論文

• W Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor, Jpn. J. Appl. Phys, 58, SBBH02 (2019), Jan. 2019.
• Seiko Netsu, Toru Kanazawa, Teerayut Uwanno, Tomohiro Amemiya, Kosuke Nagashio, Yasuyuki Miyamoto. Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors, IEICE Transactions on Electronics, Vol. E101-C, No. 5, pp. 338-342, May 2018.  公式リンク  
  
• S. Netsu, M. Hellenbrand, C. B. Zota, Y. Miyamoto, E. Lind. A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-gate MOSFETs, IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 6, issue. 1, pp. 408-412 (2018)., Feb. 2018.
• K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, Y. Miyamoto. Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 56, no. 4S, 04CG05 2017, Mar. 2017.

国際会議発表 (査読有り)

• W. Zhang, S. Netsu, T.Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), M-7-03, Sept. 2018.
• Seiko Netsu, Toru Kanazawa, Vikrant Upadhyaya, Teerayut Uwanno, Tomohiro Amemiya, Kosuke Nagashio, Yasuyuki Miyamoto. Type II HfS2/MoS2 heterojunction Tunnel FET, 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017), No. 6-3, Aug. 2017.
• H.Kinoshita, S.Netsu, Y.mishima, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Aug. 2015.
• S. Netsu, T. Kanazawa, Y. Miyamoto. Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, July 2015.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 張 文倫, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 雨宮 智宏, 宮本 恭幸. 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-212B-5, Sept. 2018.
• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 祢津 誠晃, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける界面準位の導入による性能の劣化, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-6, Sept. 2018.
• 祢津 誠晃, ⾦澤 徹, ⾬宮 智宏, 宮本 恭幸. HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7p-C11-16, Sept. 2017.
• 大澤 一斗, 野口 真司, 祢津 誠晃, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. [16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 祢津 誠晃, 金澤 徹, Vikrant Upadhyaya, ウワンノー ティーラユット, 雨宮 智宏, 長汐 晃輔, 宮本 恭幸. Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-F203-4, Mar. 2017.
• 金澤 徹, 雨宮 智宏, 祢津 誠晃, Vikrant Upadhyaya, 福田 浩一, 宮本 恭幸. HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-F203-3, Mar. 2017.
• 大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸. HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 信学技報, vol. 116, no. 431, pp. 35-40, Jan. 2017.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22p-W541-5, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. [22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-9, Sept. 2015.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As界 面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.

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