論文

• Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Takayoshi Katase, Tomoyuki Koganezawa, Tomotaka Nakatani, Rosantha Kumara, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo. High stability of the ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films, Appl. Phys. Lett., Vol. 125, pp. 032904, July 2024.
• Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Kazuki Okamoto, Kuniyuki Kakushima, Tomoyuki Koganezawa, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo. Scalable ferroelectricity of 20-nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films sandwiched between TiN electrodes, J. Appl. Phys., vol. 134, pp. 214103-1-6, Dec. 2023.
• Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.2Sc0.8)N film with frequency and temperature, Appl. Phys. Lett., vol. 123, pp. 202902, Nov. 2023.
• Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Tunable Ferroelectric Properties in Wurtzite (Al0.8Sc0.2)N via Crystal Anisotropy, ACS Appl. Electron. Mater., Vol. 4, pp. 5165−5170, Oct. 2022.
• Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Lower ferroelectric coercive field of ScGaN with equivalent remanent polarization as ScAlN, Appl. Phys. Exp., Vol. 15, pp. 081003-1-5, July 2022.
• Shinnosuke YASUOKA, Ryoichi MIZUTANI, Reika OTA, Takahisa SHIRAISHI, Takao SHIMIZU, Shintaro YASUI, Yoshitaka EHARA, Ken NISHIDA, Masato UEHARA, Hiroshi YAMADA, Morito AKIYAMA, Yasuhiko IMAI, Osami SAKATA, Hiroshi FUNAKUBO. Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectricity by decreasing thickness in (Al,Sc)N films, J. Ceram. Soc. Jpn., Vol. 130, No. 7, pp. 436-441, July 2022.
• Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Demonstration of ferroelectricity in GaN-based thin film, Appl. Phys. Lett., Vol. 119, pp. 172901-1-5, Oct. 2021.
• Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Impact of deposition temperature on crystal structure and ferroelectric properties of (Al1-xScx)N films prepared by sputtering method, Phys. Status Solidi A 2021, pp. 2100302-1-6, Sept. 2021.
• Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo. Thickness scaling of (Al0.8Sc0.2)N films with remanent polarization beyond 100 μC/cm2 around 10 nm in thickness, Appl. Phys. Exp., Vol. 14, pp. 105501, Sept. 2021.
• Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo. Effects of deposition conditions on the ferroelectric properties of (Al1-xScx)N thin films, J. Appl. Phys., vol. 128, pp. 114103-1-11, Sept. 2020.

国際会議発表 (査読有り)

• Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo. Ferroelectric Property Improvement of (Al1-x-yGaxScy)N Ternary Thin Films, 2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2023.
• Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Shintaro Yasui, Shinnosuke Yasuoka, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida. Influence of Thickness and Composition Dependence on Dielectric Tunability in Ba(ZrxTi1-x)O3 Films Grown on MgO Substrate, 2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2023.
• Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo. Characterization of Ferroelectric Switching Properties for (Al,Sc)N Films with Various Composition, 2023 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2023.
• Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shintaro Yasui, Shinnosuke Yasuoka, Hiroshi Funakubo, Shinya Sawai, Ken Nishida. Crystal Structure and Electric Properties of (100) Ba(ZrxTi1-x)O3 Thin Films on MgO Substrates by Pulse Laser Deposition Technique, 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Dec. 2022.
• Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Demonstration of Ferroelectric Properties in GaN Alloyed with Sc, 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Dec. 2022.
• Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo. Establishment of Control Method for Ferroelectric Properties in (Al1-xScx)N Films, 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit, May 2022.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Nachi Chaya, Koji Hirai, Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Wakiko Yamaoka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo. No heating deposition of CeO2-HfO2 ferroelectric thick films by sputtering method, MNC 2023 (36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference), Nov. 2023.
• Kazuki Okamoto, Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo. Crystal structure and electrical properties of (Al, Ga, Sc)N temary thin films prepared by RF sputtering, MNC 2023 (36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference), Nov. 2023.
• Riku Shikauchi, Zhongzheng Sun, Shinnosuke Yasuoka, Ryosuke Nitta, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima. Ferroelectric Tunnel Junctions based on AlScN, KJF-ICOMEP 2023 (KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2023), Aug. 2023.
• Hiroshi Funakubo, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Reika Ota, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama. Thickness Scaling and Low Voltage Operation of Ferroelectric (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method, 2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2022.
• Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Funakubo. Ferroelectricity of 20-nm Thick (Al0.8Sc0.2)N Thin Films with TiN Electrodes, 2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, Nov. 2022.
• Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo. Temperature dependence of ferroelectricity in (Al1-xScx)N thin films, Dec. 2021.
• Hiroshi Funakubo, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho. Control of Ferroelectric Property in (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method, 2021 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2021.
• Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo. Downscaling and low temperature deposition of ferroelectric (Al1-xScx)N thin films deposited by dual sputtering, 2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference, May 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 上原雅人, 平田研二, 中村美子, 安岡慎之介, スリ アユ アンガライニ, 岡本一輝, 山田浩志, 舟窪浩, 秋山守人. スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性, 第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024.
• 大田怜佳, 安岡慎之介, 中村美子, 岡本一輝, 原浩之, 正能大起, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩. Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響, 第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024.
• Nana SUN, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Soshun Doko, Hiroshi Funakubo. High stability of ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films, 第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024.
• 影山壮太郎, 岡本一輝, 安岡慎之介, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩. MgSiN2薄膜の作製と特性評価, 第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024.
• 髙橋良, 江原祥隆, 竹尾勇司, 濱嵜容丞, 澤井眞也, 平田靖透, 宮内良広, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙. チューナブルデバイス応用へ向けたBa(Zr,Ti)O3膜の作製と評価, 第62回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2024.
• 影山壮太郎, 岡本一輝, 安岡慎之介, 舟窪浩. スパッタリング法によるAlN-(Mg, Si)N膜の作製とその特性評価, 第62回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2024.
• Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo. Effect of gas annealing on the ferroelectric property of (Al0.8Sc0.2)N thin film, 第62回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2024.
• 舟窪浩, 茶谷那知, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 山岡和希子, 井上ゆか梨. スパッタリング法によるHfO2-CeO2強誘電体薄膜のYSZ基板上への非加熱合成, 第62回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2024.
• 高橋良, 江原祥隆, 濱嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙. MgO単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr,Ti)O3膜の結晶構造の膜厚及び組成依存性, 日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム, Sept. 2023.
• 安岡 慎之介, 岡本 一輝, 清水 荘雄, 松井 尚子, 入澤 寿和, 恒川 孝二, 舟窪 浩. 種々の組成の(Al, Sc)N多層膜のスイッチング特性評価, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2023.
• 茶谷那知, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 山岡和希子, 井上ゆか梨, 舟窪浩. スパッタリング法によるHfO2-CeO2強誘電体厚膜の非加熱合成, 第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023.
• 安岡慎之介, 大田怜佳, 岡本一輝, 清水荘雄, 舟窪浩. NbN電極上に作製したエピタキシャル(Al, Sc)N膜の電気特性評価, 第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023.
• 前川芳輝, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 清水荘雄, 舟窪浩. 様々な基板上におけるY:HfO2エピタキシャル膜の合成と評価, 第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023.
• 中畑美紀, 岡本一輝, 胡雨弦, 安岡慎之介, 石濱圭佑, 舟窪浩. 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜における圧電特性の膜厚依存性, 第61回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2023.
• 茶谷那知, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 舟窪浩. フレキシブルデバイスに向けたHfO2基強誘電体厚膜の室温合成と圧電性の評価, 第61回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2023.
• 前川芳輝, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 清水荘雄, 舟窪浩. 種々の基板上におけるHfO2基エピタキシャル膜の合成と評価, 第61回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2023.
• 上原雅人, 水谷涼一, 安岡慎之介, 清水荘雄, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩. Sc添加GaＮ薄膜の強誘電性へのSc濃度と温度の影響, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.
• 岡本一輝, 安岡慎之介, 大田怜佳, 舟窪浩, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二. 水素ガス熱処理が(Al,Sc)N 薄膜の強誘電特性へ及ぼす影響, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.
• 安岡慎之介, 大田怜佳, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 角嶋邦之, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 小金澤智之, L. S. R. Kumara, Okkyun Seo, 坂田修身, 舟窪浩. メモリ応用に向けた(Al, Sc)N膜の薄膜化の検討, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.
• 高橋良, 江原祥隆, 濵嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙. MgO基板上に製膜したBa(ZrxTi1-x)O3の結晶構造と誘電特性, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.
• 大田怜佳, 安岡慎之介, 岡本一輝, 上岡義弘, 楠瀬好郎, 召田雅実, 舟窪浩. (Al1-x-yGaxScy)N薄膜の結晶構造および強誘電性, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.
• 安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 安井伸太郎, 江原祥隆, 西田謙, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩. 薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上, 第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022.
• 大田怜佳, 安岡慎之介, 水谷涼一, 白石貴久, 舟窪浩. 種々の電極を用いた(Al1-x,Scx)N薄膜の強誘電性評価, 第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022.
• 安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩. 面内配向及び熱歪による(Al,Sc)N薄膜の強誘電特性の制御, 第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022.
• 安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩. 強誘電体(Al1-xScx)N薄膜の結晶構造と電気特性の関係, 第41回電子材料研究討論会, Nov. 2021.
• 安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩. エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価, 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021.
• 水谷涼一, 安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩. (ScxAl1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性, 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021.
• 安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩. スパッタリング法で室温合成した(Al1-xScx)N膜の強誘電性評価, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 安岡 慎之介, 清水 荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪 浩. 二次元スパッタリング法により作製した(Al1-xScx)N 薄膜の強誘電特性, 第37回強誘電体会議（FMA 37）, May 2020.
• 安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 舟窪浩. (Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響, 第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020.
• 上原雅人, 安岡慎之介, 清水荘雄, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩. スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価, 第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020.
• 安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 舟窪浩. 二元同時スパッタリング法によるAl1-xScxN薄膜の作製と強誘電性評価, 第58回セラミックス基礎科学討論会, Jan. 2020.

その他の論文・著書など

• 舟窪 浩, 安岡 慎之介, 清水 荘雄. ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性 ―強誘電体の脱ペロブスカイト構造酸化物―, FINE CERAMICS REPORT 2021 夏号, 日本ファインセラミックス協会, Vol. 39, No. 3, pp. 92-95, July 2021.
• 舟窪 浩, 安岡 慎之介, 水谷 涼一, 清水 荘雄. ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性, セラミックス, Vol. 56, No. 7, pp. 443-446, July 2021.
• 安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩. 窒化物圧電体膜の微構造評価, 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学, 令和元年度, A-19-TU-0048, Sept. 2020.

特許など

• 舟窪浩, 白石貴久, 安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 召田　雅実　, 楠瀬　好郎, 上岡　義弘　, 末本　祐也　, 飯浜　準也　. 窒化アルミニウムスカンジウム膜及び強誘電体素子. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 東ソー株式会社. 2023/03/30. PCT/JP2023/013181. 2023/10/05. WO 2023/190869. 2023.
• 舟窪浩, 清水荘雄, 安岡慎之介, 上原　雅人, 山田　浩志　, 秋山　守人. 強誘電性薄膜、それを用いた電子素子および強誘電性薄膜の製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人産業技術総合研究所. 2020/12/25. 特願2021-567693. 特許第7260863号. 2023/04/11 2023.

学位論文

• Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method,  Thesis,  Doctor (Engineering),  Tokyo Institute of Technology,  2024/03/26, 
• Study on Crystal Structure and Ferroelectricity in Wurtzite (Al,Sc)N Thin Films Deposited by Sputtering Method,  Exam Summary,  Doctor (Engineering),  Tokyo Institute of Technology,  2024/03/26,   
• Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method,  Summary,  Doctor (Engineering),  Tokyo Institute of Technology,  2024/03/26,   
• Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method,  Outline,  Doctor (Engineering),  Tokyo Institute of Technology,  2024/03/26,   

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