Journal Paper

• Joel Molina-Reyes, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima. NiSi2 as a Bottom Electrode for Enhanced Endurance of Ferroelectric Y-doped HfO2 Thin Films, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 59, No. SG, Feb. 2020.
• Joel Molina-Reyes, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima. NiSi2 as a Bottom Electrode for Enhanced Endurance of Ferroelectric Y-doped HfO2 Thin Films, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 59, pp. SGGB06-1-6, Feb. 2020.
• Kudoh, Sohya, Shun-ichiro OHMI. Influence of Si(100) surface flattening process on nonvolatile memory characteristics of Hf-based MONOS structures, 75th Annual Device Research Conference (DRC), 2017 75TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC), IEEE, 2017.
• Shun-ichiro OHMI, Hiroki, Mizuha, Maeda, Yasutaka. Narrow Line Crystallization of Rubrene Thin Film Enhanced by Yb Interfacial Layer for Single Crystal OFET Application, 75th Annual Device Research Conference (DRC), 2017 75TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC), IEEE, 2017.
• Shun-ichiro OHMI, Liu, Yeyuan. In-situ formation of Hf-based MONOS structures for non-volatile memory applications, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, Vol. 12, No. 24, Dec. 2015.
• 工藤 聡也, Shun-ichiro OHMI. 開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 (シリコン材料・デバイス), 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 114, No. 255, pp. 13-17, Oct. 2014.
• 前田 康貴, Shun-ichiro OHMI, 後藤 哲也, 大見 忠弘. 窒素添加LaB₆薄膜のデバイス応用に関する検討 (シリコン材料・デバイス), 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 113, No. 247, pp. 27-31, Oct. 2013.
• Han, H.S., Han, D.H., Shun-ichiro OHMI. Potential of MISFET with HfN gate dielectric formed by ECR plasma sputtering, Electronics Letters, Vol. 49, No. 7, pp. 493-495, 2013.
• Han, Huiseong, Shun-ichiro OHMI. Hafnium-nitride gate insulator formed by electron-cyclotron-resonance plasma sputtering, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, Vol. 9, No. 16, pp. 1329-1334, 2012.
• Shun-ichiro OHMI. 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 111, No. 249, pp. 59-62, Oct. 2011.
• Liao, M., Ishiwara, H., Shun-ichiro OHMI. Performance improvement of pentacene based organic field-effect transistor with HfON gate insulator, IEICE Electronics Express, Vol. 8, No. 18, pp. 1461-1466, 2011.
• Shun-ichiro OHMI, Gao, J.. Low contact resistivity of barrier height controlled PtHfSi to Si evaluated by cross-bridge Kelvin resistor, IEICE Electronics Express, Vol. 8, No. 20, pp. 1710-1715, 2011.
• Sano, T., Shun-ichiro OHMI. Selective etching of HfN gate electrode for HfN/HfSiON gate stack in-situ formations, IEICE Electronics Express, Vol. 8, No. 18, pp. 1492-1497, 2011.
• Ishikawa, J., Gao, J., Shun-ichiro OHMI. Work function modulation of PtSi by alloying with Yb, IEICE Electronics Express, Vol. 8, No. 1, pp. 33-37, 2011.
• Gao, J., Ishikawa, J., Shun-ichiro OHMI. A study on precise control of PtSi work function by alloying with Hf, IEICE Electronics Express, Vol. 8, No. 1, pp. 45-49, 2011.
• 佐野 貴洋, Shun-ichiro OHMI. ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造の in-situ 形成, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 110, No. 241, pp. 57-60, Oct. 2010.
• 高 峻, 石川 純平, Shun-ichiro OHMI. Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 110, No. 241, pp. 17-20, Oct. 2010.
• 高 峻, 石川 純平, Shun-ichiro OHMI. 2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討, 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 93, No. 10, pp. 346-352, Oct. 2010.
• 石川 純平, 高 峻, Shun-ichiro OHMI. Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 110, No. 241, pp. 13-16, Oct. 2010.
• M. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara. Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics, Japan J. Appl. Phys., Vol. 48, p. 04C178-1-3, June 2009.
• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems, ECS Transactions, The Electrochemical Society, Vol. 6, No. 8, pp. 245-251, Aug. 2007.
• Shun-ichiro OHMI, K. Kanemoto, H. Oka, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi, J. Kato. Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method, ECS Transactions, Vol. 6, No. 8, pp. 309-313, Aug. 2007.
• S. Ohmi, T. Sakai. A Proposal of TC-MOSFET and Fabrication Process of Twin Si Channels, IEICE Trans. Electron., Vol. E90-C, No. 1, pp. 994-999, May 2007.
• S. Ohmi, T. Kurose, M. Sato. Ultrathin HfOxNy Gate Insulator Formation by Electron Cyclotron resonance Ar/N2 Plasma nitridation of HfO2 Thin Films, IEICE Trans. Electron., Vol. E89-C, No. 1, pp. 596-601, May 2006.
• Hiroshi Nohira, T. Yoshida, H. Okamoto, S. Shinagawa, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, NJ. Aun, Y. Kobayashi, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI IWAI, E. Ikenaga, Y. Tanaka, K. Kobayashi, takeo hattori. Thermal stability of Gd2O3/Si(100) interfacial transition layer, JOURNAL DE PHYSIQUE IV, Vol. 132, pp. 273-277, 2006.
• J.-A. Ng, Y. Kuroki, N. Sugii, K. Kakushima, S. Ohmi, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, H. Wong. Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing, Microelectron. Eng., Vol. 80, pp. 206-209, June 2005.
• 吉田徹史, 松田徹, 岡本英介, 品川盛治, 野平博司, 中川健太郎, 黒木裕介, 宮内邦裕, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 小林啓介, 服部健雄. LaO_x/YO_x/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 918, 2005.
• 福山享, 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. MIM構造の高誘電率La₂O₃薄膜におけるリーク電流機構, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. ２, pp. ９１８, 2005.
• 黒瀬朋紀, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志. HfNのECR Ar/O₂プラズマ酸化により形成したHfO_xN_y薄膜の熱処理に関する検討, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 899, 2005.
• T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai. ECR Ar/O₂ Plasma Oxidation of HfN Thin Films for High Dielectric HfO_xN_y Formations, Trans. Mat. Res. Soc. Japan, Vol. 30, pp. 209-212, 2005.
• Y. Kim, K. Miyauchi, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai. Electrical properties of vacuum annealed La₂O₃ thin films grown by E-beam evaporation, Microelectronics Journal, Vol. 36, pp. 41-49, 2005.
• Y. Kim, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai. Analysis of variation in leakage currents of Lanthana thin films, Solid-State Electronics, Vol. 49, pp. 825-833, 2005.
• T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, T. Sakai. Separation by Bonding Si Iskands (SBSI) for LSI Applications, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, pp. 59-63, 2005.
• T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, T. Sakai. Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Advanced CMOS LSI Applications, IEICE Trans. Electron., Vol. E88-C, pp. 656-661, 2005.
• Junichi Tonotani, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai. Dry Etching of Cr₂O₃/Cr Stacked Film during Resist Ashing by Oxygen Plasma, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 44, pp. 114-117, 2005.
• 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃薄膜に対する熱処理に関する検討, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 869, 2004.
• 吉田丈治, ヘンドリアッシャサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール雰囲気依存性, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 869, 2004.
• 宮内邦裕, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃薄膜における電気特性のアニール時間依存性, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 870, 2004.
• 金容提, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 高誘電率La₂O₃薄膜におけるリーク電流機構の解析, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 870, 2004.
• 内川偉史, 山中剛, 大見俊一郎, 酒井徹志. ECRスパッタ法により形成したHfO_xN_y薄膜の熱処理に関する検討, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 883, 2004.
• 古山直人, 加藤有亮, 大見俊一郎, 酒井徹志. 極浅プレアモルファス層によるTiSi₂形成膜厚制御, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 907, 2004.
• 加藤有亮, 古山直人, 鈴木貴也, 大見俊一郎, 酒井徹志. 極薄SOI上に形成したPtSiの耐熱性, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 907, 2004.
• 山崎崇, 関川智英, 袴田佳孝, 大見俊一郎, 酒井徹志. Si/SiGe/Si構造におけるSiGe層選択エッチングのGe組成比およびアニール温度依存性, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 936, 2004.
• 大理洋征龍, 山崎崇, 盛田伸也, 関川智英, 大見俊一郎, 酒井徹志. SiGe/Si層におけるSiGe層選択エッチング特性, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 936, 2004.
• 佐藤貴久, 田村秀貴, 檜垣良太, 佐々木雄一朗, 水野文二, 筒井一生, 大見俊一郎, 岩井洋. プラズマドーピング後の基板洗浄がドーズに与える影響, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 945, 2004.
• 高木克洋, 佐藤貴久, 田村秀貴, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 大見俊一郎, 岩井洋. プラズマドーピングにおけるHeプラズマ後処理による不純物プロファイル制御, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 945, 2004.
• 中港努, 世古裕亮, 大見俊一郎, 酒井徹志. 新構造Double-Gate MOSFETの作製プロセスに関する検討, 第51回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 976, 2004.
• 黒瀬朋紀, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志. HfNのECR Ar/O₂プラズマ酸化によるHfO_xN_y薄膜の形成, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 679, 2004.
• 黒木裕介, 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 686, 2004.
• 福山享, 金容提, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 高誘電率La₂O₃薄膜におけるリーク電流機構の解析, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 686, 2004.
• 吉崎智史, 吉田丈治, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール温度依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 686, 2004.
• 吉田徹史, 岡本英介, 品川盛治, 野平博司, 酒井渉, 中島薫, 鈴木基史, 木村健二, 吉田丈治, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 辛埴, 小林啓介, 服部健雄. GdO_x/Si界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 688, 2004.
• 野平博司, 吉田徹史, 岡本英介, 品川盛治, 酒井渉, 中島薫, 鈴木基史, 木村健二, Ng Jin Aun, 小林洋一, 宮内邦裕, 吉田丈治, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 辛. LaO_x/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 688, 2004.
• 大理洋征龍, 山崎崇, 盛田伸也, 袴田佳孝, 大見俊一郎, 酒井徹志. 極薄SOI層と素子間分離領域を一体化する新技術:SBSI(Separation by Bonding Si Islands) -Si島とSi基板間の熱酸化-, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 745, 2004.
• S. Ohmi, M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai. Characterization of Lu₂O₃ Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method, J. Electrochem. Soc., 2004.
• D. Sasaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai. Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers, Applied Surface Scienece, Vol. 224, pp. 270-273, 2004.
• S. Ohmi, H. Yamamoto, J. Taguchi, K. Tsutsui, H. Iwai. Effect of Post Dielectric Deposition and Post Metallization Annealing Processes on Metal/Dy₂O₃/Si(100) Diode Characteristics, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 4B, pp. 1873-1878, 2004.
• D. Sasaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai. Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers, Appl. Surf. Sci., Vol. 224, pp. 270-273, 2004.
• 吉原義昭, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋. 高誘電率希土類酸化物薄膜のSi基板表面処理の効果, 第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 735, 2003.
• 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. MBE 法により形成した高誘電率La₂O₃薄膜における電気特性, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 868, 2003.
• 吉原義昭, 大島千鶴, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃薄膜の電気特性におけるSi基板表面処理の効果, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 868, 2003.
• 上田功, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 869, 2003.
• 中嶋薫, 城森慎司, 鈴木基史, 木村健二, 大見俊一郎, 岩井洋. La₂O₃, Gd₂O₃およびLu₂O₃極薄膜の高分解能RBS による分析, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 869, 2003.
• 白石貴義, 竹林一騎, 高橋健介, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄. LuO_x極薄膜の深さ方向組成・化学結合状態分析, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 869, 2003.
• 吉田徹史, 白石貴義, 高橋健介, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄. LuO_x極薄膜中のシリケート, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 870, 2003.
• 野平博司, 白石貴義, 高橋健介, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 高田恭孝, 小林啓介, 辛埴, 服部健雄. 希土類酸化物極薄膜中のシリケートとシリサイド, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 870, 2003.
• 大島千鶴, 吉原義昭, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 高誘電率Gd₂O₃薄膜のSi 基板表面処理の効果, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 871, 2003.
• 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 希土類酸化物薄膜におけるポストアニールに関する検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 871, 2003.
• 柏木郁未, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 希土類酸化物の電気特性におけるSi基板面方位依存性, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 871, 2003.
• 山本浩之, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 希土類酸化物薄膜における超高真空アニールの効果に関する検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 872, 2003.
• 戸野谷純一, 大見俊一郎, 岩井洋. TaN ゲート電極のRIE特性, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 935, 2003.
• 檜垣良太, 赤間貞洋, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋. 室温ガスドーピング法におけるドーズ量の制御, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 941, 2003.
• 赤間貞洋, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋“. 室温ガスドーピングの表面反応機構, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 941, 2003.
• 佐々木雄一朗, 水野文二, 赤間貞洋, 檜垣良太, 大見俊一郎, 筒井一生, 岡下勝己, 前嶋聡, 吉川住和, 中山一郎, 岩井洋. プラズマドーピング法におけるH 等の深さ分布プロファイルの挙動とコンタミの検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 941, 2003.
• 白石貴義, 吉田徹史, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄. LaO_x極薄膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析(II), 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 735, 2003.
• 小林洋一, 上田功, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する検討, 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 735, 2003.
• 宮内邦裕, 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. 電子ビーム蒸着法により形成した高誘電率La₂O₃薄膜における漏れ電流特性, 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 735, 2003.
• 吉田丈治, ヘンドリアンシャーサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFET の低周波ノイズ, 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 736, 2003.
• 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋. La₂O₃薄膜におけるポストメタルアニールに関する検討, 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 736, 2003.
• 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋. プラズマ前処理を用いたガスドーピングにおける基板表面状態の影響, 第64 回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 771, 2003.
• 佐藤貴久, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 田村秀貴, 金成国, 水野文二, 大見俊一郎, 岩井洋. プラズマドーピング前後のHF 洗浄とドーズ量の変化, 第64回応用物理学関係連合講演会, Vol. 2, pp. 772, 2003.
• T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai. Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of Rare Earth Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer, INFOS2003, pp. WS1-9, 2003.
• R.Higaki, K.Tsutsui, Y.Sasaki, S.Akama, B.Mizuno, S.Ohmi, H.Iwai. Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process, ESSDERC 2003, pp. 231-234, 2003.
• Y.Kim, A.Kuriyama, I.Ueda, S. Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai. Analysis of Electrical Characteristics of La₂O₃ Thin Films Annealed in Vacuum and Others, ESSDERC 2003, pp. 569-572, 2003.
• I.Ueda, S.Ohmi, H.Iwai. Electrical Characteristics of High-K Stack Gate Dielectric Thin Films with La₂O₃ as Buffer Layer, 204^th^ ECS Meeting, pp. Abs. 545, 2003.
• H.Sauddin, Y.Yoshihara, S.Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai. Low-Frequency Noise Characteristics of MISFET's with La₂O₃ Gate Dielectrics, 204^th^ ECS Meeting, pp. Abs.564, 2003.
• A.Kuriyama, S.Ohmi, K.Tsutusi, H.Iwai. Effect of Post Metallization Annealing for La₂O₃ Gate Thin Films on Electrical Characteristics, 204^th^ ECS Meeting, pp. Abs.564, 2003.
• 山中剛, 佐々木大輔, 大見俊一郎, 酒井徹志. ECRスパッタ法により形成したAlO_xN_y薄膜の電気特性に対する熱処理の効果, 第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集, Vol. 2, pp. 893, 2003.
• SHUN-ICHIRO OHMI. チャネル多層化　新構造Multi-Layer Channel MOSFET, 第50回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集, Vol. 2, pp. 965, 2003.
• 山崎崇, 高瀬恭英, 大見俊一郎, 酒井徹志. SFC構造SiGe HBTの高周波特性の解析, 第50回　応用物理学関係連合講演会　予稿集, Vol. 2, pp. 967, 2003.
• 高瀬恭英, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志. SFC構造SiGe HBTにおけるp⁺poly-Siコンタクト領域作製プロセスの検討, 第50回　応用物理学関係連合講演会　予稿集, Vol. ２, pp. 967, 2003.
• 山中剛, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志. ECRスパッタ法により形成したAlO_xN_y薄膜の熱処理に関する検討, 第64回応用物理学会学術講演会　講演予稿集, Vol. 2, pp. 733, 2003.
• 関川智英, 袴田佳孝, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志. Si/SiGe/Si構造におけるSiGe選択エッチングに関する検討, 第64回応用物理学会学術講演会　講演予稿集, Vol. 2, pp. 770, 2003.
• 盛田伸也, 大理洋征龍, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志. 新構造MOS/SOIの電気特性 -2Dシミュレーション-, 第64回応用物理学会学術講演会　講演予稿集, Vol. 2, pp. 795, 2003.
• 世古裕亮, 大見俊一郎, 酒井徹志. n⁺-poly-Siゲートを有する新構造Double-Gate MOSFETの特性解析, 第64回応用物理学会学術講演会　講演予稿集, Vol. 2, pp. 796, 2003.
• 金容湜, 柏木郁未, 大見俊一郎, 岩井洋. 希土類酸化物の結晶化におけるSi 基板面方位依存性, 第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 734, 2003.
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• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems, The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract, The Electrochemical Society, No. 868, May 2007.
• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method, The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract, The Electrochemical Society, No. 745, May 2007.
• Yongshik Kim, Atsushi Kuriyama, Isao Ueda, Shun-ichiro OHMI, Kazuo Tsutsui, HIROSHI IWAI. Analysis of Electrical Characteristics of La2O3 Thin Film Annealed in Vacuum and Others, 33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2003), pp. 569-572, Sept. 2003.
• Ryota Higaki, Kazuo Tsutsui, Yuichiro Sasaki, Sadahiro Akama, Bunji Mizuno, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI IWAI. Effect of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process, 33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2003), pp. 231-234, Sept. 2003.
• Ikmi Kashiwagi, Chizuru Ohshima, Yongshik Kim, Shun-ichiro Ohmi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai. Dependence of Gd2O3 Thin Film Properties on Si Substrate Orienteation, IEEE Workshop on Microelectronics and Electron Devices (uE-ED2002), Oct. 2002.

Domestic Conference (Reviewed)

• 尹珠元, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI ISHIWARA. Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) MFIS diodes, 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 30a-P14-30/II, Mar. 2008.
• Hiroshi Nohira, 白石 貴義, 高橋 健介, 柏木 郁未, 大島 千鶴, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI IWAI, 城森 慎司, 中嶋 薫, 鈴木 基史, 木村 健二, 服部 健雄. 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造（極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術）, 電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス, 電子情報通信学会, Vol. 103, No. 149, pp. 25-29, June 2003.

International Conference (Not reviewed / Unknown)

• J. Molina, T. Mimura, Y. Nakamura, T. Shimizu, H. Funakubo, I. Fujiwara, T. Hoshii, S. Ohmi, A. Hori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima. Interface engineering of BEOL compatible ferroelectric Y:HfO2 device for enhanced endurance, 2020 IMW (The 12th International Memory Workshop), May 2020.
• Joel Molina-Reyes, Haruki Iwatsuka, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima. NiSi2 as a Promotor of Ferroelectricity in Si-doped HfO2 Thin Films after Low-Thermal Budget Processing, VLSI 2019 (2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits), June 2019.
• J. Molina, H. Iwatsuka, T. Hoshii, S. Ohmi, H. Funakubo, A. Hori, I. Fujiwara, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima. Ferroelectric Properties of Si doped HfO2 Thin Films with NiSi2 as Bottom Electrode, 235th ECS Meeting, May 2019.
• Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai. A Proposal of Twin-Channel(TC)-MOSFET and its Fabrication Process, 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices, Ext. Abst., pp. 223-228, July 2006.
• Masaki Satoh, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai. Characterization of n-MISFETs with Ultrathin HfO_xN_y Gate Insulator Formed by ECR-Ar/N₂ Plasma Nitridation, 2006 Electronic Materials Conference, pp. 67, June 2006.
• Shun-ichiro Ohmi, Tomoyuki Nakanishi, Ken-ichi Yahashi, Tetsushi Sakai. Novel Fabricaition Process for Multi SOI Layers Using Selective Etching of SiGe in Multi Si/SiGe Layers, 2006 Electronic Materials Conference, pp. 61, June 2006.
• S. Ohmi, Y. Kato, H. Fujiura, Y. Sawakuma, N. Ohkuma. Effect of Ultra-thin Ti Layer on PtSi Work Function Modulation, 2005 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Conference Proceedings, pp. 426-429, Sept. 2005.
• Shun-ichiro Ohmi, Tomoki Kurose, Masaki Satoh, Takafumi Uchikawa. ECR Ar/N₂ Plasma Nitridation of HfO₂ for High-k Gate Insulator Applications, 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices, Ext. Abst., pp. 7-10, June 2005.
• T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai. HfO_xN_y Thin Films Formed by ECR Ar/O₂ Plasma Oxidation of HfN Thin Films, The 15th Symposium of The Materials Research Society of Japan, pp. 129, Dec. 2004.
• H. Ohri, T. Yamazaki, S. Ohmi, T. Sakai. A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process, Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of properties and applications to ultrahigh speed and opto-electronic devices, pp. 79-80, Oct. 2004.
• S. Ohmi, H. Ohri, T. Yamazaki, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai. Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers: Separation by Bonding Si Islands Technology (SBSI), Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of properties and applications to ultrahigh speed and opto-electronic devices, pp. 77-78, Oct. 2004.
• T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, T. Sakai. Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Adavnced CMOS LSIs, 2004Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices, 2004Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices, pp. 13-16, June 2004.
• Tetsushi Sakai, Takashi Yamazaki, Shun-ichiro Ohmi, Shinya Morita, Hiroyuki Ori, Junichi Murota, Masao Sakuraba, HIroo Omi, Yasuo Takahashi. Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications, Second International SiGe Technology and Device Meeting, pp. ?, May 2004.
• Takashi Yamazaki, Tomohide Sekikawa, Shinya Morita, Yoshitaka Hakamada, Hiroyuki Ohri, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai. A Study on Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems for Device Applications, Material Research Society Fall Meeting Abstracts, pp. 572, Dec. 2003.
• Go Yamanaka, Takafumi Uchikawa, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai. AlON Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation for High-k gate Insulator Application, Material Research Society Fall Meeting Abstracts, pp. 140, Dec. 2003.
• S. Ohmi, I. Ueda, Y. Kobayashi, K. Tsutsui, H. Iwai. Electrical characteristics of rare-earth oxides stacked-layer structures, Ext. Abst. of International Workshop on Gate Insulator, pp. 28-31, Nov. 2003.
• S. Ohmi, H. Yamamoto, J. Taguchi, K. Tsutsui, H. Iwai. Effect of Vacuum Annealing on High-k Dy₂O₃ Thin Films Deposited on Si(100), Ext. Abst. of the 2003 Intenational Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 510-511, Sept. 2003.
• T. Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota. A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Lyaers, Abst. First International SiGe Technology and Device Meeting, pp. 31-32, Jan. 2003.

Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)

• Han Hui-Seong, Takahiro Sano, Young uk Song, Shun-ichiro Ohmi. Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS capacitor by Using ECR-Sputtering, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 13-105, Mar. 2010.
• Liao Min, Young uk Song, Jumpei Ishikawa, Shun-ichiro Ohmi. Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 12-424, Mar. 2010.
• Young uk Song, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Ishiwara. Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 12-435, Mar. 2010.
• Takahiro Sano, Shun-ichiro Ohmi. ECRスパッタ法により形成したHfN/HfSiON/Si(100)ゲートスタック構造の評価, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 13-104, Mar. 2010.
• Jun Gao, Jumpei Ishikawa, Shun-ichiro Ohmi. ２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの極薄膜化にかんする検討, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 13-178, Mar. 2010.
• Jumpei Ishikawa, Jun Gao, Shun-ichiro Ohmi. ウェットエッチングによるYb混晶化PtSiのパターニングに関する検討, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 13-177, Mar. 2010.
• Yuichiro Kimura, Jun Gao, Jumpei Ishikawa, Shun-ichiro Ohmi. RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 13-152, Mar. 2010.
• Jumpei Ishikawa, Jun Gao, Shun-ichiro Ohmi. ポストアニールによるYb混晶化PtSiの低抵抗率化に関する検討, 秋季第７０回応用物理学会学術講演会, 秋季第７０回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 756, Sept. 2009.
• Takahiro Sano, Shun-ichiro Ohmi. ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfN/HfONゲートスタック構造の形成, 秋季第７０回応用物理学会学術講演会, 秋季第７０回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 737, Sept. 2009.
• Jun Gao, Jumpei Ishikawa, Shun-ichiro OHMI. Hf混晶化PtSiの耐熱性に関する検討, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 867, Mar. 2009.
• Takahiro Sano, Shun-ichiro OHMI. 3次元構造上に形成したHfON薄膜の側壁部膜質の評価, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 850, Mar. 2009.
• Joo-Won Yoon, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Ishiwara. Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, Mar. 2009.
• Young uk Song, Md.Akhtaruzzaman, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Ishiwara. Characteristics of pentacene based MOS diodes with thin gate dielectric, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, pp. 1396, Mar. 2009.
• Jumpei Ishikawa, Jun Gao, Shun-ichiro OHMI. Yb混晶化PtSiの結晶性に関する検討, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 866, Mar. 2009.
• Jun Gao,Jumpei Ishikawa,Shun-ichiro OHMI. ２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 109, No. 118, pp. 7－10, 2009.
• Young uk Song,Shun-ichiro Ohmi,Hiroshi Ishiwara. Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 109, No. 127, pp. 43－46, 2009.
• Takahiro Sano,Takato Ohnishi,Shun-ichiro Ohmi. ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 109, No. 119, pp. 11－14, 2009.
• Shun-ichiro OHMI. RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 749, Sept. 2008.
• Jun Gao, Jumpei Ishikawa, Shun-ichiro OHMI. Hf結晶化PtSiの結晶性に関する検討, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 750, Sept. 2008.
• Shun-ichiro OHMI. ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfOxNy薄膜の形成, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, pp. 748, Sept. 2008.
• shun koh, Yusuke Nakano, Shun-ichiro OHMI. Hf混晶化PtSiのシリサイド化条件に関する検討, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 885, Mar. 2008.
• Takahiro Sano, Yusuke Nakano, Shun-ichiro OHMI. ECRスパッタ法による3次元ゲート構造上へのHfO2薄膜の形成, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 882, Mar. 2008.
• Yuichiro Suda, kouki notake, shun koh, Takahiro Sano, Shun-ichiro OHMI. RFスパッタ法による3次元構造上へのSiO2薄膜の形成, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 881, Mar. 2008.
• 尹珠元, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI ISHIWARA. Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride - trifluoroethylene) MFIS diodes, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 579, Mar. 2008.
• 尹珠元, Shun-ichiro OHMI, HIROSHI ISHIWARA. Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene), 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 549, pp. 13-16, Mar. 2008.
• Jun Gao,Jumpei ishikawa,Shun-ichiro Ohmi. Hf結晶化PtSiの仕事関数変数機構の検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 108, pp. 41-44, 2008.
• shun koh, Jiyunpei Ishikawa, Shun-ichiro OHMI. Hf結晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 108, No. 162, pp. 41-44, 2008.
• Shun-ichiro OHMI. HfNのECRプラズマ酸化により形成したHfOxNyのPDAプロセスの検討, International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 日本特別報告会, International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 日本特別報告会 Conf. Proc., ISSM日本事務局, pp. 25-33, Nov. 2007.
• Yusuke Nakano, 佐藤雅樹, Shun-ichiro OHMI. ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 19-22, Oct. 2007.
• Shun-ichiro OHMI, shun koh, Yusuke Nakano. Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 53-56, Oct. 2007.
• kouki notake, Yuichiro Suda, Shun-ichiro OHMI. SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 49-52, Oct. 2007.
• kouki notake, 金本啓, 加藤樹理, Shun-ichiro OHMI. SBSIプロセスによる極薄SOI/BOX層の均一形成に関する検討, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 859, Sept. 2007.
• Yusuke Nakano, Shun-ichiro OHMI. 高誘電率HfOxNy絶縁膜のPDAプロセスの検討, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 812, Sept. 2007.
• 大見俊一郎, 澤熊悠, 大熊直樹. PtSiの混晶化による仕事関数変調, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 106, No. 277, pp. 33-36, Oct. 2006.
• 大見俊一郎. ECRプラズマプロセスによる高誘電率ゲート絶縁膜の形成, 電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集, pp. 14-19, Sept. 2006.
• 佐藤雅樹, 仲野雄介, 大見俊一郎. Pt/HfO_xN_y/Si(100)ゲート積層構造の形成とPMA条件の検討, 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 715, Aug. 2006.
• 野武幸輝, 矢橋健一, 大見俊一郎. SBSIプロセスにおけるSi島の均一形成に関する検討, 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 778, Aug. 2006.
• 矢橋健一, 野武幸輝, 大見俊一郎. SBSI技術による極薄SOI/BOX層の形成, 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 779, Aug. 2006.
• 仲野雄介, 佐藤雅樹, 黒瀬朋紀, 大見俊一郎. HfNのECRプラズマ酸化により形成したHfO_xN_yのゲート絶縁膜応用, 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 715, Aug. 2006.
• 大見俊一郎, 黒瀬朋紀, 佐藤雅樹. HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 106, No. 108, pp. 93-97, June 2006.
• 大見俊一郎. 半導体の基礎：半導体とはどのようなものであるか, 2006半導体入門セミナー, プレスジャーナル, pp. 17-36, Apr. 2006.
• 佐藤雅樹, 黒瀬朋紀, 大見俊一郎. ECR-Ar/N₂プラズマにより形成したHfO_xN_y膜を用いたn-MISFETの作製, 第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 854, Mar. 2006.
• 大熊直樹, 澤熊悠, 大見俊一郎. せり上げPtSi-SALICIDEにおける選択エッチングプロセスの検討, 第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 899, Mar. 2006.
• Michihiro Kawashita, Hiroshi Yamasaki, Shun-ichiro OHMI, Masao Sakuraba, Jyunichi Murota, Tetsushi Sakai. TML-MOSFETにおける極微細3次元チャネル形成プロセスの検討, 第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 934, Mar. 2006.
• 大見俊一郎. 耐熱性金属との混晶化によるPtSiの仕事関数制御とせり上げsalicideプロセスへの応用, International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2005 日本特別報告会、 Conference Proceedings, pp. 121－130, Nov. 2005.
• 仲西知之, 高橋博, 矢橋健一, 大見俊一郎, 酒井徹志. 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 105, No. 317, pp. 9-12, Oct. 2005.
• 黒瀬朋紀, 佐藤雅樹, 大見俊一郎. HfNのECR Ar/O₂プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 105, No. 318, pp. 17-20, Oct. 2005.
• 佐藤雅樹, 黒瀬朋紀, 大見俊一郎. ECR-Ar/N₂プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 105, No. 318, pp. 11－15, Oct. 2005.
• 佐藤雅樹, 黒瀬朋紀, 大見俊一郎. 極薄HfO₂薄膜のECR Ar/N₂プラズマ窒化条件の検討, 第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 674, Sept. 2005.
• 黒瀬朋紀, 佐藤雅樹, 大見俊一郎. HfNのECR Ar/O₂プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成, 第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 681, Sept. 2005.
• Michihiro Kawashita, Shun-ichiro OHMI, Masao Sakuraba, Jyunichi Murota, Tetsushi Sakai. TML(Twin-Multi-Layer Channel) MOSFETの作製プロセスに関する検討, 第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 741, Sept. 2005.
• 藤裏弘樹, 加藤有亮, 大見俊一郎, 酒井徹志. Si/Pt/Si(100)積層構造のシリサイド化によるPtSiの形成, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 944, Apr. 2005.
• Michihiro Kawashita, Hiroshi Yamasaki, Yoshitaka Hakamada, Shun-ichiro OHMI, Masao Sakuraba, Jyunichi Murota, Tetsushi Sakai. 新構造TML(Twin-Multi-Layer Channel)MOSFET, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 982, Mar. 2005.
• 森俊介, 中港努, 大見俊一郎, 酒井徹志. ECRスパッタ法による3次元ゲート構造上への高誘電率絶縁膜の形成, 第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 980, Mar. 2005.
• 中光豊, 中港努, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志. AlO_x/Si(100)界面特性のECRスパッタ条件依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 2, pp. 664, Sept. 2004.
• Eisuke Tokumitsu, SShun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai. High-k　ゲート絶縁膜用酸化物材料の研究, 電気学会電子材料研究会, 電気学会電子材料研究会資料, Vol. EFM-01, pp. 37-41, Sept. 2001.

Patent

• Shun-ichiro OHMI. 強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学. 2022/02/18. PCT/JP2022/006613. 2022/09/15. WO 2022/190817. 2022.
• Shun-ichiro OHMI. 積層体、積層体を含む電子源及び電子デバイス、並びに積層体の製法及び浄化方法. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人 物質・材料研究機構. 2021/09/22. 特願2021-154427. 2023/04/03. 特開2023-045834. 2023.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体装置および浮遊ゲートデバイスの製造方法. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学. 2021/05/14. 特願2021-082485. 2022/11/25. 特開2022-175792. 2022.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体装置および浮遊ゲートデバイスの製造方法. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学. 2021/02/25. 特願2021-028111. 2022/09/06. 特開2022-129448. 2022.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体装置. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学. 2020/09/23. 特願2020-158828. 2022/04/04. 特開2022-052432. 2022.
• Shun-ichiro OHMI. トランジスタおよび不揮発性メモリ. Patent. Registered. 国立大学法人東京工業大学. 2019/06/28. 特願2019-122028. 2021/01/28. 特開2021-009893. 特許第7357901号. 2023/09/29 2023.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体デバイス電極用のシリサイド合金膜及びシリサイド合金膜の製造方法. Patent. Registered. 国立大学法人東京工業大学, 田中貴金属工業株式会社. 2016/06/24. 特願2017-524988. 2018/04/12. 再表2016/208704. 特許第6455847号. 2018/12/28 2018.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体デバイス電極の製造方法. Patent. Registered. 国立大学法人東京工業大学, 田中貴金属工業株式会社. 2015/06/26. 特願2015-128775. 2017/01/19. 特開2017-017050. 特許第6086550号. 2017/02/10 2017.
• Shun-ichiro OHMI. 有機半導体素子及びそれを備えたCMIS半導体装置. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学, 国立大学法人東北大学. 2012/12/12. 特願2012-271769. 2014/06/26. 特開2014-116564. 2014.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体装置の製造方法. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社. 2007/11/08. 特願2007-290698. 2008/07/10. 特開2008-160073. 2008.
• Shun-ichiro OHMI. 半導体装置の製造方法. Patent. Registered. 国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社. 2006/05/31. 特願2006-151441. 2007/12/13. 特開2007-324292. 特許第4854074号. 2011/11/04 2011.
• Tetsushi Sakai, Shun-ichiro OHMI. 半導体基板、半導体装置及び半導体基板の作成方法. Patent. Published. 国立大学法人東京工業大学. 2004/10/04. 特願2005-514563. 2005/04/21. WO2005/036638. 2005.

Degree

• 強誘電体によるAlGaAs/GaAs系2次元電子ガスの制御とデバイス応用に関する研究,  Thesis,  Doctor of Engineering,  東京工業大学,  1996/03/26,   

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