by ALD, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.
• Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, HIROSHI IWAI, 安田哲二. Comparative study of CeO2 gate dielectrics using chemical vapor deposition and atomic layer deposition, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. La2O3 のALD成長のための原料選択：シクロペンタジエニル錯体とアミディネート錯体の比較, ゲートスタック研究会－材料･プロセス・評価の物理－（第16回研究会）, 2011.
• 鈴木 拓也, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, 安田哲二. ALDによるMgO添加La2O3ゲート絶縁膜の形成及び電気特性評価, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. La(iPrCp)3 を原料としたLa2O3のALD: Self-limiting 成長条件の明確化, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 幸田みゆき, 小澤健児, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部 友二, 安田 哲二. CVD法によるCeOx絶縁膜の作製と特性評価, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 小澤健児, 幸田みゆき, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. Self-limited growth of La oxides with ALD, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• 幸田みゆき, 小澤健児, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋, ト部友二, 安田哲二. Electrical characterization of CVD deposited Ce oxides, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

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