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角嶋邦之 2007年 研究業績一覧 (23件 / 817件)
論文
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Yusuke Kobayashi,
C. Raghunathan Manoj,
Kazuo Tsutsui,
Venkanarayan Hariharan,
Kuniyuki Kakushima,
V.Ramgopal Rao,
Parhat Ahmet,
Hiroshi Iwai.
Parasitic Effects in Multi-Gate MOSFETs,
IEICE TRANS. ELECTRON,
Vol. E90-C,
No. 10,
pp. 2051-2056,
Oct. 2007.
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Y.C. Ong,
D.S. Ang,
K.L. Pey,
S.J. O'Shea,
K.E.J. Goh,
C. Troadec,
C.H. Thung,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
HIROSHI IWAI.
Bilayer gate dielectric study by scanning tunneling microscopy,
APPLIED PHYSICS LETTERS,
Vol. 91,
pp. 102905,,
2007.
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Takamasa Kawanago,
Kiichi Tachi,
Jaeyeol Song,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Ahmet Parhat,
KAZUO TSUTSUI,
Nobuyuki Sugii,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Electrical characterization of directly deposited La-Sc oxides complex for gate insulator application,
Microelectronic Engineering,
Vol. 84,
pp. 2335-2338,
2007.
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Jaeyeol Song,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Ahmet Parhat,
KAZUO TSUTSUI,
Nobuyuki Sugii,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Improvement of interfacial properties with interfacial layer in La2O3 / Ge structure,
Microelectronic Engineering,
Vol. 84,
pp. 2336-2339,
2007.
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Soshi Sato,
Kiichi Tachi,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Ahmet Parhat,
KAZUO TSUTSUI,
Nobuyuki Sugii,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Thermal-stability improvement of LaON thin film formed using nitrogen radicals,
Microelectronic Engineering,
Vol. 84,
pp. 1894-1897,
2007.
国際会議発表 (査読有り)
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Kuniyuki Kakushima,
Kouichi Okamoto,
Manabu Adachi,
Kiichi Tachi,
Jaeyeol Song,
Soushi Sato,
Takamasa Kawanago,
Parhat Ahmet,
Kazuo Tsutsui,
Nobuyuki Sugii,
Takeo Hattori,
Hiroshi Iwai.
Band Bending Measurement of HfO2/SiO2/Si Capacitor with ultra-thin La2O3 Insertion by XPS,
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007),
Nov. 2007.
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K.Tachi,
K.Kakushima,
P.Ahmet,
K.Tsutsui,
N.Sugii,
T.Hattori,
H.Iwai.
Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Usin AI Capping Layer,
ECS Transactions,
The Electrochmical Society,
Vol. 11,
No. 4,
pp. 191-198,
Oct. 2007.
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K.Tsutsui,
K.Nagahiro,
T.Shiozawa,
P.Ahmet,
K.Kakushima,
H.Iwai.
Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes,
ECS Transactions:ULSI Process Integration 5,
The Electrochemical Society,
Vol. 11,
No. 6,
pp. 207-213,
Oct. 2007.
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[323] K.Tsutsui,
K.Nagahiro,
T.Shiozawa,
P.Ahmet,
K.Kakushima,
H.Iwai.
Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes,
ECS 212th Meeting,
Vol. 11,
No. 6,
pp. 207-213,
Oct. 2007.
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M.Adachi,
K.Okamoto,
K.Kakushima,
P.Ahmet,
K.Tsutsui,
N.Sugii,
T.Hattori,
H.Iwai.
Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors,
ECS Transactions:Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 5,
The Electrochemikal Society,
Vol. 11,
No. 4,
pp. 157-167,
Oct. 2007.
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[320] Koichi Okamoto,
Manabu Adachi,
Kuniyuki Kakushima,
Parhat Ahmet,
Nobuyuki Sugii,
Kazuo Tsutsui,
Takeo Hattori,
Hiroshi Iwai.
Effective Control of Flat-band Voltage in HfO2 Gate Dielectric with La2O3 Incorporation,
ESSDERC 2007,
Sept. 2007.
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Takashi Shiozawa,
Koji Nagahiro,
Kazuo Tsutsui,
Parhat Ahmet,
Kuniyuki Kakushima,
Hiroshi Iwai.
Improvement of Thermal Stability of Ni Silicide by Al Interlayer Deposition,
ECS-ISTC2007,
May 2007.
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Y. Kobayashi,
K. Tsutsui,
K. Kakushima,
V. Hariharan,
V. R. Rao,
P. Ahmet,
H. Iwai.
Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs,
211th ECS Meeting,
May 2007.
国内会議発表 (査読有り)
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日野雅文,
角嶋 邦之,
パールハット アヘメト,
筒井 一生,
杉井 信之,
服部 健雄,
岩井 洋.
HfO2/ La2O3のゲート絶縁膜を用いたSi-MOSFETの電気特性,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
Nov. 2007.
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岡本晃一,
足立学,
角嶋邦之,
パールハット・アヘメト,
杉井信之,
筒井一生,
服部健雄,
岩井洋.
HfO2/Si 界面へのLa2O3 サブモノレイヤー添加による電気特性の変化,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集,
pp. 820,
Sept. 2007.
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藤澤 宏樹,
舘 喜一,
角嶋 邦之,
パールハット・アヘメト,
筒井 一生,
杉井 信之,
服部 健雄,
岩井 洋.
Alキャップ層がW/La2O3/Si MOS構造の電気特性に及ぼす影響,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集,
pp. 821,
Sept. 2007.
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小林勇介,
角嶋邦之,
パールハット・アヘメト,
V. R. ラオ,
筒井一生,
岩井洋.
ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集,
pp. 880,
Sept. 2007.
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宋在烈,
角嶋邦之,
パールハット・アヘメト,
筒井一生,
杉井信之,
服部健雄,
岩井洋.
La2O3/Ge MIS 構造における微量Si 界面層導入による電気特性の変化,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2007.
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幸田みゆき,
川那子高暢,
角嶋邦之,
パールハット・アヘメト,
筒井一生,
杉井信之,
服部健雄,
岩井洋.
Sc2O3ゲート絶縁膜のリーク電流機構の解析,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
秋季第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集,
pp. 820,
Sept. 2007.
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上村 英之,
足立 学,
角嶋 邦之,
パールハット アヘメト,
筒井 一生,
杉井 信之,
服部 健雄,
岩井 洋.
HfO2/SiO2 界面へのSc2O3 添加によるフラットバンド電圧シフト,
秋季第68回応用物理学会学術講演会,
秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集,
pp. 820,
Sept. 2007.
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佐藤創志,
舘喜一,
宋在烈,
角嶋邦之,
パールハットアヘメト,
筒井一生,
杉井信之,
服部健雄,
岩井洋.
ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメモリ技術),
電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス,
電子情報通信学会,
Vol. 107,
No. 85,
pp. 71-74,
May 2007.
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小林勇介,
筒井一生,
角嶋邦之,
V. Hariharan,
V.R. Rao,
パールハットアヘメト,
岩井洋.
FinFETのSpacer領域形状変化のデバイス特性への影響,
春季第54回応用物理学会学術講演会,
春季第54回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
No. 02,
pp. 924,
Mar. 2007.
特許など
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Parhat AHMET,
岩井洋,
筒井一生,
角嶋邦之,
服部 健雄,
知京 豊裕.
半導体装置及びコンデンサ.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, 独立行政法人 物質・材料研究機構.
2007/03/06.
特願2007-056151.
2008/09/18.
特開2008-218827.
2008.
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岩井洋,
筒井一生,
Parhat AHMET,
角嶋邦之,
松元 道一,
奥野 泰利,
久保田 正文,
上田 誠二.
半導体装置及びその製造方法.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, 松下電器産業 株式会社.
2006/05/30.
特願2006-149763.
2007/12/13.
特開2007-324187.
2007.
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