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木瀬信和 研究業績一覧 (23件)
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論文
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
N. Kise,
H. Kinoshita,
K. Ohsawa.
Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs,
J. Crystal Growth,
vol. 522,
(2019)11-15,
Sept. 2019.
公式リンク
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R. Aonuma,
N. Kise,
Y. Miyamoto.
GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FET with a subthreshold slope of 56 mV/dec at room temperature,
Jpn. J. Appl. Phys.,
58, SBBA08 (2019),
Mar. 2019.
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K. Ohsawa,
S. Netsu,
N. Kise,
S. Noguchi,
Y. Miyamoto.
Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 56,
no. 4S,
04CG05 2017,
Mar. 2017.
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Nobukazu Kise,
Haruki Kinoshita,
Atsushi Yukimachi,
Toru Kanazawa,
Yasuyuki Miyamoto.
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain,
Solid-State Electronics,
Vol. 126,
pp. 92-95,
Sept. 2016.
公式リンク
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Miyamoto,
N. Kise,
R. Aonuma.
GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters,
2018 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS),
P7,
Nov. 2018.
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R. Aonuma,
N. Kise,
Y. Miyamoto.
Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator,
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018),
PS-1-14,
Sept. 2018.
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Y.Miyamoto,
T. Kanazawa,
N. Kise,
H. Kinoshita,
Kazuto Ohsawa.
Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET,
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX),
P2-32,
June 2018.
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Toru Kanazawa,
Kazuto Ohsawa,
Tomohiro Amemiya,
Nobukazu Kise,
Ryosuke Aonuma,
Yasuyuki Miyamoto.
Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source,
Compound Semiconductor Week (CSW2018),
We3C3.2,
May 2018.
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N. Kise,
S. Iwata,
R. Aonuma,
K. Ohsawa,
Y. Miyamoto.
GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature,
Compound Semiconductor Week 2017,
C804,
May 2017.
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K. Ohsawa,
N. Kise,
Y. Miyamoto.
Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks,
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),
Sept. 2016.
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Haruki Kinoshita,
Nobukazu Kise,
Atsushi Yukimachi,
Toru Kanazawa,
Yasuyuki Miyamoto.
Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain,
Compound Semiconductor Week (CSW2016),
TuD4-2,
June 2016.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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青沼 遼介,
木瀬 信和,
宮本 恭幸.
Al2O3/ZrO2ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
21p-331-7,
Sept. 2018.
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木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
18p-C302-12,
Mar. 2018.
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金澤 徹,
大澤 一斗,
雨宮 智宏,
木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
InGaAsナノシートトランジスタの作製,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
18a-G203-3,
Mar. 2018.
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⼤澤 ⼀⽃,
⾦澤 徹,
⽊瀬 信和,
⾬宮 智宏,
宮本 恭幸.
InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発,
第78回応用物理学会秋季学術講演会,
No. 8a-S22-2,
Sept. 2017.
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木瀬 信和,
岩田 真次郎,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
[8a-S22-1] 68mV/decのSSをもつGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFET,
第78回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2017.
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大澤 一斗,
野口 真司,
祢津 誠晃,
木瀬 信和,
宮本 恭幸.
[16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2017.
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岩田 真次郎,
木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
[16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2017.
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青沼遼介,
岩田真次郎,
木瀬信和,
宮本恭幸.
68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET,
電気学会電子デバイス研究会,
EDD-17-051,
Mar. 2017.
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大澤一斗,
野口真司,
祢津誠晃,
木瀬信和,
宮本恭幸.
HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響,
電子情報通信学会電子デバイス研究会,
信学技報,
vol. 116,
no. 431,
pp. 35-40,
Jan. 2017.
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大澤 一斗,
木瀬 信和,
宮本 恭幸.
15p-B9-10 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性,
第77回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2016.
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木下 治紀,
木瀬 信和,
祢津 誠晃,
金澤 徹,
宮本 恭幸.
再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作,
第63回応用物理学会春季学術講演会,
22p-W541-5,
Mar. 2016.
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木下 治紀,
木瀬 信和,
祢津 誠晃,
金澤 徹,
宮本 恭幸.
[22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作,
第63回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2016.
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