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安岡慎之介 研究業績一覧 (48件)
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論文
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Reika Ota,
Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Takahisa Shiraishi,
Kazuki Okamoto,
Kuniyuki Kakushima,
Tomoyuki Koganezawa,
Osami Sakata,
Hiroshi Funakubo.
Scalable ferroelectricity of 20-nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films sandwiched between TiN electrodes,
J. Appl. Phys.,
vol. 134,
pp. 214103-1-6,
Dec. 2023.
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Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Reika Ota,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Kazuki Okamoto,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.2Sc0.8)N film with frequency and temperature,
Appl. Phys. Lett.,
vol. 123,
pp. 202902,
Nov. 2023.
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Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Reika Ota,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Tunable Ferroelectric Properties in Wurtzite (Al0.8Sc0.2)N via Crystal Anisotropy,
ACS Appl. Electron. Mater.,
Vol. 4,
pp. 5165−5170,
Oct. 2022.
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Masato Uehara,
Ryoichi Mizutani,
Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Lower ferroelectric coercive field of ScGaN with equivalent remanent polarization as ScAlN,
Appl. Phys. Exp.,
Vol. 15,
pp. 081003-1-5,
July 2022.
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Shinnosuke YASUOKA,
Ryoichi MIZUTANI,
Reika OTA,
Takahisa SHIRAISHI,
Takao SHIMIZU,
Shintaro YASUI,
Yoshitaka EHARA,
Ken NISHIDA,
Masato UEHARA,
Hiroshi YAMADA,
Morito AKIYAMA,
Yasuhiko IMAI,
Osami SAKATA,
Hiroshi FUNAKUBO.
Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectricity by decreasing thickness in (Al,Sc)N films,
J. Ceram. Soc. Jpn.,
Vol. 130,
No. 7,
pp. 436-441,
July 2022.
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Masato Uehara,
Ryoichi Mizutani,
Shinnosuke Yasuoka,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Demonstration of ferroelectricity in GaN-based thin film,
Appl. Phys. Lett.,
Vol. 119,
pp. 172901-1-5,
Oct. 2021.
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Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Impact of deposition temperature on crystal structure and ferroelectric properties of (Al1-xScx)N films prepared by sputtering method,
Phys. Status Solidi A 2021,
pp. 2100302-1-6,
Sept. 2021.
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Ryoichi Mizutani,
Shinnosuke Yasuoka,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Osami Sakata,
Hiroshi Funakubo.
Thickness scaling of (Al0.8Sc0.2)N films with remanent polarization beyond 100 μC/cm2 around 10 nm in thickness,
Appl. Phys. Exp.,
Vol. 14,
pp. 105501,
Sept. 2021.
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Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Yoshiomi Hiranaga,
Yasuo Cho,
Hiroshi Funakubo.
Effects of deposition conditions on the ferroelectric properties of (Al1-xScx)N thin films,
J. Appl. Phys.,
vol. 128,
pp. 114103-1-11,
Sept. 2020.
国際会議発表 (査読有り)
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Masato Uehara,
Ryoichi Mizutani,
Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Demonstration of Ferroelectric Properties in GaN Alloyed with Sc,
2022 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Dec. 2022.
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Ryo Takahashi,
Yoshitaka Ehara,
Yosuke Hamasaki,
Shintaro Yasui,
Shinnosuke Yasuoka,
Hiroshi Funakubo,
Shinya Sawai,
Ken Nishida.
Crystal Structure and Electric Properties of (100) Ba(ZrxTi1-x)O3 Thin Films on MgO Substrates by Pulse Laser Deposition Technique,
2022 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Dec. 2022.
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Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Reika Ota,
Takahisa Shiraishi,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Hiroshi Funakubo.
Establishment of Control Method for Ferroelectric Properties in (Al1-xScx)N Films,
2022 MRS Spring Meeting & Exhibit,
May 2022.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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Hiroshi Funakubo,
Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Takahisa Shiraishi,
Akinori Tateyama,
Reika Ota,
Kazuki Okamoto,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama.
Thickness Scaling and Low Voltage Operation of Ferroelectric (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method,
2022 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Nov. 2022.
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Reika Ota,
Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Takahisa Shiraishi,
Kuniyuki Kakushima,
Hiroshi Funakubo.
Ferroelectricity of 20-nm Thick (Al0.8Sc0.2)N Thin Films with TiN Electrodes,
2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics,
Nov. 2022.
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Ryoichi Mizutani,
Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Hiroshi Funakubo.
Temperature dependence of ferroelectricity in (Al1-xScx)N thin films,
Dec. 2021.
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Hiroshi Funakubo,
Shinnosuke Yasuoka,
Ryoichi Mizutani,
Takahisa Shiraishi,
Akinori Tateyama,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Yoshiomi Hiranaga,
Yasuo Cho.
Control of Ferroelectric Property in (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method,
2021 MRS Fall Meeting & Exhibit,
Nov. 2021.
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Shinnosuke Yasuoka,
Takao Shimizu,
Masato Uehara,
Hiroshi Yamada,
Morito Akiyama,
Yoshiomi Hiranaga,
Yasuo Cho,
Hiroshi Funakubo.
Downscaling and low temperature deposition of ferroelectric (Al1-xScx)N thin films deposited by dual sputtering,
2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference,
May 2021.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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安岡 慎之介,
岡本 一輝,
清水 荘雄,
松井 尚子,
入澤 寿和,
恒川 孝二,
舟窪 浩.
種々の組成の(Al, Sc)N多層膜のスイッチング特性評価,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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茶谷那知,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
山岡和希子,
井上ゆか梨,
舟窪浩.
スパッタリング法によるHfO2-CeO2強誘電体厚膜の非加熱合成,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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安岡慎之介,
大田怜佳,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
NbN電極上に作製したエピタキシャル(Al, Sc)N膜の電気特性評価,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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前川芳輝,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
様々な基板上におけるY:HfO2エピタキシャル膜の合成と評価,
第70回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2023.
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前川芳輝,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
清水荘雄,
舟窪浩.
種々の基板上におけるHfO2基エピタキシャル膜の合成と評価,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
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中畑美紀,
岡本一輝,
胡雨弦,
安岡慎之介,
石濱圭佑,
舟窪浩.
正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜における圧電特性の膜厚依存性,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
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茶谷那知,
平井浩司,
安岡慎之介,
岡本一輝,
舟窪浩.
フレキシブルデバイスに向けたHfO2基強誘電体厚膜の室温合成と圧電性の評価,
第61回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2023.
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大田怜佳,
安岡慎之介,
岡本一輝,
上岡義弘,
楠瀬好郎,
召田雅実,
舟窪浩.
(Al1-x-yGaxScy)N薄膜の結晶構造および強誘電性,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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高橋良,
江原祥隆,
濵嵜容丞,
澤井眞也,
安井伸太郎,
安岡慎之介,
舟窪浩,
西田謙.
MgO基板上に製膜したBa(ZrxTi1-x)O3の結晶構造と誘電特性,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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上原雅人,
水谷涼一,
安岡慎之介,
清水荘雄,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
Sc添加GaN薄膜の強誘電性へのSc濃度と温度の影響,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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安岡慎之介,
大田怜佳,
岡本一輝,
石濱圭佑,
清水荘雄,
角嶋邦之,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
小金澤智之,
L. S. R. Kumara,
Okkyun Seo,
坂田修身,
舟窪浩.
メモリ応用に向けた(Al, Sc)N膜の薄膜化の検討,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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岡本一輝,
安岡慎之介,
大田怜佳,
舟窪浩,
松井尚子,
入澤寿和,
恒川孝二.
水素ガス熱処理が(Al,Sc)N 薄膜の強誘電特性へ及ぼす影響,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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安岡慎之介,
水谷涼一,
大田怜佳,
白石貴久,
清水荘雄,
安井伸太郎,
江原祥隆,
西田謙,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
今井康彦,
坂田修身,
舟窪浩.
薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上,
第69回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2022.
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大田怜佳,
安岡慎之介,
水谷涼一,
白石貴久,
舟窪浩.
種々の電極を用いた(Al1-x,Scx)N薄膜の強誘電性評価,
第69回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2022.
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安岡慎之介,
水谷涼一,
大田怜佳,
白石貴久,
清水荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
面内配向及び熱歪による(Al,Sc)N薄膜の強誘電特性の制御,
第69回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2022.
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安岡慎之介,
水谷涼一,
大田怜佳,
白石貴久,
清水荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
強誘電体(Al1-xScx)N薄膜の結晶構造と電気特性の関係,
第41回電子材料研究討論会,
Nov. 2021.
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水谷涼一,
安岡慎之介,
清水荘雄,
舟窪浩.
(ScxAl1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性,
第68回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2021.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
舟窪浩.
エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価,
第68回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2021.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
スパッタリング法で室温合成した(Al1-xScx)N膜の強誘電性評価,
第81回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2020.
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安岡 慎之介,
清水 荘雄,
上原雅人,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪 浩.
二次元スパッタリング法により作製した(Al1-xScx)N 薄膜の強誘電特性,
第37回強誘電体会議(FMA 37),
May 2020.
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上原雅人,
安岡慎之介,
清水荘雄,
山田浩志,
秋山守人,
舟窪浩.
スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
舟窪浩.
(Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
上原雅人,
舟窪浩.
二元同時スパッタリング法によるAl1-xScxN薄膜の作製と強誘電性評価,
第58回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2020.
その他の論文・著書など
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舟窪 浩,
安岡 慎之介,
水谷 涼一,
清水 荘雄.
ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性,
セラミックス,
Vol. 56,
No. 7,
pp. 443-446,
July 2021.
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舟窪 浩,
安岡 慎之介,
清水 荘雄.
ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性 ―強誘電体の脱ペロブスカイト構造酸化物―,
FINE CERAMICS REPORT 2021 夏号,
日本ファインセラミックス協会,
Vol. 39,
No. 3,
pp. 92-95,
July 2021.
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安岡慎之介,
清水荘雄,
舟窪浩.
窒化物圧電体膜の微構造評価,
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学,
令和元年度,
A-19-TU-0048,
Sept. 2020.
特許など
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舟窪浩,
白石貴久,
安岡慎之介,
水谷涼一,
大田怜佳,
召田 雅実 ,
楠瀬 好郎,
上岡 義弘 ,
末本 祐也 ,
飯浜 準也 .
窒化アルミニウムスカンジウム膜及び強誘電体素子.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, 東ソー株式会社.
2023/03/30.
PCT/JP2023/013181.
2023/10/05.
WO 2023/190869.
2023.
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舟窪浩,
清水荘雄,
安岡慎之介,
上原 雅人,
山田 浩志 ,
秋山 守人.
強誘電性薄膜、それを用いた電子素子および強誘電性薄膜の製造方法.
特許.
登録.
国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人産業技術総合研究所.
2020/12/25.
特願2021-567693.
特許第7260863号.
2023/04/11
2023.
学位論文
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Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method,
Summary,
Tokyo Institute of Technology,
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スパッタリング法で作製したウルツ鉱構造 (Al,Sc)N 薄膜の結晶構造と強誘電性に関する研究,
要約,
東京工業大学,
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Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method,
Thesis,
Tokyo Institute of Technology,
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