論文

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, K. Ohsawa. Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs, J. Crystal Growth, vol. 522, （2019）11-15, Sept. 2019.  公式リンク  
  
• W Zhang, T. Kanazawa, Y. Miyamoto. Performance improvement of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunnelling field-effect transistor by UV-O3 treatment, Apl. Phys. Exp, vol. 12, no. 6, 065005 (2019), May 2019.  公式リンク  
  
• W Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor, Jpn. J. Appl. Phys, 58, SBBH02 (2019), Jan. 2019.
• Seiko Netsu, Toru Kanazawa, Teerayut Uwanno, Tomohiro Amemiya, Kosuke Nagashio, Yasuyuki Miyamoto. Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors, IEICE Transactions on Electronics, Vol. E101-C, No. 5, pp. 338-342, May 2018.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, toru kanazawa, takuo hiratani, daisuke inoue, zhichen gu, satoshi yamasaki, tatsuhiro urakami, shigehisa arai. Organic membrane photonic integrated circuits (OMPICs), Optics Express, Vol. 25, No. 16, pp. 18537-18552, Aug. 2017.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Satoshi Yamasaki, Shigehisa Arai. Metamaterial Waveguide Devices for Integrated Optic, Materials, Vol. 10, No. 9, pp. 1037, Aug. 2017.
• Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Vikrant Upadhyaya, Atsushi Ishikawa, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto. Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2, IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 16, No. 4, pp. 582-587, July 2017.
• Vikrant UPADHYAYA, Toru KANAZAWA, Yasuyuki MIYAMOTO. Vacuum Annealing and Passivation of HfS2 FET for Mitigation of Atmospheric Degradation, IEICE Transactions on Electronics, Vol. E100-C, No. 5, pp. 453-457, May 2017.  公式リンク  
  
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 荒井 滋久, 浦上 達宣. 有機薄膜光集積回路, 月刊OPTRONICS, Vol. 423, No. 3, pp. 103-113, Mar. 2017.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 西山 伸彦, 荒井 滋久, 浦上 達宣, 田中 拓男, 石川 篤. 光学迷彩とメタマテリアルフィルム, 光技術コンタクト, Vol. 54, No. 11, pp. 27-36, Nov. 2016.
• 金澤 徹, 雨宮 智宏, 宮本 恭幸. 二次元材料HfS2を用いたMOSトランジスタ, 月刊機能材料, Vol. 36, No. 9, pp. 46-52, Sept. 2016.
• Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain, Solid-State Electronics, Vol. 126, pp. 92-95, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Shigehisa Arai. (Invited paper) Transformation Physics and Camouflage, IEICE Transactions on Electronics, Vol. J99-C, No. 4, pp. 67-83, Apr. 2016.
• Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Vikrant Upadhyaya, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto. Few Layer HfS2 FET, Scientific Reports, Vol. 6, pp. 22277, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• R Yamanaka, T. Kanazawa, E. Yagyu, Y. Miyamoto. Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor using digital etching technique, Jpn. J. Appl.Phys., Volume 54, Number S61, June 2015.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Toru Kanazawa, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability-controlled Optical Modulator with Tri-gate Metamaterial: Control of Permeability on InP-based Photonic Integration Platform, Scientific Reports, Vol. 5, pp. 8985, Mar. 2015.
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Shigehisa Arai. Optical Lattice Model Towards Nonreciprocal Invisibility Cloaking, IEEE Journal Quantum Electronics, Vol. 51, No. 3, pp. 6100110, Jan. 2015.  公式リンク  
  
• K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density, IEICE Electronics Express, vol. 11, No. 14, pp. 1-5, July 2014.
• Atsushi Kato, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, Yasuyuki Miyamoto. Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode, IEICE Trans. Electron., vol. E95-C, no. 5, pp. 904-919, May 2012.
• R. Terao, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, A. Kato, Y. Miyamoto. InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm, Applied Phys. Exp., The Japan Society of Applied Physics, vol. 4, no. 5, 054201, Apr. 2011.
• Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source, Applied Physics Express, Vol. 3, No. 9, 094201, Sept. 2010.
• T. Kanazawa, A. Morosawa, R. Fuji, T. Wada, M. Watanabe, M. Asada. Suppression of Leakage Current of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(100) Substrates by Nanoarea Local Epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 6A, pp. 3388-3390, June 2007.
• T. Kanazawa, M. Watanabe, M. Asada. Room temperature negative differential resistance of CdF₂/CaF₂ double-barrier resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates, Appl. Phys Lett., Vol. 90, No. 9, pp. 092101-1-092101-3, Feb. 2007.

著書

• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability Engineering of Semiconductor Photonic Devices, Interferometers: Fundamentals, Methods and Applications (ISBN: 978-1-63483-692-0), Nova Science Publishers, pp. 15-36, 2015.

国際会議発表 (査読有り)

• M.Kitamura, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Evaluation of fabricationmethod of InGaAs nanosheet, 13rd th Topical Workshop onHeterostructure Microelectronics, (TWHM 2019), 6-6, Aug. 2019.
• W. Zhang, S. Netsu, T.Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), M-7-03, Sept. 2018.
• Y.Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, Kazuto Ohsawa. Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), P2-32, June 2018.
• Toru Kanazawa, Kazuto Ohsawa, Tomohiro Amemiya, Nobukazu Kise, Ryosuke Aonuma, Yasuyuki Miyamoto. Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source, Compound Semiconductor Week (CSW2018), We3C3.2, May 2018.
• Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Toru Kanazawa, Zhichen Gu, Daisuke Inoue, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Tatsuhiro Urakami, Shigehisa Arai. Infrared Invisibility Cloak Using Rolled Metamaterial Film, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2018 (CLEO 2018), May 2018.
• Seiko Netsu, Toru Kanazawa, Vikrant Upadhyaya, Teerayut Uwanno, Tomohiro Amemiya, Kosuke Nagashio, Yasuyuki Miyamoto. Type II HfS2/MoS2 heterojunction Tunnel FET, 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017), No. 6-3, Aug. 2017.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Zhichen Gu, Satoshi Yamasaki, Tatsuhiro Urakami, Shigehisa Arai. Organic Membrane Photonic Waveguide with Metal Grating Couplers, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2017 (CLEO 2017), No. SF2I.7, May 2017.
• Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Vikrant Upadhyaya, Atsushi Ishikawa, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto. Effect of the HfO2 passivation on HfS2 Transistors, 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2016), No. ThAM11.3, Aug. 2016.
• Vikrant Upadhyaya, Toru Kanazawa, YASUYUKI MIYAMOTO. Vacuum annealing and passivation of Hf₂ FET for mitigation of atmospheric degradation, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), A5-7, pp. 231-235, July 2016.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Tatsuhiro Urakami, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. (Invited) Permeability Engineering in Optical Communication Devices, The First A3 Metamaterials Forum, I-25, July 2016.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Tatsuhiro Urakami, Atsushi Ishikawa, Naoya Hojo, Akio Yasui, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Metafilm: Metamaterial Array Embedded in Organic Thin Film, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2016 (CLEO 2016), FTh1D.2, June 2016.
• Haruki Kinoshita, Nobukazu Kise, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain, Compound Semiconductor Week (CSW2016), TuD4-2, June 2016.
• Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Vikrant Upadhyaya, Takuo Tanaka, Kenji Tsuruta, Yasuyuki Miyamoto. HfS2 Electric Double Layer Transistor with High Drain Current, 47th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sept. 2015.
• H.Kinoshita, S.Netsu, Y.mishima, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Aug. 2015.
• S. Netsu, T. Kanazawa, Y. Miyamoto. Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, July 2015.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Toru Kanazawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. (Invited) Possibility of permeability control on InP-based photonic integration platform, 8th International Conference on Materiaals for Advanced Tachnologies (ICMAT 2015), No. D2-PM2, June 2015.
• T. Kanazawa, T. Amemiya, A. Ishikawa, V. Upadhyaya, K. Tsuruta, T. Tanaka, Y. Miyamoto. Fabrication of Thin-Film HfS2 FET, 73rd Device Research Conference (DRC), June 2015.
• R. Yamanaka, T. Kanazawa, E. Yagyu, Y. Miyamoto. Normally-off AlGaN/GaN HEMT using Digital Etching Technique, 2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Nov. 2014.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, YASUYUKI MIYAMOTO, Takuo Tanaka, SHIGEHISA ARAI. (Invited) Meta-photonics for Advanced InP-based Photonic Integration, the Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014, No. Day1. p.85, June 2014.
• Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, Y. Miyamoto. InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, SHIGEHISA ARAI. Asymmetric Invisibility Cloaking Theory Based on the Concept of Effective Electromagnetic Fields for Photons, APS March Meeting 2014, Z50.00014, Mar. 2014.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, YASUYUKI MIYAMOTO, Takuo Tanaka, SHIGEHISA ARAI. (Invited) Photonic metamaterials in semiconductor optical devices, 2013 EMN Open Access Week, Oct. 2013.
• K. Ohsawa, A. Kato, T. Sagai, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), 2-9, pp. 19-20, Sept. 2013.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, Eijun Murai, Takahiko Shindo, J. Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Electrically-driven Permeability-controlled Optical Modulator using Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2013 (CLEO 2013), No. QM1A.6, June 2013.  公式リンク  
  
• A. Kato, T. Kanazawa, Eiji Uehara, Y. Yonai, Y. Miyamoto. Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate, 25th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), May 2013.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, Eijun Murai, Takahiko Shindo, J. Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability-controlled Optical Modulator with Tri-gate Metamaterial, the 4th International Topical Meeting on Nanophotonics and Metamaterials (NANOMETA 2013), No. FRI5o.2, Jan. 2013.
• YASUYUKI MIYAMOTO, Hisashi Saito, Toru Kanazawa. High-current-density InP ultrafine devices for high-speed operation, The International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Oct. 2011.
• T. Kanazawa, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto. MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm, 23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• A. Kato, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. Reduction of Access Resistance of InP/InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode, 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Yosiharu Yonai, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO. High Drain Current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at VD=0.5V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching, 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2011), 2011.
• Toru Kanazawa, Ryousuke Terao, Yuutarou Yamaguchi, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 129-130, Sept. 2010.
• T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut, 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, June 2010.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, H. Saito. InGaAs MISFET with epitaxially grown source, The 3rd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, InGaAs MISFET with epitaxially grown source, June 2010.
• Toru Kanazawa, Hisashi Saito, Kazuya Wakabayashi, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N⁺-InGaAs Source Region, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 246-247, Oct. 2009.
• Toru Kanazawa, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO, Hisashi Saito, kazuya wakabayashi, Tomonori Tajima. InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source, IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2009.
• T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya. Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2008.
• M. Watanabe, T. Kanazawa, M. Asada. Transmission Electron Microscopy Analysis of CaF₂/CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Structures grown on Si(100) Substrate, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), Vol. TuD P8, pp. 222, Oct. 2007.
• T. Kanazawa, R. Fujii, T. Wada, Y. Suzuki, M. Watanabe, M. Asada. Control of NDR Characteristics of CdF₂/CaF₂ RTDs Using Nano-Area Local Growth on Si(100) Substrates, 2006 International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Vol. 27B-11-7, pp. 410-411, Oct. 2006.
• T. Kanazawa, A. Morosawa, M. Watanabe, M. Asada. High peak-to-valley current ratio of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode grown on Si(100) substrates, 2005 International conference on Solid State Devices and Materials, Vol. G-1-7, pp. 162-163, Sept. 2005.
• M. Watanabe, T. Kanazawa, K. Jinen, M. Asada. Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate, 2004 Silicon Nanoelectronics Workshop, 2004 Silicon Nanoelectronics Workshop,9-20, Vol. 9-20, pp. 145-146, June 2004.
• M. Watanabe, M. Matsuda, H. Fujioka, T. Kanazawa, M. Asada. Memory Effect of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on p-type Silicon Substrate, The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures -MSS11-, PC47, pp. 454-455, July 2003.
• M. Watanabe, M. Matsuda, H. Fujioka, T. Kanazawa, M. Asada. Structure Dependence of Negative Differential Resistance Characteristics of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown by Local Epitaxy on Silicon, 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, 8-07, Vol. 8-07, pp. 106-107, June 2003.
• M. Watanabe, T. Ishikawa, M. Matsuda, T. Kanazawa, M. Asada. Systematic variation of negative differential resistance characteristics of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Si(111) grown by Nanoarea Local Epitaxy, The Second International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics '02 (QNN '02), The Second International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics '02 (QNN '02), Tu4-3, Vol. Tu4-3, pp. 103-106, Sept. 2002.
• M. Watanabe, T. Ishikawa, M. Matsuda, T. Kanazawa, M. Asada. Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy, 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, P157, Vol. P157, pp. 219, July 2002.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Development of Field-Effect Transistor Using 2D Layered Hafnium Disulfide, IWPSD 2017, 2D06, Dec. 2017.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, S. Iwata. InGaAs channel for low supply voltage, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2015.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, T. Tezuka. (Invited) Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano, K. Ohsawa, K. Ohashi. (Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications, 26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014), May 2014.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka. Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density, 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SICS 2013), Dec. 2013.
• Y. Miyamoto, H. Saito, T. Kanazawa. Submicron-channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source, 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), Nov. 2010.
• K. Wakabayashi, T. Kanazawa, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure, Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030, Oct. 2009.
• YASUYUKI MIYAMOTO, Toru Kanazawa, Hisashi Saito, KAZUHITO FURUYA. InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source, 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD）, June 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 張 文倫, 金澤 徹, 北村 稔, 宮本 恭幸. UV-O3表面酸化によるHfS2 MOSFETの性能改善, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-W521-4, Mar. 2019.
• 北村 稔, 金澤 徹, 宮本 恭幸. HSQを用いたInGaAsナノシート構造作製法評価, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-M121-11, Mar. 2019.
• 張 文倫, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 雨宮 智宏, 宮本 恭幸. 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-212B-5, Sept. 2018.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, 各務 響, コシチン, 井上 大輔, 金澤 徹, 西山 伸彦, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いたMWIR迷彩, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-C301-9, Mar. 2018.
• 金澤 徹, 大澤 一斗, 雨宮 智宏, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートトランジスタの作製, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-3, Mar. 2018.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, 各務 響, コシチン, 井上 大輔, 金澤 徹, 西山 伸彦, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いた光学遮蔽, 2018年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2018.
• ⼤澤 ⼀⽃, ⾦澤 徹, ⽊瀬 信和, ⾬宮 智宏, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S22-2, Sept. 2017.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 金澤 徹, コシチン, 井上 大輔, 石川 篤, 西山 伸彦, 田中 拓男, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムによる近赤外光学迷彩, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S21-3, Sept. 2017.
• 祢津 誠晃, ⾦澤 徹, ⾬宮 智宏, 宮本 恭幸. HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7p-C11-16, Sept. 2017.
• 祢津 誠晃, 金澤 徹, Vikrant Upadhyaya, ウワンノー ティーラユット, 雨宮 智宏, 長汐 晃輔, 宮本 恭幸. Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-F203-4, Mar. 2017.
• 雨宮 智宏, 山﨑 理司, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 石川 篤, 西山 伸彦, 田中 拓男, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いた近赤外光学迷彩の理論解析, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 14p-F202-7, Mar. 2017.
• 金澤 徹, 雨宮 智宏, 祢津 誠晃, Vikrant Upadhyaya, 福田 浩一, 宮本 恭幸. HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-F203-3, Mar. 2017.
• 雨宮 智宏, 山﨑 理司, 金澤 徹, 石川 篤, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. 光回路とプラズモニックメタマテリアル, 第37回レーザー学会年次大会, No. 07pII.7, Jan. 2017.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 金澤 徹, 平谷 拓生, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアルを用いたSi 導波路型光バッファの提案, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15p-B8-9, Sept. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 井上 大輔, コ シチン, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路：各素子の特性解析, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15p-B8-10, Sept. 2016.
• 金澤 徹, Vikrant Upadhyaya, 雨宮 智宏, 石川 篤, 鶴田 健二, 田中 拓男, 宮本 恭幸. HfO2パッシベーションによるHfS2 FETの特性改善, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 16a-A32-3, Sept. 2016.
• Vikrant Upadhyaya, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Evaluation of electrical properties of HfS₂ thin flakes obtained by mechanical exfoliation, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 信学技報, vol. 116, no. 48, pp. 47-50, May 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 北條 直也, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 116, No. 52, pp. 5-10, May 2016., May 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 浦上 達宣, 石川 篤, 北條 直也, 安井 章雄, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久. Metafilm : メタマテリアルを内包した有機薄膜フィルム, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 21p-S321-2, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22p-W541-5, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. [22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• Upadhyaya Vikrant, kanazawa Toru, Miyamoto Yasuyuki. Measures for mitigating environmental degradation of Two Dimensional Hafnium Disulfide Field Effect Transistor, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 21p-H103-2, Mar. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 北條 直也, 久能 雄輝, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 21p-S321-3, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-9, Sept. 2015.
• 雨宮 智宏, 石川 篤, 金澤 徹, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. 光通信素子における透磁率制御の可能性, 第136回微小光学研究会, May 2015.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As界 面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 金澤 徹, 雨宮 智宏, 石川 篤, 鶴田 健二, 田中 拓男, 宮本 恭幸. 薄膜HfS2 FET, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 14p-D7-6, Mar. 2015.
• 石川 篤, 金澤 徹, 雨宮 智宏, 鶴田 健二, 田中 拓男, 宮本 恭幸. 機械的剥離法を用いたHfS2原子薄膜の作製と基礎物性の評価, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 11a-P6-27, Mar. 2015.
• 山中僚大, 金澤徹, 柳生栄治, 宮本恭幸. デジタルエッチングを用いたGaN HEMTのノーマリーオフ化, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.
• 雨宮 智宏, 金澤徹, 石川 篤, 姜 晙炫, コ シチン, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. ［依頼講演］透磁率制御メタマテリアルを装荷した光変調器, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, Sept. 2014.
• 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水. 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 雨宮 智宏, 瀧 雅人, 金澤 徹, 荒井 滋久. 光子における有効電磁場を使った非対称光学迷彩, 第61回応用物理学関係連合講演会, 18p-E16-6, Mar. 2014.
• 三嶋裕一, 金澤徹, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET, 第61回春季応用 物理学会学術講演会, Mar. 2014.
• 金澤徹, 三嶋裕一, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET, 電子情報通信学 会 電子デバイス研究会, IEICE technical report, Jan. 2014.
• 雨宮智宏, 金澤 徹, 石川 篤, カン ジュンヒョン, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE Technical Report, Vol. 113, No. 370, pp. 45-50, Dec. 2013.
• 大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸. 高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 宮本恭幸, 金澤徹. InGaAs MOSFETの現状と将来展望, 電気学会 電子・情報・システム部門大会, Sept. 2013.
• 雨宮智宏, 金澤徹, 石川篤, 明賀聖慈, 村井英淳, 進藤隆彦, 姜晙炫, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. 微細金属構造をもつ導波路型光デバイスにおける相互作用距離の解析, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B3-14, Mar. 2013.
• 加藤淳, 米内義晴, 金澤徹, 宮本恭幸. Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究, 第 60 回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.
• 宮本恭幸, 金澤徹. MOSFET低電圧化の為のInGaAs チャネル, 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, Nov. 2012.
• 雨宮智宏, 金澤徹, 石川篤, 明賀聖慈, 村井英淳, 進藤隆彦, 姜晙炫, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. 透磁率の制御によるInP 系導波路型光変調器, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 愛媛, No. 13p-C5-3, Sept. 2012.
• 加藤淳, 米内義晴, 金澤徹, 宮本恭幸. Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究, 第73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 米内義晴, 金澤徹, 池田俊介, 宮本恭幸. InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET, 応用物理学会 2012年度春季大会, Mar. 2012.
• 宮本 恭幸, 米内義晴, 金澤徹. エヒ?タキシャル成長ソースによる InGaAs MOSFET の高電流密度化, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2012.
• 宮本恭幸, 米内義晴, 金澤徹. エピタキシャル成長ソースによるInGaAsMOSFETの高電流密度化, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2012.
• 宮本恭幸, 米内義晴, 金澤徹. InGaAs MOSFETの高電流密度化, 電子情報通信学会技術研究報告, Jan. 2012.
• 宮本恭幸, 米内義晴, 金澤徹. InGaAs MOSFETの高電流密度化, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会（ED）, Dec. 2011.
• 加藤淳, 金澤徹, 宮本恭幸. ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Sept. 2011.
• 池田俊介, 金澤徹, 宮本恭幸. 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Sept. 2011.
• 宮本恭幸, 金澤徹. InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向, 電気学会 電子・情報・システム部門大会, Sept. 2011.
• 金澤 徹, 寺尾 良輔, 山口 裕太郎, 池田 俊介, 米内 義晴, 加藤 淳, 宮本 恭幸. 裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Jan. 2011.
• 寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤 徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤 徹, 齋藤尚史, 若林和也, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス, Vol. 109, No. 360, pp. 39-42, Jan. 2010.
• 若林 和也, 金澤 徹, 齋藤 尚史, 田島 智宣, 寺尾 良輔, 宮本 恭幸, 古屋 一仁. 再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, pp. 1299, Sept. 2009.
• 金澤徹, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣, 宮本恭幸, 古屋一仁. MOVPE再成長n⁺ソースを有するⅢ-Ⅴ族高移動度チャネルMOSFET, 電気学会 電子・情報・システム部門大会, Sept. 2009.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 田島智宣, 寺尾良輔, 宮本恭幸, 古屋一仁. 「再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 齋藤尚史, 金澤徹, 宮本恭幸, 古屋一仁. ヘ テロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2009.
• 金澤徹, 古屋一仁, 宮本恭幸, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣. MOVPE再成長ソースを有するIII-V族MOSFETの電流特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009.
• 宮本恭幸, 金澤徹. III-V ナノデバイス, 電子情報通信学会2009年全国大会, Mar. 2009.
• 金澤徹, 古屋一仁, 宮本恭幸, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣. Ⅲ-Ⅴ族高駆動能力MOSFETへ向けたn⁺-InGaAsソース/ドレイン層の横方向埋め込み成長, 第69回応用物理学会学術講演会, Sept. 2008.
• 金澤 徹, 藤井 諒, 和田 宇史, 鈴木 雄介, 渡辺 正裕, 浅田 雅洋. Si (100)基板上CdF₂/CaF₂ナノ領域成長共鳴トンネルダイオードのI-V特性制御, 第67回応用物理学会学術講演会, 30p-RE-14, 3, 1266, Aug. 2006.
• 渡辺正裕, 金澤徹, 浅田雅弘. Si(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード構造の成長温度依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZK-4, 3, 1223, Sept. 2004.
• 金澤 徹, 松田 克己, 渡辺 正裕, 浅田 雅洋. Si (100)基板上CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性の構造依存性, 第64回応用物理学会学術講演会, 30p-ZF-14, 3, 1253, Aug. 2003.
• 金澤徹, 松田克己, 渡辺正裕, 浅田雅洋. ダブルステップ化Si(100) 2°off基板上CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第50回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZE-3, 3, 1469, Mar. 2003.
• 松田克己, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋. CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの電荷蓄積による特性変化, 第50回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZE-5, 3, 1469, Mar. 2003.
• 金澤徹, 松田克己, 石川達也, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋. Si(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの作製と評価, 第49回応用物理学会関係連合講演会, 27p-YH-3, 3, 1374, Mar. 2002.

その他の論文・著書など

• 金澤 徹, 諸澤篤史, 藤井 諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋. ED2005-233，SDM2005-245,  ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード, 電子情報通信学会（電子デバイス研究会）, Vol. 105, No. 550, 11-14, Jan. 2006.

特許など

• 雨宮智宏, 金澤徹, 荒井滋久. 有機薄膜光集積回路. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2017/01/13. 特願2017-564161. 2018/11/22. 再表2017/130744. 特許第6817634号. 2021/01/04 2021.
• 雨宮智宏, 庄司雄哉, 荒井滋久, 金澤徹, 西山伸彦, 水本哲弥. 光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2016/08/24. 特願2016-164148. 2018/03/01. 特開2018-031896. 2018.
• 宮本恭幸, 山中僚大, 金澤徹, 今井　章文, 柳生　栄治. 半導体装置の製造方法 . 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 三菱電機株式会社. 2014/08/28. 特願2014-174229. 2016/04/11. 特開2016-051722. 2016.
• 宮本恭幸, 柏野壮志, 金澤徹. 電界効果トランジスタ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2013/01/09. 特願2013-001907. 2014/07/24. 特開2014-135359. 2014.
• 宮本恭幸, 米内　義晴, 金澤徹. 電界効果トランジスタ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2011/07/28. 特願2011-165385. 2013/02/07. 特開2013-030604. 2013.

学位論文

• Si(100)基板上CaF2/CdF2ヘテロ構造を用いた共鳴トンネル集積デバイスの基礎研究,  本文,  Doctor of Engineering,  Tokyo Institute of Technology,  2007/03/--, 

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