論文

• H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, D. Plumwongrot, T. Maruyama, A. Haque, S. Tamura, S. Arai. GaInAsP/InP Partially Strain-Compensated Multiple-Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Processes, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 6A, pp. 3401-3409, 2004.
• T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. Low Threshold Membrane BH-DFB Laser Arrays with Precisely Controlled Wavelength over a Wide Range, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 15, No. 5, pp. 1242-1244, 2004.
• A. Haque, T. Maruyama, H. Yagi, T. Sano, D. Plumwongrot, S. Arai. Anomalous in-plane polarization dependence of optical gain in compressively strained GaInAsP/InP quantum wire lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 40, No. 9, pp. 1344-1351, 2004.
• K. Ohira, T. Murayama, M. Hirose, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. Low-threshold and high-efficiency operation of 1.5 μm distributed reflector laser with DFB grating and Q-wire DBR sections, Electron. Lett., Vol. 40, No. 20, pp. 1269-1271, 2004.
• H. Yagi, T. Sano, K. Miura, D. Plumwongrot, K. Ohira, T. Maruyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP long-wavelength lasers with strain-compensated quantum-wire active regions and SiO₂/semiconductor reflectors, IEICE Electronics Express, Vol. 1, No. 17, pp. 540-544, 2004.
• K. Ohira, T. Murayama, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. Low-Threshold Distributed Reflector Laser Consisting of Wide and Narrow Wirelike Active Regions, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 17, No. 2, pp. 264-266, Feb. 2005.
• H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, K. Miura, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. GaInAsP/InP Multiple-Quantum-Wire Lasers with Narrow (14 nm) Quantum-Wire Structure, The 16th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2004), Vol. Kagoshima, No. TuA3-4, pp. 100-103, 2004.
• K. Ohira, T. Murayama, M. Hirose, H. Yagi, S. Tamura, A. Haque, S. Arai. Low-Threshold and High Efficiency Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions and Quantum-Wire DBR, The 16th International Conference on Indium Phosphide and related Materials (IPRM2004), Vol. Kagoshima, No. WA4-6, pp. 562-565, 2004.
• T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. Short Cavity Membrane BH-DFB Laser with λ/4 Phase Shift, 16th Indium Phosphide and Related Materials Conf. (IPRM2004), Vol. Kagoshima, No. WA-3-3, pp. 519-523, 2004.
• H. Yagi, T. Sano, K. Miura, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. 1.5 μm Wavelength GaInAsP/InP Multiple-Quantum-Wire Lasers with SiO₂/Semiconductor Reflector, The 9th Optoelectronics and Communications Conference (OECC2004), Vol. Yokohama, No. 14E1-4, pp. 522-523, 2004.
• T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. Improved Temperature Insensitivity of Membrane BH-DFB Laser with Polymer Cladding Layers, The 9th Optoelectronics and Communication Conference (OECC2004), Vol. Yokohama, No. 14E2-3, pp. 528-529, 2004.
• K. Ohira, T. Murayama, M. Hirose, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. Low-Threshold Operation of Distributed Reflector Laser with Width Modulated Wirelike Active Regions, The 19th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC2004), Vol. Matsue, No. FB5, pp. 133-134, 2004.
• 八木英樹, 佐野琢哉, D. Plumwongrot, 三浦幸治, 大平和哉, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. CH₄/H₂ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ, 電子情報通信学会技術研究報告レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. Tokyo, No. OPE2004-18/LQE2004-1, pp. 1-6, 2004.
• 大平和哉, 丸山武男, 広瀬誠人, 八木英樹, 田村茂雄, A. Haque, 荒井滋久. 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作, 電子情報通信学会技術研究報告レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. Tokyo, No. OPE2004-19, LQE2004-, pp. 7-10, 2004.
• 岡本健志, 山崎達也, 阪本真一, 田村茂雄, 荒井滋久. 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ, 電子情報通信学会技術研究報告レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. Tokyo, No. OPE2004-19, LQE2004-, pp. 11-14, 2004.
• 村山智則, 大平和哉, 広瀬誠人, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 細線状活性層を用いた分布反射型(DR)レーザの低しきい値動作, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZZ-2, pp. 1259, 2004.
• 佐野琢哉, 八木英樹, 大平和哉, D. Plumwongrot, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. 狭細線(14nm)構造を有するGaInAsP/InP歪補償5層量子細線レーザ, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 31a-ZZ-4, pp. 1270, 2004.
• 八木英樹, 佐野琢哉, D. Plumwongrot, 三浦幸治, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの再成長界面のTEM観測, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 31a-ZZ-5, pp. 1270, 2004.
• 三浦幸治, 八木英樹, 佐野琢哉, D. Plumwongrot, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. SiO₂/半導体反射鏡を有するGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 31a-ZZ-6, pp. 1271, 2004.
• 岡本健志, 山崎達也, 阪本真一, 田村茂雄, 荒井滋久. 誘電体クラッドを用いた半導体薄膜BH-DFBレーザにおけるアサーマル効果の観測, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZZ-5, pp. 1260, 2004.
• 山崎達也, 岡本健志, 阪本真一, 田村茂雄, 荒井滋久. 一括励起半導体薄膜BH-DFB多波長レーザアレイの試作, 第51回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZZ-6, pp. 1260, 2004.
• 大平和哉, 村山智則, 広瀬誠人, 八木英樹, A. Haque, 田村茂雄, 荒井滋久. 線幅変調回折格子を有する分布反射型(DR)レーザの低しきい値動作, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 宮城, No. 1a-ZN-8, pp. 1019, 2004.
• 丸山武男, D. Plumwongrot, 八木英樹, 三浦幸治, 荒井滋久. GaInAsP/InP 歪補償多層量子細線レーザの細線方向依存性, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 宮城, No. 1a-ZN-14, pp. 1021, 2004.
• 阪本真一, 岡本健志, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. EB露光量制御による微小波長間隔半導体薄膜BH-DFBレーザアレイ, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 宮城, No. 1a-ZN-9, pp. 1019, 2004.
• 阪本真一, 岡本健志, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. 高屈折率差導波路構造を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ, 第65回応用物理学会学術講演会, Vol. 宮城, No. 1a-ZN-10, pp. 1020, 2004.
• Yuqing Jiao, Nobuhiko Nishiyama, Jos van der Tol, Jorn van Engelen, Vadim Pogoretskiy, Sander Reniers, Amir Abbas Kashi, Yi Wang, Victor Dolores Calzadilla, Marc Spiegelberg, Zizheng Cao, Kevin Williams, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. InP membrane integrated photonics research, Semiconductor Science and Technology, IOP publishing, vol. 36, no. 1, p. 013001, Dec. 2020.
• Makoto Tanaka, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Control of slow-light effect in a metamaterial-loaded Si waveguide, Optics Express, Vol. 28, Issue 16, pp. 23198-23208, July 2020.
• Takehiko Kikuchi, Liu Bai, Takuya Mitarai, Hideki Yagi, Masato Furukawa, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Enhanced bonding strength of InP/Si chip-on-wafer by plasma-activated bonding using stress-controlled interlayer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 59, p. SBBD02, May 2020.
• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Yuta Yokomura, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Continuous-wave operation of a 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP transistor laser up to 90 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Japanese Applied Physics Society, Vol. 59, Number 4, p. 042003, Apr. 2020.
• Takehiko Kikuchi, Liu Bai, Takuya Mitarai, Hideki Yagi, Masato Furukawa, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Enhanced bonding strength of InP/Si chip-on-wafer by plasma-activated bonding using stress-controlled interlayer, Japanese Journal of Applied Physics, Volume 59, Number SB, pp. SBBD02-1, Dec. 2019.
• hibiki kagami, tomohiro amemiya, Makoto Tanaka, Yuning Wang, Nobuhiko nishiyama, Shigehisa Arai. Metamaterial infrared refractometer for determining broadband complex refractive index, Optics Express, Vol. 27, No. 20, pp. 28879-28890, Sept. 2019.
• Keisuke Masuda, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Makoto Tanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of I/O metal grating coupler for organic membrane photonic integrated circuits, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 58, No. 5, 2019.
• Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Makoto Tanaka, Hibiki Kagami, Keisuke Masuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Demonstration of slow-light effect in a silicon-wire waveguide with a metamaterial, Optics Express, Vol. 27, No. 10, pp. 15007-15017, 2019.
• Jo Tei, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Koichi Saito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of GaInAs/InP membrane p-i-n photodiodes with back-end distributed Bragg reflector, Journal of Optical Society of America B, Vol. 36, No. 4, pp. 1054-1061, 2019.
• Junichi Suzuki, Fumihito Tachibana, Kumi Nagasaka, Moataz S. A. M. Eissa, Liu Bai, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Highly efficient double-taper-type coupler between III-V/Silicon-on-insulator hybrid device and silicon waveguide, Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, Vol. 57, No. 9, p. 094101, Aug. 2018.
• Nobuhiko Nishiyama, JoonHyun Kang, Yuki Kuno, Kazuto Ito, Yuki Atsumi, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Si-photonics-based Layer-to-layer Coupler Toward 3D Optical Interconnection, IEICE Transactions on Electronics, Vol. E101-C, No. 7, pp. 501-508, July 2018.
• Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of slow-light effect in silicon wire waveguides with metamaterials, Journal of Optical Society of America B, Vol. 35, No. 4, pp. 797-804, Apr. 2018.
• Daisuke Inoue, Daehwan Jung, Justin Norman, Yating Wan, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Arthur C. Gossard, John E. Bowers. Directly modulated 1.3 μm quantum dot lasers epitaxially grown on silicon, Optics Express, Vol. 26, No. 6, pp. 7022-1-7022-12, Mar. 2018.
• Zhichen Gu, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. 20-Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodiode bonded on Si substrate, Applied Physics Express, Vol. 11, No. 2, p. 022102, Jan. 2018.  公式リンク  
  
• Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. 20-Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser with an energy cost of less than 100 fJ/bit, Applied Physics Express, Vol. 11, No. 1, pp. 012704, Jan. 2018.
• K. Okazeri, K. Muraoka, Y. Shoji, S. Nakagawa, N. Nishiyama, S. Arai, T. Mizumoto. Self-Holding Magneto-Optical Switch Integrated with Thin-Film Magnet, IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 30, no. 4, pp. 371-374, Jan. 2018.
• Shigehisa Arai, Tomohiro Amemiya. Semiconductor Membrane Lasers and Photodiode on Si, Semiconductors and Semimetals, Vol. 99, pp. 71-95, 2018.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 1, p. 012102, Dec. 2017.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency Operation of GaInAsP/InP Membrane Distributed-Reflector Laser on Si, IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 29, No. 21, pp. 1832-1835, Nov. 2017.
• Zhichen Gu, Tatsuya Uryu, Nagisa Nakamura, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. On-chip Membrane-based GaInAs/InP Waveguide-type p-i-n Photodiode Fabricated on Silicon Substrate, Applied Optics, Vol. 56, No. 28, pp. 7841-7848, Oct. 2017.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 顕微赤外分光イメージングで見る光学迷彩, FTIR TALK LETTER, Vol. 29, pp. 2-5, Sept. 2017.
• 雨宮 智宏, Zhichen Gu, 庄司 雄哉, 水本 哲弥, 荒井 滋久, 田中 拓男, 石川 篤. 光デバイスへ向けた紫外線硬化樹脂と磁性体の三次元光造形, 光アライアンス, Vol. 28, No. 11, pp. 44-49, Sept. 2017.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Satoshi Yamasaki, Shigehisa Arai. Metamaterial Waveguide Devices for Integrated Optic, Materials, Vol. 10, No. 9, pp. 1037, Aug. 2017.
• Tomohiro Amemiya, toru kanazawa, takuo hiratani, daisuke inoue, zhichen gu, satoshi yamasaki, tatsuhiro urakami, shigehisa arai. Organic membrane photonic integrated circuits (OMPICs), Optics Express, Vol. 25, No. 16, pp. 18537-18552, Aug. 2017.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Lasers on Silicon Substrate, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 23, no. 6, p. 3700108, July 2017.  公式リンク  
  
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Integrated Optical Link on Si Substrate Using Membrane Distributed-Feedback Laser and p-i-n Photodiode, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 23, no. 6, p. 3700208, July 2017.  公式リンク  
  
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High differential quantum efficiency operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser on Si,, Applied Physics Express, vol. 10, no. 6, p. 062702, May 2017.  公式リンク  
  
• Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Satoshi Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Introduction of AlInAs-oxide Current Confinement Structure into GaInAsP/SOI Hybrid Fabry-Pérot Laser, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 56, No. 6, p. 062103, May 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Investigation on the waveguide loss reduction for the high efficiency operation of GaInAsP/InP membrane laser, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 56, no. 5, pp. 0503011-1-4, Apr. 2017.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 荒井 滋久, 浦上 達宣. 有機薄膜光集積回路, 月刊OPTRONICS, Vol. 423, No. 3, pp. 103-113, Mar. 2017.
• Satoshi Yamasaki, Akio Yasui, Tomohiro Amemiya, Kentaro Furusawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Atsushi Kanno, Norihiko Sekine, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Akifumi Kasamatsu, Shigehisa Arai. Optically-driven Terahertz Wave Modulator using Ring-shaped Microstripline with GaInAs Photoconductive Mesa Structure, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 23, No. 4, p. 3400408, Feb. 2017.  公式リンク  
  
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 90 °C continuous-wave operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser on Si substrate, Applied Physics Express, vol. 10, no. 3, p. 032702, Feb. 2017.  公式リンク  
  
• Kai Fukuda, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Preliminary reliability test of lateral-current-injection GaInAsP/InP membrane distributed feedback laser on Si substrate fabricated by adhesive wafer bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 56, No. 2, pp. 028002, Jan. 2017.  公式リンク  
  
• E. Ishida, K. Miura, Y. Shoji, H. Yokoi, T. Mizumoto, N. Nishiyama, S. Arai. Amorphous-Si waveguide on a garnet magneto-optical isolator with a TE mode nonreciprocal phase shift, Optics Express, vol. 25, no. 1, pp. 452-462, Jan. 2017.
• Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Kazuto Itou, Zhichen Gu, Chiyumi Yamada, Toshiki Yamada, Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Akira Otomo, Shigehisa Arai. Analysis of Ultra Compact Plasmonic Modulator with Metal-Taper Structure Embedded in Furan–Thiophene Chromatophore Electro-Optic Polymer, Applied Optics, Vol. 56, No. 8, pp. 2053-2059, 2017.
• Zhichen Gu, Takuo Hiratani, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Study of Slow-light-enhanced Membrane Photodetector for Realizing On-chip Interconnection with Low Power Consumption, J. Opt. Soc. Am B, Vol. 34, No. 2, pp. 440-446, 2017.
• Maegami, Y., Cong, G., Ohno, M., Okano, M., Itoh, K., Nishiyama, N., SHIGEHISA ARAI, Yamada, K.. High-efficiency strip-loaded waveguide based silicon Mach-Zehnder modulator with vertical p-n junction phase shifter, Optics Express, Vol. 25, No. 25, pp. 31407-31416, 2017.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 西山 伸彦, 荒井 滋久, 浦上 達宣, 田中 拓男, 石川 篤. 光学迷彩とメタマテリアルフィルム, 光技術コンタクト, Vol. 54, No. 11, pp. 27-36, Nov. 2016.
• Kazuto Itou, Yuki Kuno, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Crystalline/Amorphous Si Integrated Optical Couplers for 2D/3D Interconnection, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 22, No. 6, pp. 4403209, Oct. 2016.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 「透明人間」と非対称光学迷彩, 月刊パリティ, Vol. 31, No. 9, pp. 12-17, Sept. 2016.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-bias current 10 Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane DFB laser on silicon, Optics Express, Vol. 24, No. 16, pp. 18571-18579, Aug. 2016.
• 西山 伸彦, 荒井 滋久, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏. InP半導体薄膜構造による1.55µm帯レーザーの低しきい値・高速動作, レーザー研究, Vol. 44, No. 8, pp. 508-513, Aug. 2016.
• Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Satoshi Inoue, Hasan Shovon, Yuki Kuno, Kazuto Itou, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/silicon-on-insulator hybrid laser with ring-resonator-type reflector fabricated by N2 plasma-activated bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, pp. 082701-1-7, July 2016.  公式リンク  
  
• Eiichi Ishida, Kengo Miura, Yuya Shoji, Tetsuya Mizumoto, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Magneto-optical switch with amorphous silicon waveguides on magneto-optical garnet, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 55, no. 8, p. 088002, July 2016.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 光学迷彩とメタマテリアル, 応用物理, Vol. 86, No. 6, pp. 501-506, June 2016.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Improvement in the current-gain of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070301-1-070301-4, June 2016.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Shigehisa Arai. (Invited paper) Transformation Physics and Camouflage, IEICE Transactions on Electronics, Vol. J99-C, No. 4, pp. 67-83, Apr. 2016.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 光回路のためのプラズモニックメタマテリアル, 月刊OPTRONICS, Vol. 408, No. 12, pp. 97-104, Dec. 2015.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High-modulation efficiency operation of GaInAsP/InP membrane distributed feedback laser on Si substrate, Optics Express, Vol. 23, No. 22, pp. 29024-29031, Oct. 2015.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Yuuki Atsudi, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-temperature continuous-wave operation of membrane distributed-reflector laser, Applied Physics Express, Vol. 8, No. 11, p. 112701, Oct. 2015.  公式リンク  
  
• Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Takuo Hiratani, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Optical Transmission Between III-V Chips on Si Using Photonic Wire Bonding, Optics Express, vol. 23, no. 17, pp. 22394-22403, Sept. 2015.
• Takuo Hiratani, Takahiko Shindou, Kyohei Doi, Yuuki Atsudi, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Energy Cost Analysis of Membrane Distributed-Reflector Lasers for On-chip Optical Interconnects, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 21, No. 6, 1503410, July 2015.  公式リンク  
  
• Yuuki Atsudi, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low Threshold Current Operation of Membrane Distributed Feedback Laser with Surface Grating Bonded on Si Substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 54, No. 8, pp. 080301, July 2015.  公式リンク  
  
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Monolithic Integration of Membrane-based Butt-jointed Built-in DFB Lasers and PIN Photodiodes Bonded on Si Substrate, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 21, No. 6, pp. 1502907, July 2015.
• Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Sub-milliampere threshold operation of butt-jointed built-in membrane DFB laser bonded on Si substrate, Optics Express, Vol. 23, No. 6, pp. 7771, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• Takuo Hiratani, Kyohei Doi, Jieun Lee, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Thermal properties of lateral-current-injection semiconductor membrane Fabry–Perot laser under continuous-wave operation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 54, No. 4, pp. 042701, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Joonhyun Kang, Takuo Hiratani, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Investigation of Optical Interconnection by Using Photonic Wire Bonding, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, vol. 10, no. 2, pp. 148-153, Mar. 2015.
• Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of apodized hydrogenated amorphous silicon grating couplers with metal mirrors for inter-layer signal coupling: Toward three-dimensional optical interconnection, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 54, No. 4S, pp. 04DG04, Mar. 2015.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Toru Kanazawa, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability-controlled Optical Modulator with Tri-gate Metamaterial: Control of Permeability on InP-based Photonic Integration Platform, Scientific Reports, Vol. 5, pp. 8985, Mar. 2015.
• Atsushi Ishikawa, Tomohiro Amemiya, Yuya Shoji, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, Tetsuya Mizumoto, Shigehisa Arai, Takuo Tanaka. Optical and Magnetic Microstructures in YIG Ferrite Fabricated by Femtosecond Laser, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol. 10, No. 1, pp. 48-52, Feb. 2015.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Shigehisa Arai. Optical Lattice Model Towards Nonreciprocal Invisibility Cloaking, IEEE Journal Quantum Electronics, Vol. 51, No. 3, pp. 6100110, Jan. 2015.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Eijun Murai, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP-based optical modulator consisting of gap-surface-plasmon-polariton waveguide: theoretical analysis, Journal of the Optical Society of America B, Vol. 31, No. 11, pp. 2908-2913, Nov. 2014.  公式リンク  
  
• Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Surface assessment after removing III–V layer on III–V/silicon-on-insulator wafer fabricated by plasma activated bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 11, pp. 118003, Nov. 2014.  公式リンク  
  
• Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Spectral characteristics of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser under various operating conditions, IEICE Electronics Express, Vol. 11, No. 18, pp. 1-6, Aug. 2014.
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Yuki Kuno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Amorphous-Silicon Inter-Layer Grating Couplers with Metal Mirrors toward 3D Interconnection, Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 20, No. 4, 8202308, July 2014.  公式リンク  
  
• Daisuke Inoue, Jieun Lee, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate, Applied Physics Express, Vol. 7, No. 7, pp. 072701, July 2014.  公式リンク  
  
• Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of higher-order mode suppressed transmission in low-loss silicon multimode waveguide on silicon-on-insulator substrates, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 53, No. 7, pp. 078002, June 2014.  公式リンク  
  
• Y. Atsumi, N. Taksatorn, N. Nishiyama, Y. Miyamoto, S. Arai. Loss reduction of Si optical waveguides by beam step-size fracturing technique in electron beam lithography, Japanese Journal of Applied Physics, JSAP, Vol. 53, No. 6, p. 06JB04, May 2014.
• Kyohei Doi, Takahiko Shindo, Jieun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Thermal Analysis of Lateral-Current-Injection Membrane Distributed Feedback Laser, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 50, No. 5, pp. 321 - 326, May 2014.  公式リンク  
  
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Yuki Kuno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. 50 Gbps data transmission through amorphous silicon interlayer grating couplers, Applied Physics Express, Vol. 7, No. 3, 032202, Feb. 2014.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Yuya Shoji, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, Tetsuya Mizumoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Three-dimensional nanostructuring in YIG ferrite with femtosecond laser, Optics Letters, Vol. 39, No. 2, p. 212, Jan. 2014.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindo, Takayuki Koguchi, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Yoshiaki Yamahara, Jieun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. 10 Gbps Operation of Top Air-Clad Lateral Junction Waveguide-Type Photodiodes, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 11, pp. 118002, Nov. 2013.  公式リンク  
  
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 【解説】 オンチップ光通信に向けたプラズモニクス - 世界の今とこれから -, 光アライアンス（日本工業出版）, Vol. 24, No. 9, pp. 42-48, Sept. 2013.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Design and Characterization of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Transistor Lasers Emitting at 1.3-µm Wavelength, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., Vol. 19, No. 4, pp. 1502608, July 2013.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lateral-Current-Injection Type Membrane Distributed Feedback Lasers for On-chip Optical Interconnections, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., Vol. 19, No. 4, pp. 1502009, July 2013.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lateral-Current-Injection Type Membrane DFB Laser With Surface Grating, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 13, pp. 1282-1285, July 2013.  公式リンク  
  
• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low Threshold Current Density Operation of a GaInAsP/Si Hybrid Laser Prepared by Low-Temperature N2 Plasma Activated Bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 6, p. 060202, June 2013.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of npn-AlGaInAs Transistor Laser Emitting at 1.3-um Wavelength, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 8, pp. 728-730, Feb. 2013.  公式リンク  
  
• Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, Noriaki Sato, Shigehisa Arai. Theoretical analysis of the damping effect on a transistor laser, IEICE Electronics Express, Vol. 9, No. 23, pp. 1792-1798, Dec. 2012.
• Yuki Atsumi, Dan-Xia Xu, Andre Delage, Jens Schmid, Martin Vachon, Pavel Cheben, Siegfried Janz, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Simultaneous retrieval of fluidic refractive index and surface adsorbed molecular film thickness using silicon wire waveguide biosensors, Optics Express, Optical society of America, Vol. 20, No. 24, pp. 26969-26977, Nov. 2012.
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Layer-to-Layer Grating Coupler Based on Hydrogenated Amorphous Silicon for Three-Dimensional Optical Circuits, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 12, pp. 120203, Nov. 2012.  公式リンク  
  
• Seiji Myoga, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Carrier-concentration-dependent resonance frequency shift in a metamaterial loaded semiconductor, J. Opt. Soc. Am. B, Vol. 29, No. 8, pp. 2110-2115, Aug. 2012.  公式リンク  
  
• Yuuta Takino, Mizuki Shirao, Noriaki Sato, takashi sato, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Improved regrowth interface of AlGaInAs/InP-buried-heterostructure lasers by in-situ thermal cleaning, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 48, No. 8, pp. 971-979, Aug. 2012.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Seiji Myoga, Takahiko Shindo, Eijun Murai, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Permeability retrieval in InP-based waveguide optical device combined with metamaterial, Optics Lett., Vol. 37, No. 12, pp. 2301-2303, July 2012.  公式リンク  
  
• Mitsuaki Futami, Takahiko Shindo, Takayuki Koguchi, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum Well Structure, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 24, No. 11, pp. 888-890, June 2012.  公式リンク  
  
• K. Ishigaki, M. Shiraishi, S. Suzuki, M. Asada, N. Nishiyama, S. Arai. Direct intensity modulation and wireless data transmission characteristics of terahertz-oscillating resonant tunnelling diodes, Electron. Lett., vol. 48, no. 10, pp. 582-583, May 2012.
• Daisuke Takahashi, SeungHun Lee, Mizuki Shirao, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Carrier-Transport-Limited Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 48, No. 5, pp. 688-695, May 2012.  公式リンク  
  
• Jieun Lee, Yasuna Maeda, Yuki Atsumi, Yuuta Takino, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low-Loss GaInAsP Wire Waveguide on Si Substrate with Benzocyclobutene Adhesive Wafer Bonding for Membrane Photonic Circuits, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 51, pp. 042201-1 - 042201-5, Apr. 2012.
• Mizuki Shirao, takashi sato, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Room-temperature operation of npn- AlGaInAs/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.3-µm wavelength, Optics Express, Vol. 20, No. 4, pp. 3983–3989, Feb. 2012.
• Yuki ATSUMI, Manabu ODA, JoonHyun KANG, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI. Athermal wavelength filters toward optical interconnection to LSIs, IEICE Transactions on Electronics, IEICE, Vol. E95-C, No. 2, pp. 229-236, Feb. 2012.
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low-loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 12, pp. 120208, Nov. 2011.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 17, No. 5, pp. 1175 - 1182, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• S. Arai, N. Nishiyama, T. Maruyama, T. Okumura. GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., IEEE, Vol. 17, No. 5, pp. 1381 - 1389, Sept. 2011.
• SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-power-consumption High-eye-margin 10 Gbit/s Operation by GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 23, No. 18, pp. 1349 - 1351, Aug. 2011.  公式リンク  
  
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding, Japanase Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 8, p. 088005, Aug. 2011.
• Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 50, No. 7, pp. 070203-1 - 070203-3, July 2011.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Seiji Myoga, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Nonunity permeability in metamaterial-based GaInAsP/InP multimode interferometers, Optics Lett., Vol. 36, No. 12, pp. 2327-2329, June 2011.  公式リンク  
  
• mizuki shirao, takashi sato, yuta takino, noriaki sato, nobuhiko nishiyama, shigehisa arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-µm Transistor Laser with AlGaInAs/InP Quantum Wells, Appl. Phys. Express, Vol. 4, No. 7, pp. 072101-1-3, June 2011.
• Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Magnetic Interactions at Optical Frequencies in an InP-Based Waveguide Device with Metamaterial, IEEE J. Quantum Electronics, Vol. 47, No. 5, pp. 736-744, May 2011.  公式リンク  
  
• Mizuki Shirao, SeungHun Lee, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Large-Signal Analysis of a Transistor Laser, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 47, No. 3, pp. 359-367, Mar. 2011.
• Tadashi Okumura, daisuke kondo, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 50, No. 2, pp. 020206-1 - 020206-3, Feb. 2011.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP lateral-current-injection distributed feedback laser with a-Si surface grating, Opt. Express, Vol. 19, No. 3, pp. 1884–1891, Jan. 2011.  公式リンク  
  
• SeungHun Lee, Devang Parekh, Takahiko Shindo, Weijian Yang, Peng Guo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Connie J. Chang-Hasnain, Shigehisa Arai. Bandwidth enhancement of injection-locked distributed reflector lasers with wirelike active regions, Optics Express, Optical Society of America, Vol. 18, No. 16, pp. 16370-16378, Aug. 2010.
• Yuki Atsumi, Keita Inoue, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, Vol. 49, pp. 050206-1-3, May 2010.  公式リンク  
  
• Tadashi Okumura, Hitomi Ito, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-insulating InP, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 49, No. 4, Page 040205, Apr. 2010.
• SeungHun Lee, Noriaki Tajima, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Optical-Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions for Isolator-Free Operation, IEEE Photon. Technol. Lett., IEEE, Vol. 21, No. 20, pp. 1529 - 1531, Oct. 2009.
• Mizuki Shirao, Yuki Numajiri, Ryo Yokoyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai. Preliminary Experiment for Direct Media Conversion to Sub-Terahertz Wave Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-generated Free Carriers, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 48, no. 9, pp. 090203-1-3, Sept. 2009.
• Takahiko Shindo, SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa ARAI. Low-Threshold and High-Efficiency Operation of Distributed Reflector Laser With Wirelike Active Regions, IEEE Photon. Technol. Lett., IEEE, Vol. 21, No. 19, pp. 1414-1416, Sept. 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Takeo Maruyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral current injection GaInAsP/InP laser on semi-insulating substrate for membrane-based photonic circuits, Opt. Express, Vol. 17, No. 15, pp. 12564-12570, July 2009.
• SHIGEHISA ARAI, Takeo Maruyama. GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers, IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., IEEE, Vol. 15, No. 3, pp. 731-742, May 2009.
• Keita Inoue, Dhanorm Plumwongrot, Nobuhiko Nishiyama, Shinichi Sakamoto, Haruki Enomoto, Shigeo Tamura, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai. Loss Reduction of Si Wire Waveguide Fabricated by Edge-Enhancement Writing for Electron Beam Lithography and Reactive Ion Etching Using Double Layered Resist Mask with C60, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 48, no. 3, p. 030208, Mar. 2009.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, HIDENORI YONEZAWA, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection-type GaInAsP-InP-Si Distributed-feedback Laser Directly Bonded on Silicon-on-insulator Substrate, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 21, No. 5, pp. 283-285, Mar. 2009.
• Saeed Mahmud ULLAH, SeungHun Lee, Ryo Suemitsu, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers and Integration of Front Power Monitor by Using Lateral Quantum Confinement Effect, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 47, No. 6, pp. 4558-4565, June 2008.
• SHIGEHISA ARAI, PDHANORM, Takeo Maruyama, Anisul Haque, Yagi Hideki, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto. Polarization Anisotropy of Spontaneous Emission Spectra in GaInAsP/InP Quantum-Wire Structures, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 47, No. 5, pp. 3735-3741, May 2008.
• PDHANORM, Takeo Maruyama, Anisul Haque, Yagi Hideki, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. Polarization Anisotropy of Spontaneous Emission Spectra in GaInAsP/InP Quantum-Wire Structures, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 47, No. 5, pp. 3735-3741, May 2008.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, SHIGEHISA ARAI. Single-mode operation of GaInAsP/InP-membrane distributed feedback (DFB) lasers bonded on silicon-on-insulator (SOI) substrate with rib-waveguide structure, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 48, pp. L1206-L1208, Dec. 2007.
• T. Okumura, T. Maruyama, M. Kanemaru, S. Sakamoto, S. Arai. Single-Mode Operation of GaInAsP/InP-Membrane Distributed Feedback Lasers Bonded on Silicon-on-Insulator Substrate with Rib-Waveguide Structure, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 48, pp. L1206-L1208, Dec. 2007.
• S. Sakamoto, H. Naitoh, M. Ohtake, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. 85°C Continuous-Wave Operation of GaInAsP/InP-Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Lasers with Polymer Cladding Layer, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 47, pp. L1155-L1157, Nov. 2007.
• H. Naitoh, S. Sakamoto, Mamoru Otake, T. Okumura, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. GaInAsP/InP Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Laser with Air-Bridge Structure, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 47, pp. L1158-L1160, Nov. 2007.
• D. Plumwongrot, Y. Nishimoto, S. M. Ullah, Y. Tamura, M. Kurokawa, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Bragg Wavelength Detuning in GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers with Wirelike Active Regions, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 45, pp. L1090-L1092, Nov. 2007.
• S. M. Ullah, R. Suemitsu, S.H. Lee, Makoto Otake, N. Nishiyama, S. Arai. Low-Threshold-Current Operation of High-Mesa Stripe Distributed Reflector Laser Emitting at 1540nm, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 44, pp. L1068-L1070, Nov. 2007.
• S.H. Lee, R. Suemitsu, S. M. Ullah, Makoto Otake, N. Nishiyama, S. Arai. Very High Electric Isolation Resistance between Distributed Reflector Laser and Front Power Monitor through Deeply Etched Narrow Groove, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 39, pp. L954-L956, Oct. 2007.
• S. Sakamoto, Y. Nishimoto, S. Tamura, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Strongly Index-Coupled Membrane BH-DFB Lasers With Surface Corrugation Grating, IEEE J. Select. Top. in Quantum Electron., IEEE, vol. 13, no. 5, pp. 1135-1141, Sept. 2007.
• K. Mathwig, W. Kaiser, A. Somers, J. P. Reithmaier, A. Forchel, K. Ohira, S. M. Ullah, S. Arai. DFB Lasers With Deeply Etched Vertical Grating Based on InAs–InP Quantum-Dash Structures, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 19, no. 5, pp. 264-266, Mar. 2007.
• Y. Nishimoto, K. Miura, H. Yagi, D. Plumwongrot, K. Ohira, T. Maruyama, S. Arai. Low-Threshold Current Density GaInAsP/InP Quantum-Wire Distributed Feedback Lasers Fabricated by Low-Damage Processes, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 2, pp. L34-L36, Feb. 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, SHIGEHISA ARAI. Direct wafer bonding of GaInAsP/InP membrane structure on silicon-on-insulator substrate, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 45, No. 11, pp. L8717-L8718, Nov. 2006.
• T. Maruyama, T. Okumura, S. Arai. Direct wafer bonding of GaInAsP/InP membrane structure on silicon-on-insulator substrate, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 11, pp. 8717-8718, Nov. 2006.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI substrate, Opt. Express, Vol. 16, No. 14, pp. 8814-8818, Sept. 2006.
• T. Maruyama, T. Okumura, S. Sakamoto, K. Miura, Y. Nishimoto, S. Arai. GaInAsP/InP membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI substrate, Optics Express, Vol. 16, No. 14, pp. 8814-8818, Sept. 2006.
• H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto, D. Plumwongrot, K. Ohira, T. Maruyama, S. Arai. Low-threshold-current operation of 1540 nm GaInAsP/InP distributed feedback lasers with multiple-quantum-wire active regions, Appl. Phys. Lett., Vol. 87, No. 22, pp. 223120-1-223120-3, Nov. 2005.
• S. Sakamoto, T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Tamura, S. Arai. Multiple-Wavelengths Membrane BH-DFB Laser Arrays, IEEE J. Select. Topics in Quantum Electronics, Vol. 11, No. 5, Sept. 2005.
• K. Ohira, T. Murayama, S. Tamura, S. Arai. Low-Threshold and High-Efficiency Operation of Distributed Reflector Lasers with Width-Modulated Wirelike Active Regions, IEEE J. Select. Topics in Quantum Electronics, Vol. 11, No. 5, Sept. 2005.
• S. Arai, H. Yagi, K. Ohira, T. Maruyama, S. Tamura. GaInAsP/InP quantum-wire lasers and distributed reflector lasers with wirelike active regions by lithography and regrowth, Proceedings of SPIE, SPIE, Vol. 5738, No. 36, pp. 303-317, Apr. 2005.
• K. Ohira, T. Murayama, S. M. Ullah, H. Yagi, S. Arai. GaInAsP/InP long-wavelength lasers with strain-compensated quantum-wire active regions and SiO_2/semiconductor reflectors, IEICE Electronics Expres, Vol. 1, No. 17, pp. 540-544, Dec. 2004.
• 勘定寛, 金孝昶, 田村茂雄, 荒井滋久. 垂直回折格子を有する分布反射型(VG-DR)レーザの端面位相制御, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-ZQ-13, pp. 1240, 2003.
• 荒井滋久, 八木英樹, 大平和哉, 佐野琢哉. トップダウン的手法による長波長量子細線レーザの現状と展望, 第39回精研シンポジウム「フォトニックネットワークデバイスの新展開(2)」, Vol. 東京, No. A-2, pp. 8月15日, 2003.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, T. Hasegawa, S. Arai. 1.5 μm Wavelength Narrow Stripe Distributed Reflector Lasers for High Performance Operation, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 9, No. 5, pp. 1146-1152, 2003.
• K. Ohira, N. Nunoya, S. Arai. Stable Single-Mode Operation of Distributed Feedback Lasers with Wirelike Active Regions, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 9, No. 5, pp. 1166-1171, 2003.
• T. Okamoto, N. Nunoya, N. Onodera, Y. Yamazaki, S. Tamura, S. Arai. Optically Pumped Membrane BH-DFB Lasers for Low-Threshold and Single-Mode Operation, IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 9, No. 5, pp. 1361-1366, 2003.
• A. Haque, H. Yagi, T. Sano, T. Maruyama, S. Arai. Electronic band structures of GaInAsP/InP vertically stacked multiple quantum wires with strain-compensating barriers, J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 3, pp. 2018-2023, 2003.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, S. Tamura, S. Arai. Narrow-Stripe Distributed Reflector Lasers with First-Order Vertical Grating and Distributed Bragg Reflectors, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 15, No. 8, pp. 1032-1034, 2003.
• K. Ohira, T. Murayama, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. Distributed Reflector Laser Integrated with Active and Passive Grating Sections Using Lateral Quantum Confinement Effect, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, No. 8A, pp. L921-L923, 2003.
• T. Sano, H. Yagi, K. Muranushi, S. Tamura, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. Multiple-Quantum-Wire Structures with Good Size Uniformity Fabricated by CH_4/H2 Dry Etching and Organometallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, No. 6A, pp. 3471-3472, 2003.
• K. Ohira, N. Nunoya, H. Yagi, K. Muranushi, A. Onomura, S. Tamura, S. Arai. Reliable Operation of GaInAsP/InP Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 42, No. 2A, pp. 475-476, 2003.
• 丸山武男, アニスル・ハク, 佐野琢哉, 八木英樹, 荒井滋久. 歪量子細線構造における偏光依存性の解析, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-ZE-15, pp. 1466, 2003.
• アニスル・ハク, 八木英樹, 佐野琢哉, 丸山武男, 荒井滋久. 8×8行列k·p法による歪補償量子細線のバンド構造解析, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-ZE-14, pp. 1466, 2003.
• 岡本健志, 小野寺祐一, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. 半導体薄膜BH-DFBレーザの波長制御性, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-ZQ-16, pp. 1241, 2003.
• 大平和哉, 村山智則, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 横方向量子閉じ込め効果を用いた受動領域を有する分布反射型(DR)レーザ, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-ZQ-14, pp. 1240, 2003.
• 八木英樹, 佐野琢哉, 大平和哉, 丸山武男, ｱﾆｽﾙ･ﾊｸ, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振, 第50回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28a-YF-4, pp. 1233, 2003.
• 荒井滋久. 低損傷極微構造形成法による光ファイバ通信波長帯半導体レーザ, 第１回ナノテクノロジー総合シンポジウム, Vol. 東京, No. A5, pp. 132-133, 2003.
• K. Ohira, T. Murayama, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. A Novel Distributed Reflector Laser Consisting of Width Modulated Wires in Active DFB and Passive DBR Sections, The 16th Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2003), Vol. Tucson, No. TuD 5, pp. 204-205, 2003.
• T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. Low Threshold Operation of Optically Pumped Membrane BH-DFB Laser Arrays with a Wide Wavelength Range, The 16th Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2003), Vol. Tucson, No. WT 2, pp. 636-637, 2003.
• T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. Polarization Anisotropy in Strained Quantum-Wire Structures Considering the Strain Relaxation Effect, The 16th Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2003), Vol. Tucson, No. MD5, pp. 43-44, 2003.
• A. Haque, T. Maruyama, H. Yagi, T. Sano, S. Arai. In-Plane Polarization Dependence of Gain in Strained Quantum-Wire Lasers with Strain-Compensating Barriers, The IEEE/LEOS International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices (NUSOD-03), Vol. Tokyo, No. MA3, pp. 7-8, 2003.
• S. Arai, T. Okamoto, Y. Onodera, T. Yamazaki, S. Tamura. Low Threshold GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Lasers, The 8th Optoelectronics and Communications Conference (OECC2003), Vol. Shanghai, No. 14C1-2, pp. 315-316, 2003.
• A. Haque, H. Yagi, T. Sano, T. Maruyama, S. Arai. Energy-Band Structures of GaInAsP/InP Vertically Stacked Multiple Quantum-Wire Lasers with Strain-Compensating Barriers, 2003 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2003), Vol. Santa Barbara, No. ThP11, pp. 433-436, 2003.
• T. Okamoto, Y. Onodera, T. Yamazaki, S. Tamura, S. Arai. Low Threshold Membrane BH-DFB Laser Arrays for 1490-1565 nm Wavelegth Range, 2003 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2003), Vol. Santa Barbara, No. FA2.5, pp. 558-561, 2003.
• H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. Over 2,000 Hours of RT-CW Operation of GaInAsP/InP Vertically-Stacked Multiple-Quantum-Wire Laser, 2003 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2003), Vol. Santa Barbara, No. ThA2.5, pp. 378-381, 2003.
• K. Ohira, T. Murayama, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. New Type Distributed Reflector Laser with Passive DBR Section By Using Lateral Confinement Effect, Sixth International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT2003), Vol. Tokyo, No. PDP-3, pp. 3(PD), 2003.
• H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. RT-CW Operation of GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Method, Sixth International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2003), Vol. Tokyo, No. PDP-1, pp. 1 (PD), 2003.
• 八木英樹, 佐野琢哉, タノーム, 大平和哉, 丸山武男, アニスル・ハク, 荒井滋久. GaInAsP/InP 歪補償多層量子細線レーザの室温連続動作寿命, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-10, pp. 1041, 2003.
• 山崎達也, 岡本健志, 田村茂雄, 荒井滋久. 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイの低しきい値動作, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-12, pp. 1042, 2003.
• 岡本健志, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. 位相シフト半導体薄膜BH-DFBレーザの室温連続動作, 64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-11, pp. 1041, 2003.
• 金孝昶, 勘定寛, 田村茂雄, 荒井滋久. 垂直回折格子と引っ張り歪み量子井戸を有する分布帰還形（VG-DR）レーザ, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-8, pp. 1040, 2003.
• 勘定寛, 金孝昶, 田村茂雄, 荒井滋久. 端面位相制御型垂直回折格子を有する分布反射型（VG-DR）レーザの試作, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-7, pp. 1040, 2003.
• 大平和哉, 村山智則, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 活性領域と受動DBR領域を集積した分布反射型(DR)レーザの低しきい値動作, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30p-YB-4, pp. 1039, 2003.
• アニスル・ハク, 丸山武男, 八木英樹, 佐野琢哉, 荒井滋久. 歪補償障壁層を有する歪量子細線レーザの光利得の偏光異方性, 第64回応用物理学会学術講演会, Vol. 福岡, No. 30a-ZF-11, pp. 1249, 2003.
• 丸山武男, アニスル・ハク, 荒井滋久. 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. 東京, No. OPE2003-32, pp. 43-46, 2003.
• 八木英樹, 佐野琢哉, 大平和哉, 丸山武男, アニスル・ハク, 荒井滋久. ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. 東京, No. OPE2003-31, pp. 39-42, 2003.
• 岡本健志, 小野寺祐一, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. 東京, No. OPE2003-32, pp. 35-38, 2003.
• 村主賢悟, 八木英樹, 佐野琢哉, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久. 狭細線幅多層量子細線レーザの実現, 第49回応用物理学関係連合講演会 , Vol. 神奈川, No. 29a-YS-13, pp. 1145(III), 2002.
• 小野寺祐一, 岡本健志, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久. 半導体薄膜DFBレーザの低しきい値動作, 第49回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 29a-YS-10, pp. 1144(III), 2002.
• 岡本健志, 布谷伸浩, 小野寺祐一, 田村茂雄, 荒井滋久. BH構造を導入した光励起半導体薄膜DFBレーザの単一モード動作, 第49回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 29a-YS-9, pp. 1144(III), 2002.
• 布谷伸浩, 大平和哉, 尾野村章弘, 荒井滋久. 活性層分離型DFBレーザの副モード抑圧比(SMSR), 第49回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 29a-YS-8, pp. 1144, 2002.
• 大平和哉, 布谷伸浩, 尾野村章弘, 荒井滋久. 活性層分離型DFBレーザにおける位相シフトの効果, 第49回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 29a-YS-7, pp. 1143(III), 2002.
• 八木英樹, 村主賢悟, 佐野琢哉, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久. ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ, 電気情報通信学会技術報告会[レーザ・量子エレクトロニクス], Vol. 東京, No. OPE2002-42/LQE2002-9, pp. 27-30, 2002.
• N. Nunoya, K. Ohira, H. Yagi, K. Muranushi, A. Onomura, T. Sano, S. Arai. Reliable operation of sub-mA threshold DFB lasers with wirelike active regions, 7th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2002), Vol. Yokohama, No. 10P-60, pp. 306-307, 2002.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, S. Tamura, S. Arai. Distributed reflector lasers with deeply etched first order vertical grating, 7th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2002), Vol. Yokohama, No. 10C3-3, pp. 156-157, 2002.
• H. Yagi, K. Muranushi, T. Sano, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai. GaInAsP/InP multiple-quantum-wire lasers by CH₄/H₂ reactive ion etching, 7th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2002), Vol. Yokohama, No. 10C3-4, pp. 158-159, 2002.
• S. Arai. InP-based fine-structuring techniques for photonic devices, 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference. (IPRM2002), Vol. Stockholm, No. A6-5, pp. 433-436, 2002.
• H. Yagi, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai. Large blue shift in GaInAsP/InP vertically-stacked multiple-quantum-wire-lasers by dry etching and regrowth processes, 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2002), Vol. Stockholm, No. A9-4, pp. 723-726, 2002.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. Low threshold operation of membrane buried heterostructure distributed feedback laser, 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference. (IPRM2002), Vol. Stockholm, No. PI-4, pp. 115-118, 2002.
• S.-H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. Polarization independent all-optical switching employing nonlinear vertical groove DFB waveguide, Optical Fiber Communication Conference (OFC2002), Vol. Anaheim, No. TuU3, pp. 140-141, 2002.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. 1550nm wavelength membrane DFB laser cladded by BCB polymer, 5th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT2002), Vol. Tokyo, No. E-21, pp. 10-102, 2002.
• 金 孝昶, 勘定寛, 田村茂雄, 荒井滋久. 垂直回折格子を有する分布反射型(VG-DR)レーザの低しきい値電流動作, 第63回応用物理学会学術講演会 , Vol. 新潟, No. 26p-A-15, 2002.
• N. Nunoya, K. Ohira, H. Midirikawa, K. Muranushi, S. Arai. CW life test of gain-matched DFB laser with wire-like active regions, 5th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2002), Vol. Tokyo, No. E-12, pp. 83-84, 2002.
• S.-H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. Demonstration of polarization insensitive all-optical switching in a highmesa distributed feedback waveguide, 5th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT2002), Vol. Tokyo, No. B-5, pp. 31-32, 2002.
• S.-H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. Polarization independent all-optical switching in a nonlinear GaInAsP/InP highmesa waveguide with vertically etched Bragg reflector, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 38, No. 7, pp. 706-715, 2002.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. Single-mode operation of optically pumped membrane buried heterostructure distributed-feedback lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 3A, pp. L249-L251, 2002.
• H. Yagi, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, S. Tamura, S. Arai. Low-damage etched/regrown interface of strain-compensated GaInAsP/InP quantum-wire laser fabricated by CH₄/H₂ dry etching and regrowth, Appl. Phys. Lett., Vol. 81, No. 6, pp. 966-968, 2002.
• K. Ohira, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai. Distributed reflector laser with wirelike active regions for asymmetric output property, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 3A, pp. 1417-1418, 2002.
• S. Arai, H.-C. Kim, J. Wiedmann. Functional optical devices using vertical grooved DFB and DBR structures, SPIE International Symposium ITCom2002, Vol. Boston, No. 4870-22, 2002.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. Low-threshold single-mode operation of membrane BH-DFB lasers, Electron. Lett., Vol. 38, No. 23, pp. 1444-1446, 2002.
• S.-H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. All-optical polarization independent switching in a nonlinear DFB waveguide with vertically etched grating, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/QELS 2002), Vol. Long Beach, No. CMB2, pp. 7, 2002.
• S.-H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. Polarization independent switching characteristics in a passive highmesa waveguide with vertically etched Bragg reflector, Conference on Optical Internet and Photonics in Switching (COIN+PS 2002), Vol. Cheju Island, No. PS.MoB5, pp. 46-48, 2002.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, S. Tamura, S. Arai. Narrow stripe distributed reflector lasers with first-order vertical grating, IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), Vol. Germany, No. MC1, 2002.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, S. Tamura, S. Arai. Distributed Reflector Lasers with First-Order Vertical Grating and Second-Order Bragg Reflectors, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 12, pp. 7396-7397, 2002.
• J. Shim, J. Kim, D. Jang, Y. Eo, S. Arai. Facet reflectivity of a spot-size-converter integrated semiconductor optical amplifier, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 38, No. 6, pp. 665-673, 2002.
• V. M. Kaganer, B. Jenichen, G. Paris, K. H. Ploog, O. Konovalov, P. Mikulík, S. Arai. Strain in Buried Quantum Wires: Analytical Calculations and X-Ray Diffraction Study, Phys. Rev. B, Vol. 66, No. 3, pp. 035310, 2002.
• K. Ohira, N. Nunoya, H. Yagi, K. Muranushi, A. Onomura, S. Tamura, S. Arai. Reliable operation of GaInAsP/InP distributed feedback laser with wirelike active regions, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 11, pp. 475-476, 2002.
• H. Yagi, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, S. Tamura, S. Arai. GaInAsP/InP strain-sompensated quantum-wire lasers fabricated by CH₄/H₂ dry etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 2B, pp. L186-L189, 2002.
• 大平和哉, 布谷伸浩, 尾野村章弘, 八木英樹, 佐野琢哉, 田村茂雄, 荒井滋久. 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ, 第63回応用物理学会学術講演会 , Vol. 新潟, No. 26p-A-14, 2002.
• 岡本健志, 小野寺祐一, 山崎達也, 田村茂雄, 荒井滋久. 位相シフト変調型半導体薄膜DFB多波長アレイ光源の提案, 第63回応用物理学会学術講演会, Vol. 新潟, No. 26p-A-12, 2002.
• 八木英樹, 佐野琢哉, 村主賢悟, 田村茂雄, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザのしきい値電流密度の細線幅依存性, 第63回応用物理学会学術講演会 , Vol. 新潟, No. 26p-A-10, 2002.
• 佐野琢哉, 八木英樹, 村主賢悟, 田村茂雄, 丸山武男, A. Haque, 荒井滋久. CH₄/H₂ドライエッチングによるサイズ均一性に優れた多層量子細線構造, 第63回応用物理学会学術講演会, Vol. 新潟, No. 25a-ZB-3, 2002.
• 鄭 錫煥, 金 孝昶, 水本哲弥, ヨルク ウィドマン, 荒井滋久, 竹中 充, 中野義昭. DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性, 電子情報通信学会技術研究報告[レーザ・量子エレクトロニクス], Vol. 福岡, No. LQE 2001-114, pp. 55-60, 2002.
• H.-C. Kim, H. Kanjo, S. Tamura, S. Arai. 1.5μm wavelength distributed reflector lasers with deeply etched vertical gratings, 電気情報通信学会技術報告会[レーザ・量子エレクトロニクス], Vol. 福井, No. LQE2002-16, 2002.
• 大平和哉, 布谷伸浩, 尾野村章弘, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ, 電気情報通信学会技術報告会[レーザ・量子エレクトロニクス] , Vol. 福井, No. LQE2002-16, pp. 61-64, 2002.
• 鄭 錫煥, 金 孝昶, 水本哲弥, ヨルク ウィドマン, 荒井滋久, 竹中 充, 中野義昭. DFB導波路形偏光無依存全光スイッチ, 電気情報通信学会総合大会, Vol. 東京, No. SC-4-4, pp. 55-60, 2002.
• 八木英樹, 村主賢悟, 布谷伸浩, 佐野琢哉, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償量子細線レーザのブルーシフト量の細線幅依存性, 第49回応用物理学関係連合講演会 , Vol. 神奈川, No. 29a-YH-8, pp. 1394(III), 2002.
• M. M. Raj, J. Wiedmann, S. Toyoshima, Y. Saka, K. Ebihara, S. Arai. High-reflectivity semiconductor/benzocyclobutene Bragg reflector mirrors for GaInAsP/InP lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 4A, pp. 2269-2277, 2001.
• 荒井滋久, 金　孝昶, J. Wiedmann, 田村茂雄. 垂直回折格子を用いた1.5μm 波長分布帰還形レーザ, 応用物理学会　第82回微小光学研究会　（Microoptics News）, Vol. 19, No. 4, pp. 1-6, 2001.
• S.=H. Jeong, H.-C. Kim, T. Mizumoto, J. Wiedmann, S. Arai, M. Takenaka, Y. Nakano. Polarisation insensitive deep-ridge vertical groove DFB waveguide for all-optical switching, Electron. Lett., Vol. 37, No. 23, pp. 1387-1389, 2001.
• H. C. Kim, J. Wiedmann, K. Matsui, S. Tamura, S. Arai. 1.5-μm-wavelength distributed feedback lasers with deeply etched first-order vertical grating, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 10B, pp. L1107-L1109, 2001.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. CW operation of optically pumped membrane DFB laser, Electron. Lett., Vol. 37, No. 24, pp. 1455-1457, 2001.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. Single mode operation of optically pumped membrane BH-DFB lasers, The 14th Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2001), Vol. San Diego, No. PD1.1, 2001.
• 布谷伸浩, 大平和哉, 緑川英樹, 村主賢悟, 田村茂雄, 荒井滋久. 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作, 電子情報通信学会技術研究報告（OPE2001-2）, Vol. 東京, pp. 7-12, 2001.
• 松井研輔, 岡本健志, 布谷伸浩, 荒井滋久. 半導体薄膜活性層分離型DFBレーザの閾値電流解析, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-7, pp. III-p.1152, 2001.
• 布谷伸浩, モニール・モーシッド, 大平和哉, 田村茂雄, 陳博, 荒井滋久. GaInAsP/InP位相シフト活性層分離型DFBレーザの試作, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-6, pp. III-p.1152, 2001.
• モニール・モーシッド, 布谷伸浩, 大平和哉, ヨルク・ウィドマン, 荒井滋久. 活性層分離型DFBレーザの利得整合効果による単一モード性向上, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-5, pp. III-p.1151, 2001.
• ヨルク・ウィドマン, 海老原幸司, 太田征孝, 金孝昶, 陳博, 松井研輔, 田村茂雄, 荒井滋久. 垂直回折格子を用いた分布反射形(DR)レーザの低電流動作, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-4, pp. III-p.1151, 2001.
• 緑川英樹, 布谷伸浩, 村主賢悟, 陳博, 荒井滋久. 再成長プロセスにおけるInP障壁薄層化によるGaInAsP/InP MQWレーザの低閾値動作, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-2, pp. III-p.1150, 2001.
• 村主賢悟, 緑川英樹, 布谷伸浩, 田村茂雄, 陳博, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償細線レーザにおけるしきい値電流の温度特性, 第48回応用物理学会関係連合講演会, Vol. 東京, No. 30a-ZS-1, pp. III-p.1150, 2001.
• H. Midorikawa, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, S. Tamura, S. Arai. 1.5 μm ｗavelength GaInAsP/InP 5-layered quantum-wire lasers fabricated by CH₄/H₂ dry etching and regrowth, The 14th Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2001), Vol. San Diego, No. WA-5, pp. 407-408, 2001.
• H.-C. Kim, J. Wiedmann, K. Matsui, S. Tamura, S. Arai. 1.55 μm wavelength GaInAsP/InP distributed feedback lasers with deeply etched first order vertical grating, The 4th Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO/PR2001), Vol. Chiba, No. WJPD1-11, pp. 46-47(PD), 2001.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, S. Arai. CW operation of optically pumped membrane DFB laser, The 4th Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO/PR2001), Vol. Chiba, No. WJPD1-10, pp. 44-45 (PD), 2001.
• N. Nunoya, M. Morshed, K. Ohira, S. Tamura, S. Arai. Distributed reflector lasers with wirelike active regions having asymmetric output property, The 4th Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO/PR2001), Vol. Chiba, No. WC2-2, pp. II-44-45, 2001.
• J. Wiedmann, K. Ebihara, H.-C. Kim, K. Matsui, S. Tamura, B. Chen, S. Arai. Deeply etched 1.55 μm wavelength distributed-reflector lasers with vertical grating, The 13th Int’l Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’01), Vol. Nara, No. TuA1-3, pp. 19-22, 2001.
• H. Midorikawa, N. Nunoya, K. Muranushi, S. Tamura, S. Arai. Low-damage etched/regrown interfaces of GaInAsP/InP wirelike laser with strain-compensated MQW structure, The 13th Int’l Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’01), Vol. Nara, No. TuB2-2, pp. 67-70, 2001.
• H.-C. Kim, J. Wiedmann, K. Matsui, S. Tamura, S. Arai. 1.5-μm-wavelength distributed feedback lasers with deeply etched first-order vertical grating, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 10B, pp. L1107-L1109, 2001.
• J. Wiedmann, M. M. Raj, K. Ebihara, H.-C. Kim, B. Chen, M. Ohta, S. Tamura, J.-I. Shim, S. Arai. GaInAsP/InP distributed reflector lasers consisting of deeply etched vertical gratings, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 12, pp. 6845-6851, 2001.
• N. Nunoya, M. Nakamura, M. Morshed, S. Tamura, S. Arai. High-performance 1.55 μm wavelength GaInAsP/InP distributed feedback lasers with wirelike active regions, IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., Vol. 7, No. 2, pp. 249-258, 2001.
• J. Wiedmann, K. Ebihara, H.-C. Kim, B. Chen, M. Ohta, K. Matsui, S. Tamura, J.-I. Shim, S. Arai. 1.5 μm-wavelength distributed reflector lasers with vertical grating, Electron. Lett., Vol. 37, No. 13, pp. 831-832, 2001.
• J. Wiedmann, M. M. Raj, K. Ebihara, K. Matsui, S. Tamura, S. Arai. Deeply etched semiconductor/benzocyclobutene distributed Bragg reflector laser combined with multiple cavities for 1.5 μm wavelength single-mode operation, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 6A, pp. 4031-4037, 2001.
• 岡本健志, 布谷伸浩, 小野寺祐一, 田村茂雄, 荒井滋久. 半導体薄膜構造DFBレーザの光励起室温連続動作, 第62回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 13p-B-14, pp. III-p.869, 2001.
• 布谷伸浩, 大平和哉, 緑川英樹, 村主賢悟, 荒井滋久. CH₄/H₂-RIEによる活性層分離型DFBレーザの初期信頼性, 第62回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 13p-B-13, pp. III-p.868, 2001.
• 金孝昶, ヨルク・ウィドマン, 松井研輔, 田村茂雄, 荒井滋久. 深い垂直エッチング技術を用いた一次回折格子DFBレーザ, 第62回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 13p-B-12, pp. III-p.868, 2001.
• 緑川英樹, 村主賢悟, 布谷伸浩, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償量子細線レーザの低損傷再成長界面, 第62回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 13p-B-8, pp. III-p.867, 2001.
• 村主賢悟, 緑川英樹, 布谷伸浩, 大平和哉, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP 5層歪補償量子細線レーザの室温発振, 第62回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 13p-B-7, pp. III-p.866, 2001.
• 緑川英樹, 布谷伸浩, 村主賢悟, 田村茂雄, 荒井滋久. 低損傷CH₄/H₂ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作, 電子情報通信学会技術研究報告（OPE2001-33/LQE2001-32）, Vol. 東京, pp. 7-12, 2001.
• N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura, S. Arai. Sub-milliampere operation of 1.5μm wavelength high index-coupled buried heterostructure distributed feedback lasers, Electron. Lett., Vol. 36, No. 14, pp. 1213-1214, July 2000.
• N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura, S. Arai. Submilliampere operation of 1.55μm GaInAsP/InP DFB lasers with deeply etched active regions, The 5th Optoelectron. and Commun. Conf. (OECC’2000), Chiba, No. 11C1-2, pp. 46-47, 2000.
• N. Nunoya, H. Yasumoto, H. Midorikawa, S. Tamura, S. Arai. Low threshold current density operatin of GaInAsP/InP lasers with strain-compensated multi-layered wirelike active regions, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, No. 10B, pp. L1042-L1045, 2000.
• M. M. Raj, N. Serizawa, S. Arai. Theoretical analysis of GaInAsP/InP multiple micro-cavity laser, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, No. 10A, pp. 5847-5854, 2000.
• J. Wiedmann, M. M. Raj, Y. Saka, S. Tamura, S. Arai. Singlemode operation of deeply etched coupled cavity laser with DBR facet, Electron. Lett., Vol. 36, No. 14, pp. 1211-1212, 2000.
• M. Nakamura, N. Nunoya, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura, S. Arai. Very low threshold current density operation of 1.5μm DFB lasers with wire-like active regions, Electron. Lett., Vol. 36, No. 7, pp. 639-640, 2000.
• N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura, S. Arai. GaInAsP/InP multiple-layered quantum-wire lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, No. 6A, pp. 3410-3415, 2000.
• S. Arai, M. M. Raj, J. Wiedmann. Multiple-reflector lasers for photonic integration, The 13th IEEE Lasers and Electro-Optics Society Meeting (LEOS’00), Peurto Rico, No. WM3, pp. 502-503, 2000.
• S. Arai. Low-damage fabrication of GaInAsP/InP fine-structures for high performance lasers, 4th International Workshop of the Canadian - European Research Initiative on Nanostructures (CERION), Würzburg, No. 28-4, 2000.
• N. Nunoya, M. Morshed, M. Nakamura, S. Tamura, S. Arai. High single-mode yield 1.55μm GaInAsP/InP BH-DFB lasers with periodic wirelike active regions, The 17th IEEE Int’l Semicon. Laser Conf., Monterey (USA), No. TuB1, pp. 45-46, 2000.
• S. Arai, H. Yasumoto, N. Nunoya, H. Midorikawa, S. Tamura. Low-damage GaInAsP/InP fine structure lasers by CH₄/H₂ RIE and OMVPE regrowth, Int. Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS’00), Sapporo, No. Th1-13, pp. 206, 2000.
• J. Wiedmann, M. M. Raj, Y. Saka, K. Ebihara, A. Umeshima, S. Tamura, S. Arai. Deeply etched coupled cavity laser with DBR facet for low threshold and single mode operation, The 5th Optoelectron. and Commun. Conf. (OECC’2000), Chiba, No. 11C1-5, pp. 52-53, 2000.
• N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura, S. Arai. 1.5μm GaInAsP/InP double-quantum-well DFB lasers with deeply etched active regions, The 12th Int’l Conf. on Indium Phosphide and Related Materials IPRM’2000), Williamsburg, No. TuA2.3, pp. 498-501, 2000.
• M. M. Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, K. Ebihara, K. Matsui, S. Arai. Highly uniform 1.55μm wavelength lasers with deeply etched semiconductor/Benzocyclobutene DBR, The 12th Int’l Conf. on Indium Phosphide and Related Materials IPRM’2000), Williamsburg, No. WP2.23, pp. 427-430, 2000.
• H. Yasumoto, N. Nunoya, H. Midorikawa, S. Tamura, S. Arai. 1.5μm wavelength strain-compensated GaInAsP/InP wirelike laser by CH₄/H₂ reactive ion etching, The 12th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials IPRM’2000), Williamsburg, No. WA3.2, pp. 270-273, 2000.
• ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 海老原幸司, 松井研輔, 荒井滋久. 垂直DFBグレーティングを用いた分布反射型(DR)レーザ, 第61回応用物理学会学術講演会, No. 6p-R-4, pp. 993, 2000.
• M. M. Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, K. Ebihara, S. Arai. Highly uniform 1.5μm wavelength deeply etched semiconductor / benzocyclobutene distributed Bragg reflector lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, No. 12B, pp. L1297-L1299, 2000.
• 阪義和, 海老原幸司, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, 荒井滋久. 両端にBCB/半導体反射鏡を有するDBRレーザ, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30p-N-10, pp. 1162, 2000.
• ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 阪義和, 田村茂雄, 荒井滋久. 多重共振器を有するDBRレーザの単一波長動作, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30p-N-9, pp. 1162, 2000.
• ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 阪義和, 海老原幸司, 荒井滋久. 1.5μm波長帯半導体/BCB DBRレーザの低しきい値･高効率動作, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30p-N-8, pp. 1161, 2000.
• 安本英雄, 布谷伸浩, 緑川英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30a-N-11, pp. 1159, 2000.
• 中村円香, 布谷伸浩, ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. 活性層分離型2層分離型DFBレーザのしきい値電流の細線幅依存性, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30p-N-1, pp. 1159, 2000.
• 布谷伸浩, 中村円香, 福田光一朗, ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 田村茂雄, 荒井滋久. 活性層分離型DFBレーザのサブミリアンペア動作, 第47回応用物理学会関係連合講演会, No. 30p-N-2, pp. 1159, 2000.
• M. M. Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, K. Ebihara, K. Matsui, S. Tamura, S. Arai. 1.55μm wavelength deeply etched semiconductor/benzocyclobutene DBR lasers, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. OPE-2000, No. 1-11, pp. 37-42, 2000.
• 緑川英樹, 布谷伸浩, 村主賢悟, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償細線レーザの自然放出光効率の温度依存性, 第61回応用物理学会学術講演会, No. 7a-R-6, pp. 1000, 2000.
• ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 布谷伸浩, 荒井滋久. 活性層分離型2層DFBレーザの単一モード特性に関する検討, 第61回応用物理学会学術講演会, No. 6p-R-6, pp. 994, 2000.
• 布谷伸浩, ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP活性層分離型2層BH-DFBレーザの単一モード特性, 第61回応用物理学会学術講演会, No. 6p-R-7, pp. 994, 2000.
• 海老原幸司, ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 荒井滋久. 短共振器半導体/BCB DBRレーザの前端面反射器の設計, 第61回応用物理学会学術講演会, No. 6p-R-2, pp. 993, 2000.
• ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 海老原幸司, 松井研輔, 田村茂雄, 荒井滋久. 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. OPE2000, No. 67-79, pp. 19-24, 2000.
• Y. Suematsu, S. Arai. Single-mode semiconductor lasers for long-wavelength optical fiber communications and dynamics of semiconductor lasers, IEEE J. on Selected Topics in Quantum Electron., Vol. 6, No. 6, pp. 1436-1449, 2000.
• 布谷伸浩, 中村円香, 小島隆, 田中英, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. CH₄/H₂ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAsP/InP多層量子細線レーザ, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. OPE99, No. 44, pp. 57-62, 1999.
• 布谷伸浩, 中村円香, ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP多層細線構造レーザの試作, 第60回応用物理学会学術講演会, No. 3a-ZE-43, pp. 981, 1999.
• 中村円香, 布谷伸浩, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. 強屈折率結合を有する活性層分離型DFBレーザの特性, 第60回応用物理学会学術講演会, No. 3a-ZE-42, pp. 980, 1999.
• ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 阪義和, 安本英雄 荒井滋久. 半導体/BCB DBR構造レーザーの反射率評価, 第60回応用物理学界学術講演会, No. 3a-ZE-41, pp. 980, 1999.
• 阪義和, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, ﾖﾙｸ･ｳｨﾄﾞﾏﾝ, 安本英雄 荒井滋久. BCB/半導体反射鏡を有する1.54μm DBRレーザの室温CW動作, 第60回応用物理学会学術講演会, No. 3a-ZE-40, pp. 980, 1999.
• Madoka Nakamura, Nobuhiro Nunoya, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP high index coupled (k_i=290 cm^-1) DFB laser with periodic wire-like active regions, The 4th Optoelectronics and Communications Conf. (OECC'99), Beijing, No. C6S5-4, pp. 1454-1455, 1999.
• Shigehisa Arai, Takashi Kojima, Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Hideo Yasumoto, Monir Morshed, Shigeo Tamura. GaInAsP/InP quantum-wire lasers, The 4th Optoelectronics and Communications Conf. (OECC'99), Beijing, No. C6S1-1, pp. 1294-1297, 1999.
• Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Multiple Layered Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH₄/H₂ Reactive-Ion-Etching, The 31st Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'99), Tokyo, No. E-5-3, pp. 276-277, 1999.
• Mothi Madhan Raj, Joerg Wiedmann, Yoshikazu Saka, Hideo Yasumoto, S. Arai. 1.5 μm wavelength DBR lasers consisting of 3λ/4-semiconductor and 3λ/4-groove buried with Benzocyclobutene, Electron. Lett., Vol. 35, No. 16, pp. 1335-1337, 1999.
• Mothi Madhan Raj, Yoshikazu Saka, Joerg Wiedmann, Hideo Yasumoto, S. Arai. Continuous Wave Operation of 1.55 μm GaInAsP/InP Laser with Semiconductor/Benzocyclobutene Distributed Bragg Reflector, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11A, pp. L1240-L1242, 1999.
• Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Low Threshold GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers with Periodic Wire Active Regions Fabricated by CH₄/H₂ Reactive Ion Etching, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11B, pp. L1323-L1326, 1999.
• Shigehisa Arai, Takashi Kojima, M. Madhan Raj, Nobuhiro Nunoya, Suguru Tanaka And Syunsuke Toyoshima. Long-Wavelength Lasers Prepared by Semiconductor Microfabrication, The 3rd Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO/PR'99), Seoul, No. FU4, pp. 1293-1294, 1999.
• Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Takashi Kojima, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers with Periodic Wire-like Active Region Fabricated by CH₄/H₂ Reactive-Ion-Etching, The 3rd Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO/PR'99), Seoul, No. FU3, pp. 1291-1292, 1999.
• Takashi Kojima, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Evaluation of Optical Gain Properties of GaInAsP/InP Compressively Strained Quantum-Wire Lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11A, pp. 6327-6334, 1999.
• Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Munehisa Tamura, Shigehisa Arai. Characterization of Etching Damage in Cl2/H2-Reactive-Ion-Etching of GaInAs/InP Heterostructure, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 12A, 1999.
• Mothi Madhan Raj, Shunsuke Toyoshima, Shigehisa Arai. Multiple Micro-cavity Laser with λ/4-Wide Deep Grooves Buried with Benzocyclobutene, The 11th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99), Davos, No. TuB1-3, pp. 207-210, 1999.
• Nobuhiro Nunoya, Madoka Nakamura, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Ichiro Fukushi, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Low Damage GaInAsP/InP Nano-Structures by CH₄/H₂ Reactive Ion Etching and Its Application to Low Threshold Gain-Coupled DFB Lasers, The 11th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99), Davos, No. TuB4-1, pp. 349-352, 1999.
• M. Madhan Raj, Y. Saka, J. Wiedmann, H. Yasumoto, S. Arai. Continuous wave operation of 1.55μm GaInAsP/InP laser with semiconductor/benzocyclobutene distributed Bragg reflector, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11A, pp. L1240-L1242, 1999.
• D. Lubbert, Bernd Jenichen, T. Baumbach, Holger T. Grahn, G. Paris, A. Mazuelas, Takashi Kojima, Shigehisa Arai. Elastic Stress Relaxation in GaInAsP Quantum Wires on InP, J. Phys. D: Appl. Phys., Vol. 32, pp. A21-A25, 1999.
• Mothi Madhan Raj, Shunsuke Toyoshima, Shigehisa Arai. Multiple Micro-Cavity Laser with Benzocyclobutene/Semiconductor high Reflective mirrors fabricated by CH₄/H₂-Reactive Ion Etching, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 7B, pp. L811-L814, 1999.
• Takashi Kojima, Hiroyuki Nakaya, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Temperature Dependence of Internal Quantum Efficiency of 20nm-Wide GaInAsP/InP Compressively Strained Quantum-Wire Lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 1B, pp. 585-588, 1999.
• Mothi Madhan Raj, Joerg Wiedmann, Yoshikazu Saka, Hideo Yasumoto, Shigehisa Arai. High Reflectivity Laser Facets by Deeply Etched DBR Buried with Benzocyclobutene, IEEE 11th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99), Davos, No. PDA-3, pp. 10-11, 1999.
• 布谷伸浩, 中村円香, 小島隆, 田中英, 福士一郎, 田村茂雄, 荒井滋久. CH₄/H₂-RIE/OMVPE再成長法によるGaInAsP/InP多層量子細線レーザ, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-ZL-19, pp. 1459, 1999.
• ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 豊嶋俊輔, 松谷晃宏, 小宅麻理子, 阪義和, 荒井滋久. CH₄/H₂-RIEエッチトミラーのラフネス測定と半導体レーザへの応用, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-ZC-11, pp. 1381, 1999.
• 中村円香, 布谷伸浩, 福士一郎, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH₄/H₂ドライエッチング/埋込み再成長, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-ZC-9, pp. 1381, 1999.
• 布谷伸浩, 中村円香, 田中英, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. CH₄/H₂-RIEとOMVPE埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-B-10, pp. 1189, 1999.
• 豊嶋俊輔, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 小宅麻理子 荒井滋久. CH₄/H₂ドライエッチングを用いたBCB/半導体反射鏡を有する多重極微共振器レーザ, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-B-4, pp. 1187, 1999.
• 安本英雄, 小島隆, 布谷伸浩, 田中英, 荒井滋久. 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28a-B-9, pp. 1185, 1999.
• 田中英, 小島隆, 安本英雄, ﾓﾆｰﾙ･ﾓｰｼｯﾄﾞ, 田村茂雄, 荒井滋久. 1.55μm帯GaInAsP/AlGaInAs圧縮歪量子細線レーザの作製, 第46回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-B-8, pp. 1189, 1999.
• Takashi Kojima, Shigehisa Arai, Gerd U. Bacher. Anisotropic polarization properties of photolumiescence from GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by two-step organometallic vapor phase epitaxy growth, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 1A/B, pp. L46-L49, 1998.
• ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 沼田和憲, 豊島俊輔, 彭実, 宮本恭幸, 荒井滋久. ベンゾシクロブテン(BCB)の動的光デバイスへの応用, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 30a-ZH-9, pp. 1145, 1998.
• 沼田和憲, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 豊島俊輔, 中谷洋幸, 荒井滋久. 空気/半導体－ブラッグ反射鏡を有する多重極微共振器半導体レーザの試作, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 30a-ZH-8, pp. 1145, 1998.
• 中谷洋幸, 小島隆, 田中英, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP圧縮歪量子細線レーザの光利得スペクトルの測定, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-ZH-5, pp. 1116, 1998.
• 田村宗久, 安藤俊一, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAs/InP細線レーザの自然放出光効率からの表面再結合速度の見積もり, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-ZH-4, pp. 1115, 1998.
• 小島隆, 中谷洋幸, 田中英, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP量子細線レーザの発振しきい値電流の温度依存性, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-ZH-3, pp. 1115, 1998.
• 田中英, 小島隆, 中谷洋幸, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP単層量子井戸レーザの埋め込み成長温度依存性, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-ZH-2, pp. 1115, 1998.
• 清水健央, 山崎升一, 田村茂雄, 荒井滋久. MQW方向性結合型全光スイッチにおけるクロストークの導波路幅依存性, 第45回応用物理学関係連合講演会, No. 29a-SZL-3, pp. 1130, 1998.
• 荒井滋久, 小島隆. リソグラフィーによる極微構造形成とGaInAsP/InP量子細線レーザ, 電気化学会第65回大会, No. 特1H07, pp. 208, 1998.
• 小島隆, 中谷洋幸, 田中英, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価, 電子情報通信学会技術研究報告[光エレクトロニクス], Vol. OPE98, No. 39, pp. 25-30, 1998.
• 布谷伸浩, 中村円香, 荒井滋久. 塩素ガスECR-RIBEによるInP系結晶底面方向への損傷分布のPL評価, 第59回応用物理学会学術講演会, No. 17p-P12-2, pp. 1175, 1998.
• 小島隆, 田中英, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP量子細線構造のPL偏光特性の埋め込み層依存性, 第59回応用物理学会学術講演会, No. 15p-YG-1, pp. 1236, 1998.
• 豊嶋俊輔, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 安本英雄, 荒井滋久. CH4/H2ドライエッチングを用いた多重極微共振器半導体レーザの試作, 第59回応用物理学会学術講演会, No. 15a-A-23, pp. 998, 1998.
• ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 豊島俊輔, 阪義和, 小島隆, 荒井滋久. 高屈折率差光閉じ込め半導体レーザのしきい値電流解析, 第59回応用物理学会学術講演会, No. 15a-A-19, pp. 997, 1998.
• 田中英, 小島隆, 安本英雄, 田村茂雄, 荒井滋久. AlInAs ESL を有するGaInAsP/InP圧縮歪単層量子井戸レーザの作製, 第59回応用物理学会学術講演会, No. 15a-A-9, pp. 993, 1998.
• Takashi Kojima, Hiroyuki Nakaya, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Temperature Dependence of Internal Quantum Efficiency of 20nm-Wide GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers, The 1998 Int. Symp. on Formation, Physics, and Device application of Quantum Dot Structures(QDS'98), Hokkaido, Vol. Th2-8, pp. 212, 1998.
• Hiroyuki Nakaya, Takashi Kojima, Suguru Tanaka, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Gain spectral characteristics of GaInAsP/InP quantum-wire lasers, The 10th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM'98), Tsukuba, Vol. ThP-20, pp. 591-594, 1998.
• Takashi Kojima, Hiroyuki Nakaya, Suguru Tanaka, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Evaluation of Internal Quantum Efficiency and Waveguide Loss of 50nm-Period GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers, The 10th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM'98), Tsukuba, Vol. WA2-4, pp. 365-368, 1998.
• Shigehisa Arai. Nanometer Scale Semiconductor Photonics - Low-Dimensional Quantum Structures Towards High Performance Lasers, Int'l Topical Workshop on Contemporary Photonic Technologies(CPT'98), Tokyo, Vol. Wa-04, pp. 99-102, 1998.
• Munehisa Tamura, Toshikazu Ando, Nobuhiro Nunoya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai, Gerd U. Bacher. Estimation of Sidewall Nonradiative Recombination in GaInAsP/InP Wire Structures Fabricated by Low Energy Electron-Cyclotron-Resonance Reactive-Ion-Beam-Etching, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 6A, pp. 3576-3584, 1998.
• Takashi Kojima, Shigehisa Arai, Gerd U. Bacher. Anisotropic polarization properties of photolumiescence from GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by two-step organometallic vapor phase epitaxy growth, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 1A, pp. L46-L49, 1998.
• Mothi Madhan Raj, Kazunori Numata, Shunsuke Toyoshima, Hiroyuki Nakaya, Shigehisa Arai. Realization of Multiple Cavity Laser with λ/4-Air Gap/Semiconductor Reflectors, Third Optoelectronics and Communication Conference (OECC'98), Makuhari, No. 13B2-3, pp. 44-45, 1998.
• Mothi Madhan Raj, Kazunori Numata, Shunsuke Toyoshima, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Multiple Short Cavity Laser with λ/4-Air Gap/ Semiconductor Bragg Reflectors, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 12A, pp. L1461-L1464, 1998.
• Munehisa Tamura, Takashi Kojima, Toshikazu Ando, Nobuhiro Nunoya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Sidewall Recombination Velocity in GaInAsP/InP Quantum-Well Lasers with Wire-like Active Region Fabricated by Wet-Chemical Etching and Organo-Metallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 12A, pp. 6569-6574, 1998.
• Takashi Kojima, Suguru Tanaka, Hideo Yasumoto, Hiroyuki Nakaya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Gain Spectrum Measurement of GaInAsP/InP Compressively-Strained Quantum-Wire Lasers, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 11B, pp. L1386-L1389, 1998.
• Takashi Kojima, Xue-Ying Jia, Yoshinori Hayafune, Shigeo Tamura, Masahiro Watanabe, Shigehisa Arai. Size Fluctuation of 50nm Periodic GaInAsP/InP Wire Structure by Electron Beam Lithography and Wet Chemical Etching, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 11A, pp. 5961-5962, 1998.
• Takashi Kojima, Munehisa Tamura, Hiroyuki Nakaya, Suguru Tanaka, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Compressively Strained Quantum-Wire Lasers Fabricated by Electron Beam Lithography and 2-Step Organometallic Vapor Phase Epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 9A, pp. 4792-4800, 1998.
• Bernd Jenichen, Holger T. Grahn, Takashi Kojima, Shigehisa Arai. Lateral periodicity and elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wires on InP investigated by x-ray diffractometry, J. Appl. Phys., Vol. 83, No. 11, pp. 5810-5813, 1998.
• 中谷洋幸, 小島隆, 田中英, 田村茂雄, 荒井滋久. 周期50nm GaInAsP/InP圧縮歪量子細線レーザの作製, 第58回応用物理学関係連合講演会, No. 2a-ZC-5, pp. 1073, 1997.
• 荒井滋久, 小島隆. GaInAsP/InP長波長帯量子細線半導体レーザ, 1997年電子情報通信学会総合大会, No. C-4-20, pp. 266, 1997.
• Shigehisa Arai. Fabrication and characterization of GaInAsP/InP long-wavelength quantum-wire, The 10th IEEE Lasers and Electro-Optics Society Meeting(LEOS'97), San Francisco(USA), Vol. ThY1, pp. 492-493, 1997.
• 小島隆, 中谷洋幸, 田中英, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP量子細線レーザの発振しきい値電流の共振器長依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, No. 2a-ZC-6, pp. 1073, 1997.
• Munehisa Tamura, Toshikazu Ando, Nobuhiro Nunoya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai, Gerd U. Bacher. Surface damage in GaInAsP/InP wire structures by Cl┣D22┫D2/H┣D22┫D2-ECR dry etching, The 9th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM'97), Hyannis(USA), Vol. ThA4, pp. 582-585, 1997.
• Takashi Kojima, Munehisa Tamura, Xue Ying Jia, Hiroyuki Nakaya, Toshikazu Ando, Suguru Tanaka, Shigeo Tamura, Shigehisa. Anisotropic polarization properties of GaInAsP/InP compressively-strained quantum-wire structure, The 9th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM'97), Hyannis(USA), Vol. MD7, pp. 226-229, 1997.
• Mothi Madhan Raj, Shigehisa Arai, Munehisa Tamura. Photon recycling effect in semiconductor lasers using low dimensional structures, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 10A, pp. 6368-6375, 1997.
• Shigehisa Arai. GaInAsP/InP long-wavelength quantum-wire lasers by EB-lithography and OMVPE regrowth, The 4th Phantoms Strategic Domain Meetings (PHASDOM'97), Aachen (Germany), pp. D2.8, 1997.
• 田村宗久, 安藤俊一, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久, 中村円香. ECRドライエッチングによるGaInAs(P)/InP多層量子細線構造の作製, 第58回応用物理学関係連合講演会, No. 4a-A-8, pp. 1292, 1997.
• Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Long-Wavelength Quantum-Wire Lasers Prepared by EB-Lithogrophy and OMVPE Regrowth, Phantoms Strategic Domain Meetings (PHASDOM'97), D2.8, Aachen, pp. D2.8, 1997.
• Ki-Chul Shin, Naoki Serizawa, Mothi Madhan Raj, Shigehisa Arai. Drive Current and Design Consideration of an Ultra-Low Threshold Current Laser for Optical Parallel Data Communication, J. Lightwave Technol., Vol. 15, No. 5, pp. 845-851, 1997.
• Toshiyuki Takizawa, Akira Uchino, Shigehisa Arai. Switching Operation of GaInAs/InP Multiple-Quantum-Well Directional-Coupler-Type All-Optical Switch, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 2A, pp. L110-L113, 1997.
• Toshiyuki Takizawa, Akira Uchino, Shigehisa Arai. Proposal of Semiconductor Directional-Coupler-Type All-Optical Switch with Tapered-Waveguide Structure, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 3A, pp. 1060-1067, 1997.
• 小島隆, 賈学英, 中谷洋幸, 田中英, 田村茂雄, 荒井滋久, ｹﾞﾙﾄ･ﾊﾞｯﾊｰ. GaInAsP/InP量子細線構造のPL偏光特性, 第44回応用物理学関係連合講演会, No. 29p-T-15, pp. 1337, 1997.
• 田村宗久, 安藤俊一, 布谷伸浩, 田村茂雄, 荒井滋久, ｹﾞﾙﾄ･ﾊﾞｯﾊｰ. Cl2/H2-ECRドライエッチングによるGaInAsP/InP細線構造の作製とその損傷評価, 第44回応用物理学関係連合講演会, No. 30p-ZD-15, pp. 1287, 1997.
• 瀧澤俊幸, 荒井滋久. 低次元量子井戸構造を導入した長波長帯方向性結合型全光スイッチの動作解析, 第44回応用物理学関係連合講演会, No. 28p-NE-6, pp. 1024, 1997.
• 芹沢直樹, ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 彭実, 荒井滋久. 回折損失を考慮した３次元導波路解析による多重極微共振器半導体レーザの特性解析, 第57回応用物理学会学術講演会, No. 8p-KH-15, pp. 954, 1996.
• 小島隆, 田村宗久, 賈学英, 田村茂雄, 荒井滋久, 中谷洋幸, 田中英. EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用, 電子情報通信学会技術研究報告[量子エレクトロニクス], Vol. LQE96, No. 86, pp. 55-60, 1996.
• ﾓﾃｨ･ﾏﾀﾞﾝ･ﾗｼﾞｭ, 荒井滋久, 芹澤直樹, 田村宗久. 低次元量子井戸半導体レーザにおけるフォトンリサイクリング効果, 1996年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, No. C-323, pp. 323, 1996.
• 小島隆, 田村宗久, 申琪澈, 田村茂雄, 荒井滋久. GaInAsP/InP圧縮歪量子細線レーザの温度依存性, 第43回応用物理学関係連合講演会, No. 27a-C-11, pp. 1044, 1996.
• 栗橋慎治, 申琪澈, 田村宗久, 芹澤直樹, 田村茂雄, 荒井滋久. ECRドライエッチングを用いた狭溝幅多重極微共振器半導体レーザの試作, 第43回応用物理学関係連合講演会, No. 26p-C-10, pp. 1027, 1996.
• 栗橋慎治, 申琪澈, 荒井滋久. 回折を考慮した多重極微共振器半導体レーザの理論解析, 1996年電子情報通信学会総合大会, No. C-383, pp. 383, 1996.
• 賈学英, 小島隆, 田村宗久, 田村茂雄, 荒井滋久. EB露光法により作製した量子細線構造のサイズ揺らぎ, 第57回応用物理学会学術講演会, No. 9a-S-10, pp. 538, 1996.
• 田村宗久, 小島隆, 安藤俊一, 田村茂雄, 布谷伸浩, 荒井滋久. ECRドライエッチングによるGaInAsP/InP量子細線構造を有する電流注入型素子の試作, 第57回応用物理学会学術講演会, No. 9p-C-7, pp. 1125, 1996.
• 小島隆, 田村宗久, 田村茂雄, 中谷洋幸, 田中英, 荒井滋久. GaInAsP/InP圧縮歪量子細線レーザの温度特性, 第57回応用物理学会学術講演会, No. 8p-KH-11, pp. 952, 1996.
• 瀧澤俊幸, 内野亮, 清水健央, 竹内靖, 荒井滋久. GaInAsP/InP長波長方向性結合型全光スイッチング素子の試作, 第57回応用物理学会学術講演会, No. 7a-KG-5, pp. 914, 1996.
• Takashi Kojima, Munehisa Tamura, Xue-Ying Jia, Toshikazu Ando, Hiroyuki Nakaya, Suguru Nakata, Shigeo Tamura, Shigehi, SHIGEHISA ARAI. 1.5μm GaInAsP/InP Compressively-Strained Quantum-Wire Lasers Fabricated by EB-Lithography and Wet-Chemical Etching, Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS'96), Th2-8, Sapporo, pp. 190, 1996.
• Ki-Chul Shin, Munehisa Tamura, Naoki Serizawa, Shinji Kurihashi, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Fabrication and Low Threshold Current Density CW Operation of GaInAsP/InP Multiple-Reflector Microcavity Laser, Optical and Quantum Electronics, Vol. 28, pp. 487-493, 1996.
• Toshiyuki Takizawa, Masafumi Nakahara, Eijiro Kikuno, Shigehisa Arai. Fabrication of 60nm Pitch Ordered InP Pillars by EB-Lithography and Anodization, J. of Electronic Materials, Vol. 25, No. 4, pp. 657-660, 1996.
• Shigehisa Arai. Quantum-Wires and Boxes based on GaInAsP/InP and Related Materials for Advanced Semiconductors Lasers, The 8th Int. Conf.on InPand and Related Materials(IPRM'96),Plenary1,Schwabish Gmund(Germany), pp. 7-10, 1996.
• Takashi Kojima, Munehisa Tamura, Ki-Chul Shin, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Temperature Dependence of GaInAsP/InP Compressively-Strained Quantum-Wires Lasers Fabricated by EB Lithography and 2-step OMVPE Growth, The 8th Int. Conf.on InPand and Related Materials(IPRM'96),ThA1-5,Schwabish Gmund(Germany), pp. 731-734, 1996.
• 瀧澤俊幸, 内野亮, 荒井滋久. テーパ構造を有する方向性結合型光スイッチング素子, 電子情報通信学会技術研究報告[フォトニックスイッチング], Vol. PS96, No. 14, pp. 29-34, 1996.
• Munehisa Tamura, Ki-Chul Shin, Naoki Serizawa, Shigehisa Arai. Stripe Direction Dependence of Mesa Angle Formed on (100) InP by Selective Etching using HCl Solution, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 4A, pp. 2383-2384, 1996.
• Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Multiple-Microcavity Laser for Low Threshold Operation, 1st Optoelectronics and Communications Conference (OECC'96), 16D2-1, Makuhari, pp. 70-71, 1996.
• Ki-Chul Shin, Naoki Serizawa, Shigehisa Arai. Calculation of a Drive Current in Ultra-Low Threshold Current Laser, 1st Optoelectronics and Communications Conference (OECC'96), 18p-29, pp. 478-479, 1996.
• Toshiyuki Takizawa, Eijiro Kikuno, Akira Uchino, Shigehisa Arai. Analysis of Directional-Coupler-Type All-Optical Switch with Tapered-Waveguide Structure, 1st Optoelectronics and Communications Conference (OECC'96), 18p-37, Makuhari, pp. 494-495, 1996.
• Munehisa Tamura, Takashi Kojima, Toshikazu Ando, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Fabrication of GaInAsP/InP Multiple-Quantum Wire Structures by Cl^2/H2-ECR Dry Etching, Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS'96), Th2-10, Sapporo, pp. 192, 1996.
• Ki-Chul Shin, Munehisa Tamura, Akihiko Kasukawa, Naoki Serizawa, Shinji Kurihashi, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Low Threshold Current Density Operation of GaInAsP-InP Laser with Multiple Reflector Microcavities, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 7, No. 10, pp. 1119-1121, 1995.
• Eijiro Kikuno, Marco, Amiotti, Toshiyuki Takizawa, Shigehisa Arai. Anisotropic Refractive Index of Porous InP Fabricated by Anodization of (III) A Surface, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 1, pp. 177-178, 1995.
• S. El Yumin, Shigehisa Arai, Toshio Kimura, Hirotsugu Kasyou, Kazunari Saito, Akinori Ubukata. Monolithic Integration of GaInAsP/InP collimating GRIN Lens with Tapered Waveguide Active Region, The 7th Int. Conf.on Inp and Related Materials(IPRM'95),FB1.4,Sapporo, pp. 721-724, 1995.
• Ki-Chul Shin, Shigehisa Arai, Yasuaki Nagashima, Koji Kudo, Shigeo Tamura. Temperature Dependence of Ga┣D20.66┫D2In┣D20.34┫D2As/InP Tensile-Strained Quasi-Quantum-Wire Laser Fabricated by Wet Chemical Etching and 2-step OMVPE Growth, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 7, No. 4, pp. 345-347, 1995.
• Toshiyuki Takizawa, Masafumi Nakahara, Eijiro Kikuno, Shigehisa Arai. Fabrication of 60nm-pitch Ordered InP Pillars by EB-Lithography and Anodization, The 7th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'95), Sapporo, No. ThA2.3, pp. 628-631, 1995.
• Shigehisa Arai, Munehisa Tamura Ki-Chul Shin, Shigeo Tamura. Fabrication of InP-Based Quantum-Wires and Its Application to Lasers, The 7th Int. Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM'95),Th2.1,Sapporo, pp. 620-623, 1995.
• Munehisa Tamura, Yasuaki Nagashima, Koji Kudo, Ki-Chul Shin, Shigeo Tamura, Akinori Ubukata, Shigehisa Arai. Surface Damage in GaInAs/GaInAsP/InP Wire Strucures Prepared by Substrate-Potential-Controlled Reactive Ion Beam Etching, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 6A, pp. 3307-3308, 1995.
• Ki-Chul Shin, Munehisa Tamura, Naoki Serizawa Shinji Kurihashi, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai. Low Threshold Current Density CW Operation of GaInAsP/InP Multiple-Reflector Micro-Cavity Lasers, The 7th Int. Conf.on Inp and Related Materials(IPRM'95),FB2-5(Post Deadline Paper),Sapporo, pp. 21-22, 1995.
• Ki-Chul Shin, Munehisa Tamura, Shinji Kurihashi, Shigeo Tamura, Masatsugu Hotta, Shigehisa Arai, Naoki Serizawa. GaInAsP/InP Multiple-Reflector Micro-Cavity Structure Fabricated by EB Lithography and Selective Etching, The 7th Int. Conf.on In Pand Related Materials(IPRM'95),Th.P50,Sapporo, pp. 557-560, 1995.
• Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Quantum-Wires Lasers, The 10th Int.Conf.on Integ.Opt.and Opt.Fiber Commun.(IOOC'95),FB1-1,Hong Kong, pp. 32-33, 1995.
• Kazuhiko Shimomura, Shigehisa Arai. Fabrication of Vertical and Uniform-Size Porous Inp Structure by Electrochemical Anodization, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 33, No. 5A, pp. L643-L645, 1994.
• Koji Kudo, Yasuaki Nagashima, Munehisa Tamura, Shigeo Tamura, Akinori Ubukata, Shigehisa Arai. Fabrication of GaInAs/GaInAsP/InP Multi-Quantum-Wires and Boxes by Substrate-Potential-Controlled Electron Cyclotron Resonance Reactive Ion Beam Etching, Japan. J. Appl. Phys., Vol. 33, No. 10A, pp. L1383-L1385, 1994.
• Kazuhiko Shimomura, Shigehisa Arai. Semiconductor Waveguide Optical Switches and Modulators, Fiber and Integrated Optics, Vol. 13, No. 1, pp. 65-100, 1994.
• Yidong Huang, Kazuhiro Komori, Koji Kudo, Shigehisa Arai. Saturation Characteristics of GaInAs/GaInAsP/InP Tensile Strained Quantum Well Semiconductor Laser Amplifier with Tapered Waveguide Structures, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 30, No. 9, pp. 2034-2039, 1994.
• Syamsul El Yumin, Kazuhiro Komori, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Semiconductor Vertical GRIN Lens for Semiconductor Optical Devices, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 6, No. 5, pp. 601-604, 1994.
• Syamsul El Yumin, Kazuhiro Komori, Shigehisa Arai, Giampaolo Bendelli. Taper-shape Dependence of Tapered-Waveguide Traveling Wave Semiconductor Laser Amplifier, IEICE Trans. Electron., Vol. E77-C, No. 4, pp. 624-632, 1994.
• Koji Kudo, Shigehisa Arai, Ki-Chul Shin, Masatsugu Hotta. The Optical Gain Coupling Saturation Effect on The Linewidth Property of Complex Coupled DFB Lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 6, No. 4, pp. 482-485, 1994.
• Y.Miyake, H.Hirayama, K.Kudo, S.Tamura, S.Arai, M.Asada, Y.Miyamoto, Y.Suematsu. Room Temperature Operation of GaInAs/GaInAsP/InP SCH Lasers with Quantum-Wire Size Active Region, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 29, No. 6, pp. 2123-2133, 1993.
• Y.Huang, K.Komori, S.Arai. Reduction of Noise Figure in Semiconductor Laser Amplifier with Ga┣D21-X┫D2In┣D2X┫D2As/GaInAsP/InP Strained Quantum-Well Structure, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 29, No. 12, pp. 2950-2956, 1993.
• Y.Huang, S.Arai, K.Komori. Theoretical Linewidth Enhancement Factor α of Ga┣D21-X┫D2In┣D2X┫D2As/GaInAsP/InP Strained Quantum-Well Structure, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 5, No. 2, pp. 142-145, 1993.
• Shigehisa Arai, Koji Kudo, Hideki Hirayama, Yasunari Miyake, Yasuyuki Miyamoto, Shigeo Tamura, Yasuharu Suematsu. Fabrication Technology for Long-Wavelength GaInAs(P)/InP Quantum-Wire Lasers by Wet-Chemical Etching and OMVPE Regrowth, OPTOELECTRONICS, Vol. 8, No. 4, pp. 461-478, 1993.
• T.Ikeda, J.Dong, S.Arai, M.Hotta. Proposal of a GaInAs/GaInAsP/InP Antiguided Filter Laser Array Operating in Single Longitudinal Mode, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 5, No. 8, pp. 882-885, 1993.
• J.Dong, S.Arai, T.Ikeda, K.Komori. Single Mode Multiple-Element Laser Array with Grating Filter, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 29, No. 7, pp. 2163-2172, 1993.
• J.Dong, S.Arai, K.Kudo, M.Hotta. Narrow Linewidth Characteristics in a 1.5μm Wavelength Single Mode Phase-Locked Laser Array, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 5, No. 6, pp. 622-624, 1993.
• K.Kudo, S.Arai, J.I.Shim. Linewidth Reduction of DSM Lasers due to Effects of Composite Cavity and Distributed Reflectors, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 29, No. 6, pp. 1769-1781, 1993.
• Shigehisa Arai. Fabrication Technology for Long-Wavelength GaInAs(P)/InP Quantum-Wire Lasers by Wet-Chemical Etching and OMVPE Regrowth, Optoelectronics-Devices and Technologies, Vol. 8, No. 4, pp. 461-478, 1993.
• K.Kudo, Y.Nagashima, S.Tamura, S.Arai, Y.Huang, Y.Suematsu. Ga┣D20-66┫D2In┣D2O. 34┫D2As/GaInAsP/InP Tensile Strained Single Quantum-Well Lasers with 70nm Period Wire Active Region, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 5, No. 8, pp. 864-867, 1993.
• M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada, S. Arai. Epitaxial Growth of Metal (CoSi₂)/ Insulator(CaF₂) Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, No. 2A, pp. L116-L118, Feb. 1992.
• M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada, S. Arai. Epitaxial Growth and Electrical Conductance of Metal (CoSi₂)/ Insulator (CaF₂) Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111), J. Electron. Mater., Vol. 21, No. 8, pp. 783-789, Jan. 1992.
• K.Shimomura, S.Arai, Y.Suematsu. Operation Wavelength Range of GaInAs(P)-InP Intersectional Optical Switches Using Field-Induced Electrooptic Effect in Low-Dimentional Quantum-Well Structures, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 28, No. 2, pp. 471-478, 1992.
• G.Bendelli, K.Komori, S.Arai. Gain Saturation and Propagation Characteristics of Index-Guided Tapered-Waveguide Traveling-Wave Semiconductor Laser Amplifies(TTW-SLA'S), IEEE J. Quantum Electron., Vol. 28, No. 2, pp. 447-458, 1992.
• M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada, SHIGEHISA ARAI. Epitaxial Growth and Electrical Conductance of Metal(CoSi₂)/Insulator(CaF₂)Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111), Jounal of Electronic Materials, Vol. 21, No. 8, pp. 783, 1992.
• Jong-in Shim, Kazuhiro Komori, Shigehisa Arai, Isao Arima, Yasuharu Suematsu, Ratanathammaphan Somchai. Lasing Characteristics of 1.5 μm GaInAsP/InP SCH-BIG-DR Lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 27, No. 6, pp. 1736-1745, 1991.
• M. Watanabe, H. Muguruma, M. Asada, S. Arai. Low temperature (～420°C) epitaxial growth of CaF₂/Si(111) by Ionized-Cluster-Beam technique, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 29, No. 9, pp. 1803-1804, Sept. 1990.
• K.Shimomura, Y.Suematsu, S.Arai. Analysis of Semiconductor Intersectional Waveguide Optical Switch/Modulator, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 26, No. 5, pp. 883-892, 1990.
• K.Komori, S.Arai, Y.Suematsu, I.Arima, M.Aoki. Single-Mode Properties of Distributed-Reflector Lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 25, No. 6, pp. 1235-1244, 1989.
• Y.Suematsu, S.Arai. Integrated Optics Approach for Advanced Semiconductor Lasers, Proc. IEEE, Vol. 75, No. 11, pp. 1477-1487, 1987.
• Y.Tohmori, K.Komori, S.Arai, Y.Suematsu. 1.5-1.6 μm GaInAsP/InP Bundle-Integrated-Guide(BIG)Distributed Bragg-Reflector(DBR)Lasers, Trans. IEICE of Japan, Vol. 70, No. 5, pp. 494-503, 1987.
• F. Koyama, Y. Suematsu, S. Arai, T. Tanbun-Ek. 1.5-1.6 μm GaInAsP/InP dynamic-single-mode (DSM) lasers with distributed Bragg reflector, IEEE J.Quantum Electron, vol. QE-19, no. 6, pp. 1042-1051, June 1983.
• Y.Suematsu, S.Arai, K.Kishino. Dynamic-Single-Mode Semiconductor Lasers with Distributed Reflector, IEEE J. Lightwave Technol., Vol. LT-1, No. 1, pp. 161-176, 1983.
• F. Koyama, S. Arai, Y. Suematsu, K. Kishino. Dynamic spectral width of rapidly modulated 1.58μm GaInAsP/InP buried-heterostructure distributed-Bragg-reflector integrated-twin-guide lasers, Electron. Lett, vol. 17, no. 25, pp. 938-940, Dec. 1981.
• T. Tanbun-Ek, S. Arai, F. Koyama, K. Kishino, S. Yoshizawa, T. Watanabe, Y. Suematsu. Low threshold current CW operation of GaInAsP/InP buried heterostructure distributed Bragg-reflector integrated-twin-guide laser emitting at 1.5-1.6μm, Electron. Lett., vol. 17, no. 25, pp. 967-968, Dec. 1981.
• S.Arai, M.Asada, T.Tanbun-ek, Y.Suematsu, Y.Itaya, K.Kishino. 1.6 μm Wavelength GaInAsP/InP BH Lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. QE-17, No. 5, pp. 640-645, 1981.
• Shigehisa Arai, Yasuharu Suematsu, Yoshio Itaya. 1.11-1.67 μm(100)GaInAsP/InP Injection Lasers Prepared by Liquid Phase Epitaxy, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 16, No. 2, pp. 197-205, 1980.

著書

• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability Engineering of Semiconductor Photonic Devices, Interferometers: Fundamentals, Methods and Applications (ISBN: 978-1-63483-692-0), Nova Science Publishers, pp. 15-36, 2015.
• Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Seiji Myoga, Eijun Murai, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Non-unity permeability in InP-based photonic device combined with metamaterial, Metamaterial (ISBN: 978-953-51-0591-6), IN-TECH, pp. 215-238, May 2012.  公式リンク  
• Edited by K. Iga, Y. Kokubun, SHIGEHISA ARAI. Encyclopedic Handbook of Integrated Optics, Taylor & Francis Group, Dec. 2005.
• 荒井滋久. 光情報通信技術ハンドブック（分担）1.1 半導体レーザ, コロナ社, コロナ社, 2003.
• 荒井滋久. 量子工学ハンドブック（分担）3.2 半導体レーザー, 朝倉書店, 朝倉書店, 1999.
• 伊賀健一編, 荒井滋久. 半導体レーザ（分担）, オーム社, オーム社, 1994.
• SHIGEHISA ARAI. Handbook of Semiconductor Lasers and Photonic Integrated Circuits (分担), Chapman & Hall, Chapman & Hall, 1994.

国際会議発表 (査読有り)

• takuya mitarai, moataz eissa, takayuki miyazaki, tomohiro amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Broadband Si waveguide loop mirror with curved directional coupler, The 24th Optoelectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019), July 2019.
• Tomohiro Amemiya, Tomoya Yoshida, Yuki Atsumi, Yasuyuki Miyamoto, Yoichi Sakakibara, Shigehisa Arai. Si-based Orbital Angular Momentum Mux/Demux Module, IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC 2019), July 2019.
• Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Koichi Saito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Topological Photonic Integrated Circuits for Controlling OAM light, International Workshop Topology, June 2019.
• Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Koichi Saito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Topological Photonic Integrated Circuits for Controlling OAM light, International Workshop Topology, June 2019.
• Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Keisuke Masuda, Makoto Tanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Metamaterial infrared refractometer for detecting broadband complex refractive index of liquid material, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2019 (CLEO 2019), May 2019.
• Makoto Tanaka, Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Control of slow-light effect in metamaterial-loaded Si waveguide, May 2019.
• Takehiko Kikuchi, Liu Bai, Takuya Mitarai, Hideki Yagi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Yield Chip-on-wafer Low Temperature Plasma Activated Bonding for III-V/Si Hybrid Photonic Integration, 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019), May 2019.
• Naoki Takahashi, Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Weicheng Fang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Buried-ridge-waveguide Type GaInAsP/InP Membrane Distributed-Reflector Lasers for Reduction of Differential Resistance, Compound Semiconductor Week 2019: 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019), May 2019.
• Takayuki Miyazaki, Fumihito Tachibana, Takehiko Kikuchi, Takuo Hiratani, Hideki Yagi, Moataz Eissa, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Taper Length Dependence of Double-Taper-Type Coupler for GaInAsP/SOI Hybrid Integrated Platform, Compound Semiconductor Week 2019: 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019), May 2019.
• Yuning Wang, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Investigation of InP/Si bonding condition for optimizing Photoluminescence property by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam, Compound Semiconductor Week 2019: 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019), May 2019.
• N. Nishiyama, K. Ohira, L. Bai, Y. Kurita, H. Furuyama, M. Inamura, T. Abe, T. Mitarai, K. Morita, S. Arai. Thin Film Optical Characteristics of InP/Si Hybrid Wafers by Chip-on-Wafer Direct Transfer Bonding Technology, Compound Semiconductor Week 2019, p. MoP-D-13, May 2019.
• Napat J.Jitcharoenchai, Nobuhiko Nishiyama, Hiroshi Abe, Yosuke Hinakura, Toshihiko Baba, Shigehisa Arai. Ranging Image acquired by FMCW-LiDAR using Slow-light Photonic Crystal Modulator, IEICE 2019, Mar. 2019.
• Tomohiro Amemiya, Tomoya Yoshida, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Yoichi Sakakibara, Shigehisa Arai. Orbital Angular Momentum Mux/Demux Module Using Vertically Curved Si Waveguides, 2019 Optical Fiber Communication Conference (OFC 2019), Mar. 2019.
• Tetsuya Mizumoto, Ken Okazeri, Yuya Shoji, Kenji Muraoka, Shigeki Nakagawa, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Photonic Functional Devices Based on Magneto-Optics, International Conference on Fiber Optics and Photonics 2018 (Photonics 2018), Dec. 2018.
• Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Weicheng Fang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Energy Cost Study of Membrane Distributed-Reflector (DR) Lasers for High-speed Modulation, 8th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2018), Dec. 2018.
• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya. Low Threshold Current and High-speed Operation of Membrane Lasers, IEEE Photonics Conference (IPC) 2018, Oct. 2018.
• Yusei Goto, Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Optical-Response Analysis of Voltage-Modulated 1.3 μm Wavelength AlGaInAs/InP Transistor Laser, Oct. 2018.
• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 90 ℃ CW operation of 1.3-µm wavelength npn-AlGaInAs/InP transistor lasers by thick and wide base-electrode, 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018), No. MC2, Sept. 2018.
• Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Weicheng Fang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Energy cost analysis of ridge-waveguide type membrane distributed-reflector lasers for on-chip application, The 27th International Semiconductor Laser Conference, Sept. 2018.
• Keisuke Masuda, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of SU-8/CYTOP membrane waveguide and metal grating coupler for organic membrane photonic integrated circuits, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), Sept. 2018.
• Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Keisuke Masuda, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Broadband Infrared Refractive Index Measurement Using Plasmonic Antenna Resonance, the 9th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META2018), June 2018.
• Yuning Wang, Kumi Nagasaka, Junichi Suzuki, Liu Bai, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Photoluminescence properties of GaInAs/InP layers by Ar fast atom beam for room temperature surface activated bonding toward hybrid PIC, Compound Semiconductor Week 2018, May 2018.
• Weicheng Fang, Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Reduction of lasing wavelength variation due to injection current into GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser bonded on Si, Compound Semiconductor Week 2018, May 2018.
• Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Junichi Suzuki, Keisuke Masuda, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Slow-light Si-wire Waveguide with Metamaterial, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2018 (CLEO 2018), May 2018.
• Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Toru Kanazawa, Zhichen Gu, Daisuke Inoue, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Tatsuhiro Urakami, Shigehisa Arai. Infrared Invisibility Cloak Using Rolled Metamaterial Film, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2018 (CLEO 2018), May 2018.
• Nagisa Nakamura, Tatsuya Uryu, Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Introduction of ridge-waveguide structure for low-power operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser, Compound Semiconductor Week 2018, May 2018.
• Tomohiro Amemiya, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Takahiro Tomiyasu, Tatsuya Uryu, Nagisa Nakamura, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP Membrane Lasers for On-chip Applications, European Conference on Integrated Optics 2018 (ECIO 2018), Apr. 2018.
• K. Okazeri, K. Muraoka, Y. Shoji, S. Nakagawa, N. Nishiyama, S. Arai, T. Mizumoto. Self-holding operation of magneto-optical switch using thin-film magnet, Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2018, Mar. 2018.
• Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. PAM-4 direct modulation of GaInAsP/InP membrane DR laser on Si substrate, 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), No. P-37, Dec. 2017.
• Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of Slow-light Effect in Metamaterial Optical Waveguide, The 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), Dec. 2017.
• Nagisa Nakamura, Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low Power Operation of Membrane Distributed-Reflector Lasers on Si, 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), No. P-29, Dec. 2017.
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya. Membrane Lasers towards Low-power and High-speed Applications, 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), No. D-1, Dec. 2017.
• Kumi Nagasaka, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Effect of Ar-FAB irradiation to PL Characteristics of GaInAs/InP toward room temperature surface activated bonding, 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC 2017), No. P-22, Dec. 2017.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Current Status of Hybrid III-V Lasers on Si and SOI substrates, PIERS2017, Nov. 2017.
• Zhichen Gu, Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodetector fabricated on Si substrate using Benzocyclobutene bonding, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), H-6-02, Sept. 2017.
• Junichi Suzuki, Yu Zhang, Kuanping Shang, S. J. Ben Yoo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Design of Coupling Structure between RSOA and SiN Waveguide, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Tu2J-06, Aug. 2017.
• Kumi Nagasaka, Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Assessment of PL Characteristics of GaInAs/InP by Ar-FAB Irradiation for Surface Activated Bonding, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Th1J-09, Aug. 2017.
• Zhichen Gu, Takuo Hiratani, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Low-power-consumption Membrane Photodiode toward On-chip Optical Interconnection, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Tu2K-04, Aug. 2017.
• Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Takuo Hiratani, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Metamaterial Optical Buffer Based on Slow-light Effect, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Tu1H-05, Aug. 2017.
• Nagisa Nakamura, Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Resistance Reduction of GaInAsP/InP Membrane DR Lasers on Si, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Tu2J-02, Aug. 2017.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bragg Wavelength Detuning Effect on Temperature Dependences of GaInAsP/InP Membrane Lasers, The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), No. Th2J-04, Aug. 2017.
• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Base Layer Design for Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 24th Cogress of the International Commission for Optics(ICO-24), M1J-06, Aug. 2017.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kei Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Laser with Redeced Index Coupling Coefficient Structure, The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017), No. Oral 2-3G-4, July 2017.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing Characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Reduced Base Bandgap Structure, The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017), No. 1-3G-5, July 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Waveguide loss reduction of GaInAsP/InP membrane lasers by reduction of doping concentration of p-InP cladding layer, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. WeC6-3, May 2017.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Temperature dependence of threshold current of GaInAsP/InP membrane lasers with Bragg wavelength detuning, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThC7-2, May 2017.
• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Effect of GaInAsP Absorption Layer Composition on Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), C2-2, May 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency and High-speed Modulation Characteristics of Membrane Distributed-Reflector Laser on Si, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. D5.7, May 2017.
• Satoshi Inoue, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Kazuto Itou, Kumi Nagasaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Double Taper-type Mode Convertor Double Taper-type Mode Convertor, 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, May 2017.
• Nobuhiko Nishiyama, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Shigehisa Arai. N2-Plasma Activated Bonding for GaInAsP/SOI Hybrid Lasers, 2017 5th International Workshop on Low Tempereature Bondning for 3D Integration, May 2017.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Zhichen Gu, Satoshi Yamasaki, Tatsuhiro Urakami, Shigehisa Arai. Organic Membrane Photonic Waveguide with Metal Grating Couplers, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2017 (CLEO 2017), No. SF2I.7, May 2017.
• Junichi Suzuki, Kazuto Ito, Yuusuke Hayashi, Satoshi Inoue, K. Nagasaka, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Novel Optical-mode Converter Between III-V/SOI Hybrid Devices, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), May 2017.
• E. Ishida, K. Miura, Y. Shoji, H. Yokoi, T. Mizumoto, N. Nishiyama, S. Arai. Novel a-Si on garnet nonreciprocal phase shift optical isolator with TE mode operation, Optical Fiber Communication (OFC) 2017, Th3E.4, Mar. 2017.
• Nobuhiko Nishiyama, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Shigehisa Arai. III-V/Si Low Temperature Direct Bonding Technology for Photonic Device Integration on SOI, Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2017, IEEE, Feb. 2017.
• Maegami, Y., Cong, G., Ohno, M., Okano, M., Itoh, K., Nishiyama, N., SHIGEHISA ARAI, Yamada, K.. High-efficiency silicon Mach-Zehnder modulator with vertical PN junction based on fabrication-friendly strip-loaded waveguide, 14th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2017, pp. 21-22, 2017.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Zhichen Gu, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 10 Gbit/s Data Transmission through Optical Link by Using Membrane DFB Laser and PIN-PD, The 2016 IEEE Photonics Conference, 29th Annual Conference of the IEEE Photonics Society (IPC), No. WC1.4, Oct. 2016.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Asymmetric Light Output Characteristics of Membrane Distributed-Reflector Laser on Si Substrate, The 25th International Semiconductor Laser Conference, no. ThB3, Sept. 2016.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Impedance Analysis of High-speed Lateral-current-injection Membrane DFB Laser on Silicon, The 25th International Semiconductor Laser Conference, No. ThB8, Sept. 2016.
• SHIGEHISA ARAI. In-plane Semiconductor Membrane Lasers for Photonic Integrated Circuits, The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016), No. TuA2, Sept. 2016.
• Kazuto Itou, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Double Taper Interlayer Transition Coupler for 3D Optical Interconnection with Heterogeneous Material Stacking, The 48th Solid State Devices and Materials (SSDM 2016), No. C-1-02, Sept. 2016.
• Kazuto Itou, Kuno Yuki, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Vertical Trident Coupler for 3D Optical Interconnection, 13th International Conference on Group IV Photonics, No. ThC3, Aug. 2016.
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue. Membrane Distributed-reflector Lasers, Optoelectronics and Communications Conference 2016 (OECC2016), WD3-1, July 2016.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Tatsuhiro Urakami, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. (Invited) Permeability Engineering in Optical Communication Devices, The First A3 Metamaterials Forum, I-25, July 2016.
• JoonHyun Kang, Yuki Kuno, Kazuto Ito, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Il-Ki Han, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Highly Efficient Circular Holes Added a-Si:H Grating Coupler with Metal Mirror for 3D Optical Interconnects, The 21th Opto Electronics and Communications Conference (OECC 2016), TuE4-2, July 2016.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 10 Gbps Operation of Membrane DFB Laser on Silicon with Record High Modulation Efficiency, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThD1-3, June 2016.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Tatsuhiro Urakami, Atsushi Ishikawa, Naoya Hojo, Akio Yasui, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Metafilm: Metamaterial Array Embedded in Organic Thin Film, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2016 (CLEO 2016), FTh1D.2, June 2016.
• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue. GaInAsP/InP Membrane Lasers, Conference on Lasers and Electro-Optics 2016 (CLEO 2016), SF2L.3, June 2016.
• Junichi Suzuki, Satoshi Inoue, Shovon MD Tanvir Hasan, Yuusuke Hayashi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/SOI Hybrid Laser with AlInAs-oxide Confinement Structure Fabricated by Plasma Activated Bonding, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, ThD1-4, June 2016.
• Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThD1-6, June 2016.
• Satoshi Yamasaki, Akio Yasui, Tomohiro Amemiya, Kentaro Furusawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Norihiko Sekine, Nobuhiko Nishiyama, Akifumi Kasamatsu, Shigehisa Arai. Waveguide Optical-to-THz Signal Converter using Ring-shaped Microstripline, Conference on Lasers and Electro-Optics 2016, JTh2A57, June 2016.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Progress of III-V Membrene Photonic Devices on Si toward On-chip Interconnection, Material Research Society Spring Metting 2016, Material Research Society, Material Research Society, EP7.4.01, Mar. 2016.
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue. Integrated membrane-based DFB and DR, Photonic West 2016, SPIE, 9767-30, Feb. 2016.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. On-Silicon Membrane and Hybrid Lasers for Intra/Inter-chip Connections, The 5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2015, Nov. 2015.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. High Modulation Efficiency of Sub-milliampere Threshold GaInAsP/InP Membrane DFB Laser, The 2015 IEEE Photonics Conference, 28th Annual Conference of the IEEE Photonics Society (IPC), No. WE2.5, Oct. 2015.
• Eiichi Ishida, Kengo Miura, Yuya Shoji, Tetsuya Mizumoto, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Demonstration of magneto-optical switch with amorphous silicon waveguides on magneto-optic garnet, The 20th Microoptics Conference (MOC'15), MOC'15 Technical Digest, 54-55, Oct. 2015.
• Kazuto Itoh, Yuki Kuno, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Coupling Structures between Crystal/Amorphous Si Waveguides for In-Plane Integration, The 47th Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), PS-7-10, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• Yuki Kuno, Kazuto Itoh, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Apodized Amorphous Silicon Grating Coupler with Metal Mirrors for 3D optical Interconnection, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), 25J1-3, Aug. 2015.
• Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Room-temperature Continuous-wave Operation of λ/4-shifted Membrane Distributed Feedback Lasers, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), 28J2-2, Aug. 2015.
• Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Analysis of Plasmonic Mach-Zehnder Modulator with Metal Taper Structure Embedded in FTC-EO Polymer, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), 28E2-2, Aug. 2015.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), No. 26J2-2, Aug. 2015.
• Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. (Invited) Membrane Photonic Integration on Si Platform, The 20th Opto Electronics and Communications Conference (OECC 2015), No. JThC.21, July 2015.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Toru Kanazawa, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. (Invited) Possibility of permeability control on InP-based photonic integration platform, 8th International Conference on Materiaals for Advanced Tachnologies (ICMAT 2015), No. D2-PM2, June 2015.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Yuuki Atsudi, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Semiconductor Membrane Distributed-reflector (DR) Laser, Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. We1O6.1, June 2015.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer, Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. O6.4, June 2015.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Integration of Membrane-based DFB Laser and PIN Photodiode on Si Substrate toward On-chip Interconnection, The IEEE Optical Interconnects Conference 2015 (OI Conference 2015), No. WB7, Apr. 2015.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Yuya Shoji, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, Tetsuya Mizumoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Magneto-Optical Integrated Circuits by femtosecond laser modelling in YIG, The 4th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS’15), Apr. 2015.
• Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Takuo Hiratani, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Optical Interconnection between III-V chips on Si by using Photonic Wire Bonding, IEEE Optical Interconnects Conference 2015, Apr. 2015.
• SHIGEHISA ARAI. Semiconductor lasers for versatile applications from global communications to on-chip interconnects, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Vol. 9444, 2015.
• Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser Integrated with GaInAsP Waveguides on Si Substrate, The 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2014), No. MB.03, Sept. 2014.
• Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Jieun Lee, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Electrode Position Dependence of Energy Cost in Lateral-Current-Injection Membrane Distributed Reflector Laser, The 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2014), Sept. 2014.
• Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Humidity Tolerance for Athermal Si-Slot Wavelength Filters using Amorphous Fluoride Polymer and SiO2 Protection Layer, International Conference on Solid State Devices and Materials 2014, Sept. 2014.
• Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. High Efficiency Apodized Grating Couplers with Metal Mirrors between a-Si:H Multilayer Waveguides toward 3D Optical Interconnection, The 46th Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), No. B-2-2, Sept. 2014.
• K. Miura, T. Hirasawa, J. Kang, Y, Shoji, Y. Okada, H. Yokoi, N. Nishiyama, S. Arai, T. Mizumoto. Optical isolator with amorphous silicon waveguide core on magneto-optical garnet, The 11th International Conference on Group IV Photonics (GFP 2014), Technical Digest GFP 2014, IEEE, ThB4, Aug. 2014.
• J. Suzuki, Y. Hayashi, Y. Kuno, J.H. Kang, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Light Propagation Properties of Si Waveguides after Removing III-V Layer on a III-V/SOI Wafer Fabricated by Plasma Activated Bonding, 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2014), July 2014.
• Y. Hayashi, J. Suzuki, Y. Kuno, J.H. Kang, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Investigation of High Temperature Process for III-V/SOI Hybrid Photonic Devices with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer, 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2014), July 2014.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, YASUYUKI MIYAMOTO, Takuo Tanaka, SHIGEHISA ARAI. (Invited) Meta-photonics for Advanced InP-based Photonic Integration, the Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014, No. Day1. p.85, June 2014.
• Atsushi Ishikawa, Tomohiro Amemiya, Yuya Shoji, P. N. Hai, Masaaki Tanaka, Tetsuya Mizumoto, Shigehisa Arai, Takuo Tanaka. (Invited) Optical and magnetic microstructures in YIG ferrite fabricated by femtosecond laser, The 15th Int’l Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM 2014), No. Fr1-In-7, June 2014.
• Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Yuya Shoji, P.N. Hai, Masaaki Tanaka, Tetsuya Mizumoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Three-dimensional Nanostructuring in YIG Ferrite with Femtosecond Laser, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2014 (CLEO 2014), No. STh1J.5, June 2014.  公式リンク  
  
• Gu Zhichen, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Eijun Murai, Takuo Hiratani, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, SHIGEHISA ARAI. Investigation of Optical Interconnection using Photonic Wire Bonding, The 15th Int’l Symposium on Laser Precision Microfabrication (LPM 2014), No. We2-O-1, June 2014.
• Takumi Yoshida, Takaaki Kaneko, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., Mo, B2, 1, May 2014.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Membrane hybrid optical devices and related technologies toward On-Si photonic integrated circuits, The 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2014), The 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2014), May 2014.
• Jieun Lee, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High quality quantum-well intermixing for InP-based membrane photonic integration on Si, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. P28, May 2014.
• Yuuki Atsudi, Kyohei Doi, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-threshold-current Operation of Lateral Current Injection Membrane Distributed-feedback Laser Bonded on Si, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. We-D2-2, May 2014.
• Takuo Hiratani, Kyohei Doi, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low-Power and High-Speed Operation Capabilities of Semiconductor Membrane Lasers - Energy Cost Limited by Joule Heat, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. P29, May 2014.
• Tomohiro Amemiya, Masato Taki, Toru Kanazawa, SHIGEHISA ARAI. Asymmetric Invisibility Cloaking Theory Based on the Concept of Effective Electromagnetic Fields for Photons, APS March Meeting 2014, Z50.00014, Mar. 2014.
• Lee, J., Doi, K., Hiratani, T., Inoue, D., Amemiya, T., Nishiyama, N., SHIGEHISA ARAI. High quality quantum-well intermixing for InP-based membrane photonic integration on Si, Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2014.
• Yuki Atsumi, N. Taksatorn, N. Nishiyama, Y. Miyamoto, S.Arai. Miniaturization of exposure area for electron beam lithography using proximity effect correction toward Si optical circuits, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013), Nov. 2013.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, YASUYUKI MIYAMOTO, Takuo Tanaka, SHIGEHISA ARAI. (Invited) Photonic metamaterials in semiconductor optical devices, 2013 EMN Open Access Week, Oct. 2013.
• Yuki Atsumi, Takeshi Sifer, JoonHyun Kang, Yuusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Ultraviolet-induced Wavelength Trimming of BCB-buried Athermal Si Slot Wavelength Filters, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), WM2-3, July 2013.  公式リンク  
  
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Takeshi Sifer, Yuusuke Hayashi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Inter-Layer Grating Coupler with Metal Mirrors for 3D Optical Interconnects, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), MM1-5, July 2013.  公式リンク  
  
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi. (Invited) Lateral Current Injection Type Membrane DFB lasers, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), ThK2-1, July 2013.
• Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Spectral Characteristics under Various Operation Conditions of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), ThK2-2, July 2013.
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, J. Lee, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Takuo Hiratani. (Invited) Semiconductor Membrane Photonic Devices for Ultra-low Power Consumption Operation, IEEE Photonics Society Summer Topicals 2013, WA1.1, July 2013.
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, Eijun Murai, Takahiko Shindo, J. Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Electrically-driven Permeability-controlled Optical Modulator using Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial, The Conference on Lasers and Electro-Optics 2013 (CLEO 2013), No. QM1A.6, June 2013.  公式リンク  
  
• Jieun Lee, Yoshiaki Yamahara, Takahiko Shindou, Mitsuaki Futami, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Bandgap Wavelength Shift in Quantum Well Intermixing using Different SiO2 masks for Photonic Integration, 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., MoPI-12, May 2013.
• Kyohei Doi, Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Shu Yang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-temperature Continuous-wave Operation of Lateral Current Injection Membrane Laser, 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., WeD2-3, May 2013.
• Yuusuke Hayashi, Keita Fukuda, Ryo Osabe, Jun-ichi Suzuki, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-Functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier Array with AlInAs-Oxide Current Confinement Layer, IPRM-2013, May 2013.  公式リンク  
  
• Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takahiko Shindou, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Butt-Joint Built-in (BJB) Structure for Membrane Photonic Integration, 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., TuD3-6, May 2013.
• JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yuki Atsumi, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. (Invited) Multi-stacked silicon wire waveguides and couplers toward 3D optical interconnects, OPTO2013 (part of SPIE Photonics West 2013), SPIE, Vol. San Francisco (USA), No. 8630-7, Feb. 2013.  公式リンク  
  
• Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, Eijun Murai, Takahiko Shindo, J. Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Permeability-controlled Optical Modulator with Tri-gate Metamaterial, the 4th International Topical Meeting on Nanophotonics and Metamaterials (NANOMETA 2013), No. FRI5o.2, Jan. 2013.
• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/SOI Hybrid Laser by N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, The 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Dec. 2012.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, S. Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2012), No. MA7, Oct. 2012.  公式リンク  
  
• T. Shindo, M. Futami, K. Doi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Modulation Bandwidth of GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane Laser, 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2012), No. TuP17, Oct. 2012.  公式リンク  
  
• Daisuke Take, Mizuki Shirao, Kaoru Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai. Compact Optical/THz Signal Converter using Photo-generated Carrier Gate in THz Waveguide, the IEEE Photonics Conference 2012, the IEEE Photonics Conference 2012, Sept. 2012.
• Kyohei Doi, Takahiko Shindou, Mitsuaki Futami, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thermal Analysis of Self-Heating Effect in GaInAsP/InP Membrane DFB Laser on Si Substrate, 2012 IEEE Photonics Conference (IPC-2012), No. ThO2, Sept. 2012.  公式リンク  
  
• Yuusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. GaInAsP/Si Hybrid Fabry-Perot Laser using N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, 2012 IEEE Photonics Conference, No. ThO 4, Sept. 2012.
• Jieun Lee, Yoshiaki Yamahara, Yuki Atsumi, Takahiko Shindou, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Compact InP-based 1×2 MMI Splitter on Si Substrate with BCB Wafer Bonding for Membrane Photonic Circuits, 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Mo-1C.1, Aug. 2012.  公式リンク  
  
• M. Futami, T. Shindo, K. Doi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Low-Threshold Operation of LCI-Membrane-DFB Lasers with Be-doped GaInAs Contact Layer, 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2012), No. Th-2C.5, Aug. 2012.  公式リンク  
  
• Yuki Atsumi, Dan-Xia Xu, Andre Delage, Jens Schmid, Martin Vachon, Pavel Cheben, Siegfried Janz, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Differentiation between changes in liquid refractive index and surface adsorbed molecular thickness using SOI wire waveguide ring resonator biosensor arrays, Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics 2012, Optical society of America, ITu, 3B, 4, June 2012.
• M. Futami, K. Shinno, T. Shindo, K. Doi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Improved Quantum Efficiency of GaInAsP/InP Top Air-Clad Lateral Current Injection Lasers, 2012 IEEE Optical Interconnects Conference (OIC-2012), No. TuB3, May 2012.  公式リンク  
  
• Yusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. AlInAs Selective Oxidation for GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Laserusing Surface Activated Bonding, 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, pp. 93-94, May 2012.
• JoonHyun Kang, Yoshihiro Nishikawa, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Amorphous Silicon Grating-Type Layer-to-Layer Couplers for Intra-Chip Connection, 2012 IEEE Optical Interconnects Conference (OIC-2012), No. TuD3, May 2012.  公式リンク  
  
• T. Shindo, T. Koguchi, M. Futami, K. Shinno, K. Doi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. 10 Gb/s Operation of GaInAs/InP Top Air-Clad. Lateral Junction Waveguide-type Photodiode, 2012 IEEE Optical Interconnects Conference (OIC-2012), No. TuP2, May 2012.  公式リンク  
  
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Membrane InP-based Lasers and Related Devices for On-chip Interconnects, IEEE Photonics Conference 2011, IEEE Photonics Conference 2011, WA3, Nov. 2011.
• T. Shindo, Mitsuaki Futami, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure, 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011), No. ThC3, Oct. 2011.  公式リンク  
  
• Takashi Sato, Mizuki Shirao, Yuta Takino, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, the IEEE Photonics Conference 2011, Oct. 2011.
• S. Myoga, T. Amemiya, A. Ishikawa, N. Nishiyama, T. Tanaka, S. Arai. Carrier Concentration Dependent Resonance Frequency Shift in Metamaterial Loaded Semiconductor, 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011), No. ThN2, Oct. 2011.  公式リンク  
  
• T. Amemiya, T. Shindo, S. Myoga, N. Nishiyama, S. Arai. Non-unity Permeability in InP-based Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial, 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011), No. ThJ4, Oct. 2011.  公式リンク  
  
• Yuki Atsumi, Manabu Oda, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Wide-Gap Athermal Si-Slot Mach-Zhender Interferometer Embedded with Benzocyclobutene, the 8th International Conference on Group IV Photonics, the 8th International Conference on Group IV Photonics, IEEE Photonics Society, London, UK, FC7, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• T. Amemiya, T. Shindo, S. Myoga, N. Nishiyama, S. Arai. Semiconductor DFB Laser with Plasmonic Metal Layers for Subwavelength Confinement of Light, IQEC/CLEO Pacific Rim 2011, No. 4630-CT-3, Aug. 2011.  公式リンク  
  
• Mitsuaki Futami, T. Shindo, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Daisuke Takahashi, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC-2011), No. 7D2-2, July 2011.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Yuuta Takino, Mizuki Shirao, Nobuhiko NIshiyama, Shigehisa Arai. Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers, International Symposium on Compound Semiconductors, P5.60, July 2011.
• T. Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lasing Operation of Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference, No. 6D3-7, July 2011.  公式リンク  
  
• mizuki shirao, takashi sato, noriaki sato, nobuhiko nishiyama, shigehisa arai. Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Quantum Well Active Region, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), pp. Tu-3.2.4, May 2011.
• Yasuna Maeda, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Uniform BCB Bonding Process Toward Low Propagation Loss, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), Vol. Berlin, Germany, No. P08, May 2011.
• D. Takahashi, S. H. Lee, T. Shindo, K. Shinno, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Low-power Consumption and High-eye-margin 10 Gbit/s Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011), No. Tu5.2-2, May 2011.  公式リンク  
  
• T. Shindo, Tadashi Okumura, Mitsuaki Futami, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011), No. Tu5.2-3, May 2011.  公式リンク  
  
• Tadashi OKUMURA, Takayuki KOGUCHI, Hitomi ITO, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI. Injection-Type GaInAsP/InP Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, Applied Physics Express (APEX), Vol. 4, No. 4, pp. 042101-1 - 042101-3, Mar. 2011.
• Shirao, M., Nishiyama, N., SHIGEHISA ARAI. Numerical analysis of optical gain of a 3-terminal HBT-SOA, Optics InfoBase Conference Papers, pp. 1857-1858, 2011.
• T. Amemiya, T. Shindo, D. Takahashi, N. Nishiyama, S. Arai. Metamaterial-based Control of Permeability in GaInAsP/InP Multimode-Interferometers, 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society (PHO-2010), WM3, Nov. 2010.  公式リンク  
  
• Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Yasuna Maeda, Manabu Oda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-Loss Si-Slot Waveguides and RIng Resonator Embedded with Benzocyclobutene, IEEE Photonics Society Annual Meeting 2010, IEEE Photonics Society Annual Meeting 2010, vol. Denver, US, no. TuP3, Nov. 2010.
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating, The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society, Vol. Denver, USA, No. ThR 4, Nov. 2010.
• Tadashi Okumura, Takayuki Koguchi, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure, the 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference, Vol. Kyoto, Japan, No. ThB-2, Sept. 2010.
• JoonHyun Kang, Keita Inoue, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides, SSDM, Tokyo, D-8-2, Aug. 2010.  公式リンク  
  
• Keisuke Shinno, SeungHun Lee, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), Kagawa (Japan), FrP21, June 2010.
• Hitomi Ito, Tadashi Okumura, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser Improved Quantum Efficiency Operation, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), Vol. Takamatsu, Japan, No. TuA3-5, June 2010.
• Tadashi Okumura, daisuke kondo, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), Vol. Kagawa, Japan, No. WeE3-2, May 2010.
• Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindou, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Magnetic Interaction at Optical Frequencies in InP-based Waveguide Device Combined with Metamaterial, Conference on Laser and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS-2010), CFB1, May 2010.  公式リンク  
  
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)., Vol. Kagawa, Japan, No. FrP23, May 2010.
• Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, SeungHun Lee, Shigehisa Arai. Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010, San Jose, USA, CMY7, May 2010.
• T. Amemiya, T. Shindo, D. Takahashi, N. Nishiyama, S. Arai. All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials: Device Design, The 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2010), WeP60, May 2010.  公式リンク  
  
• Shimon Kondo, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), No. WeP28, May 2010.
• Daisuke Kondo, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), May 2010.  公式リンク  
  
• Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers, 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), WeP27, May 2010.  公式リンク  
  
• SeungHun Lee, Devang Parekh, Takahiko Shindo, Weijian Yang, Peng Guo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Connie J. Chang-Hasnain, Shigehisa Arai. Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers at Low Bias Current by Optical Injection Locking, OFC/NFOEC 2010, Vol. San Diego, USA, No. JWA - Poster Session I, pp. JWA37, Mar. 2010.
• Hitomi Ito, Tadashi Okumura, Daisuke Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Improved Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers, International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics, Vol. University of Tokyo, No. ThC-4, Nov. 2009.
• Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Haruki Enomoto, Keita Inoue, SHIGEHISA ARAI. Athermal Wavelength Property of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene, The 6th International Conference on Group Ⅳ Photonics, IEEE LEOS, July 2009.
• SeungHun Lee, Noriaki Tajima, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Optical Feedback-Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Regions for High Speed Isolator-Free Operation, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2009, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2009, Baltimore (USA), CTuH5, June 2009.
• Nobuhiko NISHIYAMA, Takeo MARUYAMA, Shigehisa ARAI. III-V/SOI heterogeneous photonic integrated devices for optical interconnection in LSI, IPRM 2009, IEEE, WB1.1, May 2009.
• Haruki ENOMOTO, Keita INOUE, Tadashi OKUMURA, Hanh DUC NGUYEN, Nobuhiko NISHIYAMA, Yuki ATSUMI, Simon KONDO, Shigehisa ARAI. Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate, The 21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. ThA1. 4, May 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Hitomi Ito, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral, The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. WP 12, May 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate, The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. TuB2, May 2009.
• SeungHun Lee, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa ARAI. Low-threshold and High-efficiency Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions by Reduced Waveguide Loss, The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'09), The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'09), Newport Beach (USA), TuB2.4, May 2009.
• Mizuki Shirao, Ryo Yokoyama, Yuki Numajiri, Nobuhiko Nishiyama, MASAHIRO ASADA, SHIGEHISA ARAI. Direct Conversion to Sub-THz Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-Generated Free-Carriers, 2008 LEOS Annual Meeting, 2008 LEOS Annual Meeting, No. TuJ 3, Nov. 2008.
• Tadashi OKUMURA, Munetaka KUROKAWA, Mizuki SHIRAO, Daisuke KONDO, Nobuhiko NISHIYAMA, SHIGEHISA ARAI. Top-Air-Cladding GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Lasers, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, MoC I-5, Oct. 2008.
• Keita Inoue, Dhanorm Plumuwongrot, Nobuhiko Nishiyama, Shinichi Sakamoto, Haruki Enomoto, Shigeo Tamura, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai. Loss Reduction of SiWireWaveguide on SOI Substrate Prepared by Parallel Plate RIE using Double Layered Resist Mask with C60, The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008, IEEE NMDC2008, Oct. 2008.  公式リンク  
  
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, HIDENORI YONEZAWA, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection Type GaInAsP/InP/Si DFB Lasers Directly Bonded on SOI Substrate, The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Vol. Versaille, France, No. TuA1-6, May 2008.
• S.H. Lee, S. M. Ullah, T. Shindo, K. Davis, N. Nishiyama, S. Arai. Bit-Error-Rate Measurement of GaInAsP/InP Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions, The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Digest of IPRM2008, no. MoA2-3, May 2008.
• D. Plumwongrot, M. Kurokawa, T. Okumura, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Reduction of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP DQW Lasers Fabricated by 2-step Growths, OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), SPIE, Vol. San Jose (USA), No. 6909-11, Jan. 2008.
• SHIGEHISA ARAI, SAEED MAHMUD ULLAH, SeungHun Lee, PDHANORM, Munetaka Kurokawa, Shinichi Sakamoto, Hideyuki Naitoh, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama. GaInAsP/InP Distributed Feedback and Distributed Reflector Lasers with Fine Wirelike Active Regions, Photonics WEST Optoelectronics 2008, OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), SPIE, Vol. Photonics WEST Optoelectronics 2008, No. San Jose (USA), pp. 6902-04, Jan. 2008.
• D. Plumwongrot, Yousuke Tamura, Y. Nishimoto, M. Kurokawa, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Length dependencies of in-plane polarizations anisotropy in GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by dry etching and regrowth process, OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), No. 6902-4, Jan. 2008.
• D. Plumwongrot, Y. Tamura, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Fabrication of GaInAsP/InP Arbitrary Shaped Low Dimensional Quantum Structures, The 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2007), Digest of MNC2007, no. 6A-4-51, Nov. 2007.
• D. Plumwongrot, M. Kurokawa, T. Okumura, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), no. ThC-P9, Sept. 2007.
• T. Maruyama, T. Okumura, M. Kanemaru, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. GaInAsP/InP Membrane DFB Lasers Directly Boded on SOI Substrate with Rib-waveguide Structure, 12th OptoElectronics and Communications Conference/16th Intl Conference on Integrated Optics & Optical Fiber Communication (OECC/IOOC 2007), 12th OptoElectronics and Communications Conference/16th Intl Conference on Integrated Optics & Optical Fiber Communication (OECC/IOOC 2007), Vol. Yokohama (Japan), no. 12D1-3, pp. 390-391, July 2007.
• R. Suemitsu, S. M. Ullah, S. H. Lee, M. Otake, N. Nishiyama, S. Arai. Integration of Front Power Monitor with Distributed Reflector Laser through Deep Etched Narrow Groove Isolation, The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007), The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007), Vol. Matsue (Japan), no. TuB2-5, pp. 47-50, May 2007.
• S. M. Ullah, R. Suemitsu, S. H. Lee, M. Otake, N. Nishiyama, S. Arai. Sub milliampere operation of 1540 nm wavelength Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions, The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007), The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007), Vol. Matsue (Japan), no. ThB2-1, pp. 506-509, May 2007.
• Hideyuki Naitoh, Shinichi Sakamoto, Mamoru Otake, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 80 ºC CW Operation of GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Laser With Air-Bridge Structure, The 19th Indium Phosphide and Related Material (IPRM 2007), Vol. Matsue (Japan), No. ThB1-2, May 2007.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, shigeo tamura, SHIGEHISA ARAI. Fundamental-mode operation of GaInAsP/InP membrane DFB lasers bonded on SOI substrate and its waveguide integration, The 19th Indium Phosphide and Related Material, TuB2-2, May 2007.
• S. Sakamoto, H. Naitoh, H. Kawashima, M. Ohtake, S. Tamura, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. 85℃ continuous wave operation of membrane BH-DFB Laser cladded by benzocyclobutene, 10th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2007), 10th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2007), Vol. Tokyo (Japan), no. G-6, Jan. 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP long-wavelength membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI Substrate, The 11th Opto-Electronics and Communications Conferen, Vol. Kaohsiung (Taiwan), No. 5E1-3, July 2006.
• S. M. Ullah, S. H. Lee, R. Suemitsu, K. Ohira, S. Arai. Improved performance of Distributed-Reflector Laser with Antireflection Coating, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006), Vol. WP-25, May 2006.
• Y. Suematsu, K. Iga, S. Arai. Advanced semiconductor lasers, Proc. IEEE, vol. 80, no. 3, pp. 383-397, Mar. 1992.
• M. Watanabe, S. Muratake, H. Fujimoto, S. Sakamori, M. Asada, S. Arai. Epitaxial Growth of CoSi₂/CaF₂ heterostructures on Si(111) by Ionized-Cluster-Beam Technique, Electronic Materials Conference (EMC'91), H2, p. 21-22, June 1991.
• F. Koyama, S. Arai. 1.5μm phase adjusted active distributed reflector laser for dynamic single mode operation, 9th International Semiconductor Laser Conference, Jan. 1984.
• Fumio Koyama, Shigehisa Arai, T. Tanbun-ek, K. Kishino, Y.Suematsu. Low threshold current GaInAsP/InP integrated twin guide lasers with distributed Bragg reflector emitting at 1.55nm, 6th Topical Meeting and Integrated and Guided-wave Optics, WB-5, Jan. 1984.

国内会議発表 (査読有り)

• 石田瑛一, 三浦謙悟, 庄司雄哉, 水本哲弥, 西山伸彦, 荒井滋久. 磁気光学効果を用いたa-Si:H/Ce:YIG導波路型光スイッチの実証, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会講演論文集, C-3-19, Sept. 2015.
• Munetaka Kurokawa, Plum Wongrot Dhanorm, Koji Ozawa, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. RIE-plasma Induced Optical Property Degradation in GaInAsP/InP Quantum-Well Structures, The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Digest of IPRM2008, No. WeP39, May 2008.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 金丸正樹, 阪本真一, 荒井滋久. SOI基板上導波路集積型BH-DFB半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京, no. SIPH2006-11, pp. 49-52, Jan. 2007.
• Saeed Mahmud ULLAH, Ryo SUEMITSU, SeungHun Lee, Masato OTAKE, Nobuhiko nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low threshold current DR laser with wirelike active regions and integration of EAM with high electrical isolation, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. LQE2006-114, pp. 61-65, Dec. 2006.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, D. Plumwongrot, T. Maruyama, A. Haque, S. Arai. Reliable RT-CW operation of GaInAsP/InP multiple-quantum-wire lasers fabricated by dry etching and regrowth method, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2004), Vol. San Francisco, No. CThL4, pp. 138, 2004.
• S. Arai, H.-C. Kim, H. Kanjo. 1.5μm-wavelength single mode semiconductor lasers with deeply etched vertical grating, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2004), Vol. San Francisco, No. (Invited), CWC3, pp. 118, 2004.
• T. Okamoto, T. Yamazaki, S. Sakamoto, S. Tamura, S. Arai. Multiple-Wavelengths Low-Threshold Membrane BH-DFB Laser Arrays, 2004 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference(ISLC2004), Vol. Matsue, No. WC1, pp. 20-21, 2004.
• S. Arai, K. Ohira, T. Murayama. Novel Integration Technologies for Photonic Devices - Low Threshold Single-Mode Lasers by Using Lateral Quantum Size Effect, 17th IEEE LEOS Annual Meeting (LEOS 2004), Vol. Puerto Rico, No. (Invited), WQ-4, pp. 603-604, 2004.
• Napat J.Jitcharoenchai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Comparison of FMCW-LiDAR system with optical- and electrical- domain swept light sources toward self-driving mobility application, CLRC 2018 19th Coherent Laser Radar Conference, th, June 2018.
• SHIGEHISA ARAI. Membrane DFB and DR Lasers for Low-power Consumption and High-speed Operation, SPIE Photonics Europe, Apr. 2018.
• Napat J.Jitcharoenchai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Image comparison of FMCW-LiDAR system with optical and electrical domain light source sweeping, IEICE, Mar. 2018.
• Shigehisa Arai. Low-threshold Membrane DFB and DR Lasers, 2017 IEEE Photonics Conference (IPC 2017), IEEE, Oct. 2017.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thermal Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Au Plating, The 24th Congress of the International Commission for Optics, Th1J-07, Aug. 2017.
• Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. An Investigation on the Waveguide Loss Reduction of Membrane Lasers, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-17, Dec. 2016.
• Tatsuya Uryu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bandwidth Analysis of Lateral-current-injection Membrane DFB Laser by Impedance Measurements, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-13, Dec. 2016.
• Kazuto Itou, Yuusuke Hayashi, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Interlayer Transition Couplers for 3D Optical Circuit, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-23, Dec. 2016.
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High Efficiency Lasing Characteristics of Membrane Distributed-Reflector Lasers, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-5, Dec. 2016.
• Satoshi Inoue, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Kazuto Itoh, Kumi Nagasaka, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of a III-V/Si Multi-Section Taper Mode Coupler towards High Efficiency Operation of III-V/Si Active Devices, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-29, Dec. 2016.
• Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Satoshi Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Operation of GaInAsP/SOI Hybrid Laser with AlInAs-Oxide Confinement Structure, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-28, Dec. 2016.
• Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Satoshi Inoue, Kazuto Itou, Kumi Nagasaka, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Room-temperature Continuous-wave Operation of GaInAsP/SOI Hybrid Laser Fabricated by N2 Plasma Activated Bonding, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-21, Dec. 2016.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Zhichen Gu, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Monolithically Integrated 10 Gbit/s Optical Link on Si using Membrane DFB Laser and PIN-Photodiode, The 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-18, Dec. 2016.
• Y. Hayashi, J. Suzuki, S. Inoue, Hasan Shovon, Yuki Kuno, K. Ito, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Numerical Analysis of Saturable Absorption Characteristics in III-V/SOI Hybrid Lasers Fabricated by N2 Plasma Activated Bonding, The 5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, Dec. 2015.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Direct Modulation Properties of GaInAsP/InP Membrane DFB Laser on Si, The 5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-5, Dec. 2015.
• Kazuto Itoh, Yuki Kuno, Yuusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Trident Type Coupler between Crystal and Amorphous Si Waveguides, The 5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-8, Nov. 2015.  公式リンク  
  
• Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Membrane Distributed-reflector Laser for On-chip Optical Interconnects, International Nano-Optoelectronics Workshop 2015, No. ThP4, Aug. 2015.
• Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Monolithic Integration of Low Threshold-current Membrane DFB Laser and Low Dark-current PIN Photodiode, The International Nano-Optoelectronics Workshop 2015 (iNOW2015), No. ThP13, Aug. 2015.
• Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai. Photonic Wire Bonding between Laser and Photodiode Flip-chip Bonded on a Si substrate, the International Nano-Optoelectronics Workshop 2015, Aug. 2015.
• Junichi Suzuki, Yuusuke Hayashi, Yuki Kuno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-loss Waveguide Fabrication in III-V/SOI Hybrid Integration using Plasma Activated Bonding, International Nano Optelectronics Workshop 2015, No. TuP22, Aug. 2015.
• Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuuki Atsudi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-threshold Current Operation of GaInAsP/InP Membrane DFB Laser with Butt-jointed Built-in Waveguide Bonded on Si Substrate, The 4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, No. P-6, Nov. 2014.
• K. Miura, T. Hirasawa, J. Kang, Y. Shoji, Y. Okada, H. Yokoi, N. Nishiyama, S. Arai, Tetsuya Mizumoto. Amorphous Silicon Waveguide Optical Isolator on Ce:YIG Substrate, The 4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, Nov. 2014.
• Keita Fukuda, Ryo Osabe, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Opti, ISPEC2011, Nov. 2011.
• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tadashi Okumura, Takahiko Shindou. Lateral current injection GaInAsP/InP laser for membrane based photonic circuits, SPIE Photonics West Conference 2011, Vol. San Francisco, California, (USA), No. 7953-06, Jan. 2011.
• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tadashi Okumura. Membrane DFB Laser on SOI, Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition 2010 (ACP2010), Vol. Shanghai, China, No. ThF1, Dec. 2010.
• Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama. Membrane-Type Photonic Devices for Optical Circuits on SOI, 2010 Sokid State Devices and Materials, D-6-1, Sept. 2010.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections, 15th OptoElectronics and Communications Conference, IEEE OECC 2010, IEEE 2010, No. 8D4-1, p. 536, July 2010.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices, 15th OproElectronics and Communications Conference, IEEE OECC 2010, IEEE, p. 10, July 2010.
• SeungHun Lee, Noriaki Tajima, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. High External Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions, International Nano-Optoelectronics Workshop, 2009 (i-NOW 2009), International Nano-Optoelectronics Workshop, 2009 (i-NOW 2009), Stockholm, Sweden and Berlin, Germany, Poster Session 5, P115, pp. 349-350, Aug. 2009.
• Mizuki Shirao, Ryo Yokoyama, Yuki Numajiri, Nobuhiko Nishiyama, MASAHIRO ASADA, SHIGEHISA ARAI. Direct Modulation of Sub-Teraherz Waves by 1.55-μm Optical Signal, iNOW2008, Technical digest of iNOW 2008, 1-P28, Aug. 2008.
• HIDENORI YONEZAWA, Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, No. session4-P16, Aug. 2008.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser Grown on SI-InP Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.
• SeungHun Lee, Kyle Davis, Takahiko Shindo, Noriaki Tajima, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Enhancement of Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers, Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008), Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008), Vol. Tokyo, Saiko and Shonan (Japan), No. Poster Session 1, P15, pp. 145-146, Aug. 2008.
• Takahiko Shindo, SeungHun Lee, Kyle Davis, Noriaki Tajima, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. A sub-mA Threshold Current Operation of Distributed-Reflector (DR) Laser, Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008), Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008), Vol. Tokyo, Saiko and Shonan (Japan), No. Poster Session 4, P20, pp. 335-336, Aug. 2008.
• Haruki Enomoto, Hai Duc Nguyen, Keita Inoue, Shinichi Sakamoto, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, Shimon Kondo, Shigehisa Arai. Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.
• S. Sakamoto, H. Naitoh, H. Kawashima, Y. Nishimoto, S. Tamura, T. Maruyama, S. Arai. 1-step OMVPE Grown Strongly Index-Coupled Membrane DFB Laser with Surface Corrugation Grating Structure, 2006 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2006), Vol. P 10, Sept. 2006.
• S. Sakamoto, H. Kawashima, H. Naitoh, S. Tamura, T. Maruyama, S. Arai. Narrow Stripe Membrane BH-DFB Lasers with Surface Corrugation for Stable Single-Mode Operation, The 11th International Conference on Optical Electrical Comunication Conference (OECC2006), Vol. 5E1-3, July 2006.
• Shigehisa Arai. Waveguide Distributed Bragg Reflector, No. 6C2-2-1, July 2006.
• T. Maruyama, T. Okumura, S Sakamoto, K. Miura, Y Nishimoto, S. Arai. GaInAsP/InP long-wavelength membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI Substrate, The 11th International Conference on Optical Electrical Comunication Conference (OECC2006), Vol. 5E1-4, July 2006.
• S. Sakamoto, H. Kawashima, H. Naitoh, S. Tamura, T. Maruyama, S. Arai. Narrow stripe membrane BH-DFB lasers with surface corrugation for stable single-mode operation, The 18th Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2006), Vol. TuA1-7, May 2006.
• Y. Nishimoto, K. Miura, H. Yagi, D. Plumwongrot, K. Ohira, T. Maruyama, S. Arai. High T0 operation of 1590 nm GaInAsP/InP quantum-wire DFB lasers by Bragg wavelength detuning, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006), Vol. TuA1-5, May 2006.
• H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto, D. Plumwongrot, T. Maruyama, S. Arai. Low Threshold Current Density Operation of GaInAsP/InP DFB Lasers Consisting of Quantum-Wire Active Regions, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2005), Vol. CTuJ1-4, pp. 61-62, July 2005.
• H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto, D. Plumwongrot, K. Ohira, T. Maruyama, S. Arai. GaInAsP/InP Distributed-Feedback Lasers Consisting of Strain-Compensated Quantum-Wire Active Regions, The 10th Optoelectronics and Communications Conference (OECC2005), Vol. 5F1-4, pp. 102-103, July 2005.
• S. Sakamoto, T. Okamoto, T. Yamazaki, H. Kawashima, J. -L. Tang, S. Tamura, S. Arai. Narrow Stripe Membrane BH-DFB Lasers for Lateral Mode Control, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2005), Vol. CTuJ4-6, pp. 429-430, July 2005.
• D. Plumwongrot, T. Maruyama, A. Haque, H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto, S. Arai. In-Plane Spontaneous Emission Anisotropy in GaInAsP/InP Strain-Compensated Quantum-Wire Structures, Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2005), Vol. JWAB3-P8, pp. 790-791, July 2005.
• J.-K. Seo, T. Ishii, T. Mizumoto, H. Yagi, D. Plumwongrot, S. Arai. Intensity-Dependent Refractive Index Changes below Bandgap in Quantum Well and Quantum Wire GaInAsP Waveguides, The 10th Optoelectronics and Communications Conference (OECC2005), Vol. 8E1-1, pp. 836-837, July 2005.
• K. Ohira, T. Murayama, H. Yagi, S. Tamura, S. Arai. Low Threshold Current Distributed-Reflector Laser with Phase-Shifted DFB and High-Reflection DBR Sections, The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005), Vol. WP-41, May 2005.
• H. Yagi, K. Miura, D. Plumwongrot, Y. Nishimoto, K. Ohira, T. Maruyama, S. Arai. Low Threshold Current 1540 nm Wavelength GaInAsP/InP Quantum-Wire Distributed-Feedback Lasers, The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005), Vol. WP-32, May 2005.
• T. Maruyama, D. Plumwongrot, H. Yagi, K. Miura, Y. Nishimoto, S. Arai. Polarization Anisotropic Characteristics of GaInAsP/InP Quantum-Wire Lasers - Threshold Current and Gain Spectrum, The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005), Vol. ThA-1-2, May 2005.
• S. Arai, H. Yagi, K. Ohira, T. Maruyama, S. Tamura. GaInAsP/InP quantum-wire lasers and distributed reflector lasers with wirelike active regions by lithography and regrowth, Photonics WEST Optoelectronics 2005, Vol. 5738-36, Jan. 2005.
• S. Arai, K. Ohira, T. Murayama. Novel Integration Technologies for Photonic Devices - Low Threshold Single-Mode Lasers by Using Lateral Quantum Size Effect, The 17th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS2004), WQ4, pp. 603-604, Nov. 2004.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• S. Arai. Photonics Nanodevice Integration Engineering in Tokyo Tech, 2004 RCIQE International Seminar for 21st Century COE Program:“Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (II), Vol. Sapporo, 2004.
• 齋藤 孝一, 雨宮 智宏, 鄭 叙, 中村 なぎさ, 西山 伸彦, 荒井 滋久. フォトニック結晶構造を用いた半導体薄膜光検出器におけるテーパ構造の検討, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 増田 佳祐, 田中 真琴, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアルを用いた液体材料用の広帯域複素屈折率計, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 齋藤 孝一, 田中 真琴, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 胡 暁, 荒井 滋久. Si 系トポロジカルフォトニクス伝送路における導波モード解析, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 王 雨寧, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing degradation of Photoluminescence property using Surface Activated Bonding, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 白 柳, 菊地 健彦, 御手洗 拓矢, 西山 伸彦, 八木 英樹, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. Investigation of stress dependence on bonding strength for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 田中 真琴, 雨宮 智宏, 各務 響, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の光制御法, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 御手洗 拓矢, Moataz Eissa, 立花 文人, 宮嵜 隆之, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si 曲げ導波路方向性結合器を用いたループミラーの作製と評価, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 雨宮 智宏, 各務 響, 齋藤 孝一, 田中 真琴, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 胡 暁, 荒井 滋久. Si系トポロジカルエッジ伝送路における光渦状態の制御, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 齋藤 孝一, 雨宮 智宏, 鄭 叙, 中村 なぎさ, 西山 伸彦, 胡 暁, 荒井 滋久. トポロジカルエッジ伝送路におけるカプラ構造の提案, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 高橋 直樹, 中村 なぎさ, 吉田 崇将, 方 偉成, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗, 第66回応用物理会春季学術講演会, Mar. 2019.
• ⾬宮 智宏, 吉⽥ 知也, 渥美 裕樹, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 榊原 陽⼀, 荒井 滋久. Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール, 電子情報通信学会 2018年総合大会, Mar. 2019.
• 宮嵜 隆之, 立花 文人, 菊地 健彦, 平谷 拓生, 八木 英樹, Moataz Eissa, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V/Siハイブリッド集積プラットホーム実現に向けたハイブリッド/シリコン領域2段テーパ導波路のテーパ構造依存性, 電子情報通信学会 2018年総合大会, Mar. 2019.
• ⽥中 真琴, ⾬宮 智宏, 各務 響, 増⽥ 佳祐, 山﨑 理司, ⻄⼭ 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアル装荷Si導波路におけるスローライト効果の光制御, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE technical report, Vol. 118, No. 398, pp. 7-12, Jan. 2019.
• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Continuous wave operation up to 90°C of npn-AlGaInAs/InP transistor laser, Photonic Device Workshop, 電子情報通信学会, Dec. 2018.
• 菊地 健彦, 鈴木 純一, 立花 文人, Naoko Inoue, 八木 英樹, MOATAZ Shaher Anis Mahmoud Eissa, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE technical report, Vol. 118, No. 348, pp. 161-164, Dec. 2018.
• 白 柳, 菊地 健彦, 御手洗 拓矢, 西山 伸彦, 八木 英樹, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. Examination of Chip-on-Wafer Plasma Activated Bonding Technology for III-V on Si hybrid Photonic Integrated Circuits, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE technical report, Vol. 118, No. 348, pp. 149-153, Dec. 2018.
• 御手洗 拓矢, MOATAZShaher Anis Mahmoud Eissa, 宮嵜 隆之, 立花 文人, 白 柳, 王 雨寧, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si曲げ導波路による方向性光結合器を用いた広帯域ループミラーの作製, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会, Dec. 2018.
• 増田佳祐, 雨宮智宏, 各務響, 田中真琴, 西山伸彦, 荒井滋久. 有機薄膜光集積回路に向けた入出力グレーティングカプラの解析, 光エレクトロニクス研究会(OPE), Oct. 2018.
• 雨宮 智宏, 吉田 知也, 渥美 祐樹, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 榊原 陽一, 荒井 滋久. Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール, 電子情報通信学会技術研究報告, 118(252), 75-80, Oct. 2018.
• 立花文人, 鈴木純一, 菊地建彦, 井上尚子, 八木英樹, モータズ・エイッサ, 御手洗拓矢, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. III-V/SiハイブリッドSOA集積に向けた ハイブリッド/シリコン2段テーパ導波路のテーパ長依存性, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sept. 2018.
• 御手洗 拓矢, MOATAZShaher Anis Mahmoud Eissa, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si光回路におけるループミラーの波長依存性低減の検討, 秋季応用物理学会, Sept. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの高温連続動作, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sept. 2018.
• Yuning Wang, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Gas Species Comparison of Fast Atom Beam Irradiation to Photoluminescence Properties of GaInAs/InP layers for Surface Activated Bonding, The 79th JSAP Autumn Meeting,2018, Extended abstracts of the 79th JSAP autumn meeting, The Japan Society of Applied Physics, Sept. 2018.
• 雨宮 智宏, 吉田 知也, 渥美 裕樹, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 榊原 陽一, 荒井 滋久. Si湾曲カプラを用いた光渦MUX/DEMUXモジュール, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-212A-10, Sept. 2018.
• 吉田崇将, 中村なぎさ, FangWeicheng, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 2D-FDTD法による表面回折格子の散乱係数解析と その薄膜DRレーザ特性への影響, Sept. 2018.
• 中村なぎさ, 吉田崇将, FangWeicheng, 高橋直樹, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InPリッジ薄膜導波路半導体薄膜DRレーザの高速動作化におけるエネルギーコスト, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 後藤優征, 吉冨翔一, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. キャリア変動による利得特性変化を考慮した電圧変調 1.3 μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの大信号解析, Sept. 2018.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 非対称paired bar構造光アンテナを用いた赤外屈折率測定法における共振スペクトル特性, 第66回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-224A-3, Sept. 2018.
• 増田 佳祐, 雨宮 智宏, 各務 響, 田中真琴, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 金属反射膜付有機薄膜光集積回路用入出力グレーティングカプラの解析, 第66回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-212A-2, Sept. 2018.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光アンテナを用いた広帯域赤外屈折率測定法の提案, 光エレクトロニクス研究会（OPE）, 信学技報, vol. 118, no. 143, pp. 77-82, July 2018.
• 御手洗 拓矢, 鈴木 純一, MOATAZShaher Anis Mahmoud Eissa, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ハイブリッドレーザに向けたSi導波路ループミラーの波長依存性低減, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, May 2018.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 増田 佳祐, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ナノアンテナを用いた赤外屈折率測定法の提案と実証, 光エレクトロニクス研究会（OPE）, Apr. 2018.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, 各務 響, コシチン, 井上 大輔, 金澤 徹, 西山 伸彦, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いたMWIR迷彩, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-C301-9, Mar. 2018.
• 鄭叙, 顧之琛, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計, Mar. 2018.
• Weicheng Fang, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Wavelength Dependence on Injection Current of GaInAsP/InP Membrane Distributed Reflector Laser with Thin-BCB Layer, The 65th JSAP Spring Meeting, 2018, Extended abstracts of the 65th JSAP spring meeting, The Japan Society of Applied Physics, Mar. 2018.
• 西山 伸彦, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. III-V/Siハイブリッド集積技術を利⽤した光デバイスの展開, 第65回応用物理会春季学術講演会, 18p-B201-1, Mar. 2018.
• 鈴木 純一, 立花 文人, 永坂 久美, モータズ エイッサ, 白 柳, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V/SOI ハイブリッドデバイス/Si 細線導波路間テーパ型モード変換器の構造評価, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B203-7, Mar. 2018.
• 顧 之琛, 鄭 叙, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20 Gbps動作, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17a-B203-1, Mar. 2018.
• Daisuke Inoue, Daehwan Jung, Yating Wan, Justin Norman, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Arthur C. Gossard, John E. Bowers. High-speed direct modulation of 1.3 μm InAs quantum dot laser grown on on-axis (001) Si substrate, The 65th JSAP Spring Meeting 2018, No. ???, Mar. 2018.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 瓜生 達也, コ シチン, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造検討, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 鄭 叙, 顧 之琛, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 永坂久美, 鈴木純一, 御手洗拓矢, 王 雨寧, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討, 応用物理学会 春季学術講演会, Mar. 2018.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, 各務 響, コシチン, 井上 大輔, 金澤 徹, 西山 伸彦, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いた光学遮蔽, 2018年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2018.
• 白 柳, 菊地 健彦, 鈴木 純一, 永坂 久美, 西山 伸彦, 八木 英樹, 雨宮 智宏, 荒井滋久. III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案, 応用物理学会 春季学術講演会, Mar. 2018.
• 立花 文人, 鈴木 純一, 菊地 健彦, 井上 尚子, 八木 英樹, Moataz Eissa, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井滋久. III-V/Si ハイブリッドSOA 多機能集積に向けたハイブリッド領域/シリコン領域2 段テーパ構造の結合特性評価, 2018年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2018.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, コシチン, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 実証実験, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-A402-17, Mar. 2018.
• 各務 響, 雨宮 智宏, 山崎 理司, 増田 佳祐, コシチン, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光アンテナを用いた赤外屈折率測定法: 原理と理論, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-A402-16, Mar. 2018.
• 増田 佳祐, 雨宮 智宏, 山崎 理司, 各務 響, コシチン, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路に向けた入出力グレーティングカプラの解析, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-B303-6, Mar. 2018.
• 後藤優征, 山中健太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける 電気的応答を考慮した大信号特性の解析, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 山崎理司, 雨宮 智宏, コシチン, 鈴木 純一, 増田 佳祐, 各務 響, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の観測, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-C301-11, Mar. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 藤本直, 西山伸彦, 荒井滋久. GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性, 電子情報通信学会 2018年総合大会, Mar. 2018.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯トランジスタレーザにおける電流増幅率と 温度安定性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2018年度1月研究会, Jan. 2018.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, Jan. 2018.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 集積フォトニクスにおける導波路型メタマテリアル素子, 応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会, Jan. 2018.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. メタマテリアルによる新機能光学デバイス, 日本光学会 ナノオプティクス研究グループ 第24回研究討論会, Dec. 2017.
• 平林祐紀, 庄司雄哉, 西山伸彦, 荒井滋久, 水本哲弥. a-Si導波路を用いた偏波無依存光アイソレータの設計と製作, 電子情報通信学会 OPE研究会, Dec. 2017.
• 岡芹 謙, 村岡憲司, 庄司雄哉, 中川茂樹, 西山伸彦, 荒井滋久, 水本哲弥. 薄膜磁石を用いた自己保持型光スイッチの動作実証, 電子情報通信学会IPDA研究会, Nov. 2017.
• 鈴木 純一, 永坂 久美, モータズ エイッサ, 立花 文人, 白 柳, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討, 電子情報通信学会 LQE・OPE・OCS合同研究会, Oct. 2017.
• 山﨑理司, 雨宮智宏, 顧之琛, 鈴木純一, 西山伸彦, 荒井滋久. Si導波路上金属メタマテリアルを利用した 光バッファ用遅延構造の設計, 電子情報通信学会 LQE・OPE・OCS合同研究会, Oct. 2017.
• 岡芹 謙, 村岡憲司, 庄司雄哉, 水本哲弥, 中川茂樹, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜磁石を用いた磁気光学スイッチの自己保持動作実証, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2017.
• 西山伸彦, 林 侑介, 鈴木純一, 荒井滋久. 直接接合技術の進展と光デバイス・集積応用, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, No. CI-1-1, Sept. 2017.
• 西山伸彦, 戸塚弘毅, 諫本圭史, 荒井滋久. OCTシステムのFMCW-LiDARシステムへの適用に関する検討, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, No. C-3-22, Sept. 2017.
• 井上 大輔, 福田 快, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 117, No. 195, pp. 51-54, Sept. 2017.
• 伊東 憲人, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 多層光回路に向けた曲線テーパ型層間結合器の設計, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 6a-C13-7, Sept. 2017.
• コシチン, 瓜生 達也, 中村 なぎさ, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上GaInAs/InP p-i-n 薄膜光検出器の感度特性の評価, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-12, Sept. 2017.
• 永坂 久美, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 表面活性化接合に向けたAr-FAB照射によるGaInAs/InPウェハのPL特性への影響評価, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-11, Sept. 2017.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 福田 快, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si上半導体薄膜DR レーザの高効率・高速変調特性, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-10, Sept. 2017.
• 瓜生 達也, 西山 伸彦, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-9, Sept. 2017.
• 鈴木 純一, 永坂 久美, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V/SOIハイブリッドデバイスのSi導波路結合器部のテーパ先端幅許容度向上に向けた検討, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 7a-A504-1, Sept. 2017.
• 山崎 理司, 雨宮 智宏, コシチン, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 平面型メタマテリアル光バッファの特性解析と基礎検討, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S21-4, Sept. 2017.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 金澤 徹, コシチン, 井上 大輔, 石川 篤, 西山 伸彦, 田中 拓男, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムによる近赤外光学迷彩, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S21-3, Sept. 2017.
• 平谷 拓生, 井上 大輔, 冨安 高弘, 福田 快, 中村 なぎさ, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 薄膜分布反射型レーザの高電力変換効率動作, 電子情報通信学会 2017年ソサイエティ大会, No. to be presented, Sept. 2017.
• Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Progress of Hybrid III-V Lasers on Si and SOI substrates, The 78th JSAP Autumn Annual Meeting, 応用物理学会学術講演予稿集, no. 6p-A410-3, Sept. 2017.
• 中村なぎさ, 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 低しきい値電流と低微分抵抗動作を両立する GaInAsP/InP薄膜DRレーザの構造検討, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会(OPE), IEICE Technical Report, Apr. 2017.
• 山﨑 理司, 雨宮 智宏, コ シチン, 平谷 拓生, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアル光バッファのスローライト解析, 第64回応用物理学関係連合講演会, No. 17a-F204-6, Mar. 2017.
• 中村 なぎさ, 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 15p-422-13, Mar. 2017.
• 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 中村 なぎさ, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 高効率動作化に向けた半導体薄膜レーザの導波路損失低減, 電子情報通信学会 2017年総合大会, No. C-4-9, Mar. 2017.
• 山中健太郎, 只野翔太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討, 電子情報通信学会 2017年総合大会, No. C4-8, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 6p-C14-16, Mar. 2017.
• 福田 快, 井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP薄膜DFBレーザのしきい値電流の温度依存性, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 15p-422-12, Mar. 2017.
• 雨宮 智宏, 山﨑 理司, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 石川 篤, 西山 伸彦, 田中 拓男, 浦上 達宣, 荒井 滋久. メタマテリアルフィルムを用いた近赤外光学迷彩の理論解析, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 14p-F202-7, Mar. 2017.
• 平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 福田快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, no. 16p-F204-5, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上, 第64回応用物理学会春季学術講演会, No. 15p-422-14, Mar. 2017.
• 雨宮 智宏, 山﨑 理司, 金澤 徹, 石川 篤, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. 光回路とプラズモニックメタマテリアル, 第37回レーザー学会年次大会, No. 07pII.7, Jan. 2017.
• コ シチン, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si基板上オンチップ光配線に向けたInP系メンブレン光検出器の設計, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE Technical Report, vol. 116, no. 388, pp. 145-150, Jan. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける熱特性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2017年度4月研究会, 2017.
• 林侑介, 鈴木純一, 井上慧史, 伊東憲人, 永坂久美, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 窒素プラズマ活性化貼付法で作製した GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの発振特性向上, レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会, IEICE Technical Report, vol. 116, no. 275, pp. 7-12, Oct. 2016.
• 山崎理司, 安井章雄, 雨宮智宏, 古澤健太郎, 原紳介, 渡邊一世, 菅野敦史, 関根徳彦, コ シチン, 西山伸彦, 笠松章史, 荒井滋久. 集積型半導体 光-テラヘルツ信号変換素子 ～光通信とテラヘルツ無線通信のシームレスな接続に向けて～, 電子情報通信学会 LQE・OPE・OCS合同研究会, IEICE Technical Report, Vol. 116, No. 274, pp. 109-114, Oct. 2016.
• 北條 直也, 雨宮 智宏, 伊東 憲人, コ シチン, 山田 千由美, 山田 俊樹, 鈴木 純一, 林 侑介, 西山 伸彦, 大友 明, 荒井 滋久. 金属テーパ構造を用いたEOポリマー小型プラズモン光変調器の構造検討, 電子情報通信学会 光通信システム研究会(OCS), IEICE Technical Report, vol. 116, no. 273, pp. 71-76, Oct. 2016.
• 冨安 高弘, 平谷 拓生, 井上 大輔, 福田 快, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討, レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会, IEICE Technical Report, vol. 116, no. 275, pp. 1-6, Oct. 2016.
• 林 侑介, 鈴木 純一, 井上 慧史, 伊東 憲人, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作, 電子情報通信学会 2016年ソサエティ大会, No. C-4-17, Sept. 2016.
• 伊東 憲人, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 多層光回路に向けたダブルテーパ型層間結合器の設計, 電子情報通信学会 2016年ソサエティ大会, 電子情報通信学会 2016年ソサエティ大会, No. C-3-24, Sept. 2016.
• 山﨑理司, 雨宮智宏, 古澤健太郎, 原紳介, 渡邊一世, 関根徳彦, 西山伸彦, 笠松章史, 荒井滋久. 光-THz信号直接変換素子の周波数応答の測定, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 14p-B2-14, Sept. 2016.
• 瓜生達也, 井上大輔, 平谷拓生, 福田快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. インピーダンス測定による半導体薄膜DFBレーザの帯域解析, 電子情報通信学会 2016年ソサイエティ大会, Sept. 2016.
• 井上大輔, 平谷拓生, 福田快, コ シチン, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜DFBレーザとPIN-フォトダイオードを集積した10 Gbit/s光リンク, 電子情報通信学会 2016年ソサイエティ大会, Sept. 2016.
• 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜レーザの導波路損失低減に向けた検討, 電子情報通信学会 2016年ソサイエティ大会, No. C-4-20, Sept. 2016.
• 平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 福田快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜分布反射型レーザの高効率動作の実現, 電子情報通信学会 2016年ソサイエティ大会, no. C-4-21, Sept. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, 井上 大輔, コ シチン, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路：各素子の特性解析, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15p-B8-10, Sept. 2016.
• 雨宮 智宏, 山崎 理司, 金澤 徹, 平谷 拓生, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアルを用いたSi 導波路型光バッファの提案, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15p-B8-9, Sept. 2016.
• コ シチン, 井上 大輔, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. スローライト効果を用いた半導体薄膜光検出器の周波数帯域の検討, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15a-P6-5, Sept. 2016.
• 雨宮 智宏, 荒井 滋久. ［依頼講演］ メタマテリアルによる将来のフォトニクス技術, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No. 14p-A41-4, Sept. 2016.
• 井上 慧史, 林 侑介, 鈴木 純一, 伊東 憲人, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討, 電子情報通信学会 2016年ソサエティ大会, No. C-4-18, Sept. 2016.
• 鈴木 純一, 林 侑介, 井上 慧史, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 116, No. 195, pp. 9-14, Aug. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 北條 直也, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 116, No. 52, pp. 5-10, May 2016., May 2016.
• 山中健太郎, 金子貴晃, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会, Apr. 2016.
• 山崎理司, 安井章雄, 雨宮智宏, 古澤健太郎, 原紳介, 渡邊一世, 関根徳彦, 西山伸彦, 笠松章史, 荒井滋久. 半導体集積型光-THz信号直接変換素子, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会, Apr. 2016.
• 安井章雄, 山崎理司, 雨宮智宏, 古澤健太郎, 原紳介, 渡邊一世, 関根徳彦, 西山伸彦, 笠松章史, 荒井滋久. 集積型 光-THz信号直接変換素子の作製, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 浦上 達宣, 石川 篤, 北條 直也, 安井 章雄, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久. Metafilm : メタマテリアルを内包した有機薄膜フィルム, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 21p-S321-2, Mar. 2016.
• 雨宮 智宏, 金澤 徹, 平谷 拓生, コ シチン, 北條 直也, 久能 雄輝, 浦上 達宣, 荒井 滋久. 有機薄膜光集積回路, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 21p-S321-3, Mar. 2016.
• 北條 直也, 雨宮 智宏, 山田 千由美, 山田 俊樹, 西山 伸彦, 大友 明, 荒井 滋久. 電気光学ポリマー装荷型プラズモン変調器に向けたプラズモンスロット導波路の作製と評価, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 21p-S321-4, Mar. 2016.
• 雨宮 智宏, 平谷 拓生, 井上 大輔, 冨安 高弘, 福田 快, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ［依頼講演］ Siプラットフォームにおける薄膜光集積技術, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C-4-6, Mar. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C4-4, Mar. 2016.
• 鈴木 純一, 林 侑介, 井上 慧史, Shovon MD Tanvir Hasan, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. プラズマ活性化貼付法を用いたAlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製, 2016 年電子情報通信学会 総合大会, 2016年総合大会講演論文集, Mar. 2016.
• コ シチン, 井上 大輔, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. フォトニック結晶構造を導入した薄膜型光検出器の検討, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• Y. Hayashi, C.-C. Lee, K. L. Silverman, A. Feldman, T. Harvey, R. P. Mirin, N. Nishiyama, S. Arai, T. R. Schibli. 光周波数コムのモード同期と周波数安定化に向けた グラフェン/III-Vハイブリッド変調器, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面回折格子を有する半導体薄膜DBR レーザの光出力特性, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 20p-S321-10, Mar. 2016.
• 井上大輔, 平谷拓生, 福田快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 20p-S321-8, Mar. 2016.
• 伊東 憲人, 久能雄輝, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 平面内異種材料光集積回路に向けた クリスタル/アモルファスSi導波路間結合器の結合効率向上, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C-3-22, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 伊東憲人, 久能雄輝, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 多層光回路に向けた層間伝送用トライデント型結合器の提案と実証, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 20a-S621-6, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会, LQE-5, Jan. 2016.
• 井上慧史, 鈴木純一, 林侑介, SHOVONMD.TANVIR HASAM, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs 酸化狭窄構造を有する GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製, 第3回 集積光デバイスと応用技術研究会, 2016.
• 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上半導体薄膜DBRレーザの光出力特性, 第3回IPDA研究会, P11, 2016.  公式リンク  
  
• 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, 2016.
• 福田快, 井上大輔, 平谷拓生, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの初期信頼性, 第63回応用物理学会春季学術講演会, No. 20p-S321-9, 2016.
• 西山 伸彦, 荒井 滋久. 異種基板接合技術を利用したSi 基板上半導体光デバイス, 第23回シリコンフォトニクス研究会, シリコンフォトニクス研究会, Dec. 2015.
• 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 量子ドットレーザによる1.3 μm帯伝送最適化マルチモードファイバ伝送特性における励起位置依存性, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, No. B10-15, Sept. 2015.
• 金子貴晃, 吉田匠, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, No. C4-2, Sept. 2015.
• 井上大輔, 平谷拓生, 福田快, 冨安高弘, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 13a-2S-8, Sept. 2015.
• 姜 晙炫, 伊東 憲人, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. アモルファスシリコンを用いた多層間伝送アポダイズドグレーティングカプラ, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 13a-2S-4, Sept. 2015.
• 平谷拓生, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 15a-1E-6, Sept. 2015.
• 伊東憲人, 久能雄輝, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 異種混載光回路に向けた クリスタル/アモルファスSi導波路間カプラ, 電気情報通信学会 2015年ソサエティ大会, No. C-3-61, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 16p-2E-3, Sept. 2015.
• 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光集積回路を目指したIII-V族/Si異種基板集積技術, 電子材料シンポジウム, July 2015.
• 平谷拓生, 井上大輔, 冨安高弘, 厚地祐輝, 福田快, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE technical report, Vol. 115, No. 46, pp. 1-6, May 2015.
• 雨宮 智宏, 北條 直也, コ シチン, 安井 章雄, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ギャッププラズモンを利用した集積型光変調器, 電子情報通信学会 2015年度 第1回集積光デバイスと応用技術研究会 (IPDA), May 2015.
• 林 侑介, 鈴木 純一, 井上 慧史, Shovon MD Tanvir Hasan, 久能 雄輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ワンチップルータ実現を目指すリング共振器装荷型III-V/Siハイブリッドレーザの検討, 電子情報通信学会 光通信システム研究会（OCS）, IEICE Technical Report, Vol. 115, No. 30 pp. 27-32, May 2015.
• 雨宮 智宏, 石川 篤, 金澤 徹, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. 光通信素子における透磁率制御の可能性, 第136回微小光学研究会, May 2015.
• 伊東憲人, 久能雄輝, 姜晙炫, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 異種混載光回路に向けたクリスタル/アモルファスSi導波路間結合構造の検討, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会, P2-4, Apr. 2015.  公式リンク  
  
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会, P2, 7, Apr. 2015.
• 北條 直也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. EOポリマーを用いたプラズモン変調器の構造検討, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 12a-A16-2, Mar. 2015.
• 井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 薄膜BJB構造によるλ/4位相シフトDFBレーザとPIN-PDのモノリシック集積, 電気情報通信学会 2015年総合大会, No. C-4-13, Mar. 2015.
• 井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. λ/4位相シフトGaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの室温連続動作, 電気情報通信学会 2015年総合大会, No. C-4-5, Mar. 2015.
• 伊東 憲人, 久能 雄輝, 姜 晙炫, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. クリスタル/アモルファスSi光回路の同一平面内集積に向けた二導波路間結合構造の検討, 電気情報通信学会 2015年総合大会, No. C-3-58, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 平谷 拓生, 井上 大輔, 冨安 高弘, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. BJB構造を有する半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 12p-A17-10, Mar. 2015.
• 厚地 祐輝, 福田 快, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低電圧動作, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 12p-A17-11, Mar. 2015.
• コ シチン, 雨宮 智宏, 石川 篤, 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 平谷 拓生, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久. フォトニックワイヤボンディングによるSi上III-Vチップ間の光伝送, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 12p-A17-2, Mar. 2015.
• 安井 章雄, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 集積型 光-THz信号直接変換素子の設計, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No. 13a-A14-7, Mar. 2015.
• 石田瑛一, 三浦謙悟, 平澤崇佳, 庄司雄哉, 姜晙炫, 岡田幸大, 横井秀樹, 西山伸彦, 荒井滋久, 水本哲弥. a-Si/Ce:YIG導波路型光アイソレータの実証と偏波無依存化の検討, 電子情報通信学会OPE研究会, 信学技報, 電子情報通信学会, vol. 114, no. 431, pp. 41-45, Jan. 2015.
• コ シチン, 雨宮智宏, 石川篤, 渥美裕樹, 姜晙炫, 平谷拓生, 林 侑介, 鈴木純一, 西山伸彦, 田中拓男, 荒井滋久. フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上Ⅲ－Ⅴチップ間の光伝搬, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会 (OPE), IEICE Technical Report, Dec. 2014.
• 姜 晙炫, 久能 雄輝, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光ファイバ接続用金属装荷アポダイズドグレーティングカプラの数値解析, 電子情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, No. C-3-49, Sept. 2014.
• 林 侑介, 鈴木 純一, 井上 慧史, 姜晙炫, 久能 雄輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. プラズマ活性化貼付法を用いたリング共振器ミラー装荷型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの作製, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, Sept. 2014.
• 久能 雄輝, 姜 晙炫, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 3次元シリコン光配線結合用金属ミラー装荷グレーティングカプラの広波長帯域化, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, No. C-3-50, Sept. 2014.
• 三浦謙悟, 平澤崇佳, 姜 晙炫, 庄司雄哉, 岡田 幸大, 横井秀樹, 西山伸彦, 荒井滋久, 水本哲弥. 磁気光学結晶上a-Si:H導波路光アイソレータ, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, 第75回応用物理学会秋季学術講演会講演論文集, Sept. 2014.
• 雨宮 智宏, 金澤徹, 石川 篤, 姜 晙炫, コ シチン, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久. ［依頼講演］透磁率制御メタマテリアルを装荷した光変調器, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, Sept. 2014.
• 井上 大輔, 李 智恩, 平谷 拓生, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si基板上導波路集積型GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザ, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, Sept. 2014.
• 久能 雄輝, 姜 晙炫, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 円形空隙を用いた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの理論検討, 第75回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2014.
• 鈴木 純一, 林 侑介, 久能 雄輝, 姜 晙炫, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討, 第75回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2014.
• 厚地 祐輝, 土居 恭平, 李 智恩, 渥美 裕樹, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作, 第75回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2014.
• コ シチン, 雨宮 智宏, 石川 篤, 姜 晙炫, 平谷 拓生, 林 侑介, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久. フォトニックワイヤボンディングによるSi上III-V族素子間の光接続, 電気情報通信学会 2014年ソサイエティ大会, Sept. 2014.
• 井上大輔, 李智恩, 平谷拓生, 厚地祐輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 114, No. 187, pp. 17-22, Aug. 2014.
• 西山 伸彦, 荒井 滋久. III-V族/Siハイブリッド集積技術と光源応用, 第33回電子材料シンポジウム, July 2014.
• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2014年度4月研究会, Apr. 2014.
• 李 智恩, 土居 恭平, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. SiO2保護膜を導入した量子井戸無秩序化におけるバンドギャップ波長変化, 第61回応用物理学関係連合講演会, 20p-F8-8, Mar. 2014.
• コ シチン, 雨宮 智宏, 石川 篤, 鈴木純一, 村井 英淳, 姜 晙炫, 平谷 拓生, 渥美 裕樹, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久. フォトニックワイヤーボンディングを用いたSi光回路間の伝搬特性解析, 第61回応用物理学関係連合講演会, 17p-PA2-18, Mar. 2014.
• 村井 英淳, 雨宮 智宏, コ シチン, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP GSPP変調器の特性解析, 第61回応用物理学関係連合講演会, 20p-F8-5, Mar. 2014.
• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発振特性の ベース層構造依存性, 電子情報通信学会 2014年総合大会, C-4-31, Mar. 2014.
• 雨宮 智宏, 瀧 雅人, 金澤 徹, 荒井 滋久. 光子における有効電磁場を使った非対称光学迷彩, 第61回応用物理学関係連合講演会, 18p-E16-6, Mar. 2014.
• 久能 雄輝, 姜 晙炫, 渥美 裕樹, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. シリコン多層導波路間光結合に向けた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの検討, 電子情報通信学会 2014年総合大会, C-3-12, Mar. 2014.
• 平谷拓生, 厚地祐輝, 李智恩, 土居恭平, 井上大輔, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザにおけるエネルギーコストの電極位置依存性, 電子情報通信学会 2014年総合大会, C-4-32, Mar. 2014.
• 井上 大輔, 李 智恩, 土居 恭平, 平谷 拓生, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ, 第61回応用物理学関係連合講演会, 18p-F9-10, Mar. 2014.
• 吉田匠, 行成元志, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善, 第3回IPDA研究会, P03, Jan. 2014.
• 鈴木純一, 福田渓太, 林侑介, 姜晙炫, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 東京, No. LQE2013-129, pp. 21-26, Dec. 2013.
• 平谷拓生, 土居恭平, 厚地祐輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 113, No. 352, pp. 15-20, Dec. 2013.
• 進藤隆彦, 二見充輝, 土居恭平, 平谷拓生, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. ［奨励講演］オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, IEICE Technical Report, Vol. 113, No. 352, pp. 27-32, Dec. 2013.
• 雨宮智宏, 金澤 徹, 石川 篤, カン ジュンヒョン, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE Technical Report, Vol. 113, No. 370, pp. 45-50, Dec. 2013.
• カン ジュンヒョン, 渥美裕樹, 林侑介, 鈴木純一, 久能雄輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会（OPE）, IEICE Technical Report, Vol. 113, No. 370, pp. 25-30, Dec. 2013.
• 林侑介, 鈴木純一, 渥美裕樹, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs酸化電流狭窄型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザ構造の直接貼り付け・高温プロセスの検討, 第20会シリコンフォトニクス研究会, Oct. 2013.
• 井上大輔, 李智恩, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Si基板上InP系薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長, 第20回シリコンフォトニクス研究会, 第20回シリコンフォトニクス研究会, SIPH2013-P11, Oct. 2013.
• 姜晙炫, 渥美裕樹, 林 侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, C-3-14, Sept. 2013.
• 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 林 侑介, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久. ポリマー埋め込み温度無依存Siスロット波長フィルタの吸湿耐性材料依存性, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, C-3-11, Sept. 2013.
• 鈴木純一, 林 侑介, 渥美裕樹, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs酸化電流狭窄型GaInAsP/SOI ハイブリッドレーザ構造の高温プロセスによる影響, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会学術講演予稿集, 19a-P2-1, Sept. 2013.
• 平谷拓生, 土居恭平, 厚地祐輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの極低消費電力構造の検討, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, C-4-9, Sept. 2013.
• 行成 元志, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発光スペクトルの動作条件依存性, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, C-4-26, Sept. 2013.
• 井上大輔, 李智恩, 進藤隆彦, 二見充輝, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Butt-Joint再成長法を用いた半導体薄膜光集積素子の作製, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会(OPE), IEICE Technical Report, Apr. 2013.
• 平谷拓生, 進藤隆彦, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造設計, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B4-8, Mar. 2013.
• 進藤隆彦, 土居恭平, 二見充輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低消費電力構造の検討, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B4-7, Mar. 2013.
• 井上大輔, 李智恩, 進藤隆彦, 二見充輝, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B4-6, Mar. 2013.
• 土居恭平, 進藤隆彦, 二見充輝, 李智恩, 山原佳晃, 平谷拓生, 井上大輔, 楊書, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B4-5, Mar. 2013.
• 雨宮智宏, 金澤徹, 石川篤, 明賀聖慈, 村井英淳, 進藤隆彦, 姜晙炫, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. 微細金属構造をもつ導波路型光デバイスにおける相互作用距離の解析, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 29p-B3-14, Mar. 2013.
• 山原佳晃, 二見充輝, 李智恩, 進藤隆彦, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. SiO2マスクを用いた量子井戸無秩序化における多重量子井戸のバンドギャップ波長変化, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 27p-PA2-20, Mar. 2013.
• 明賀聖慈, 雨宮智宏, 石川篤, 村井英淳, 西山伸彦, 田中拓男, 荒井滋久. GaInAs/InP半導体上メタマテリアルの電圧印加による共振周波数変化, 第60回応用物理学関係連合講演会, 第60回応用物理学関係連合講演会, 27p-PA2-19, Mar. 2013.
• 姜晙炫, 渥美裕樹, サイファーたけし, 林侑介, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ, 電子情報通信学会 2013年総合大会, 電子情報通信学会, C-3-41, Feb. 2013.
• 福田渓太, 林侑介, 鈴木純一, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のためのテーパー構造設計, 電子情報通信学会 2013年総合大会, 電子情報通信学会, C, 3, 40, 2013.
• 進藤 隆彦, 二見 充輝, 土居 恭平, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 (レーザ・量子エレクトロニクス), 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 112, No. 356, pp. 9-14, Dec. 2012.
• 李智恩, 山原佳晃, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性, 電子情報通信学会, 光エレクトロニクス研究会(OPE), Dec. 2012.
• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 鈴木純一, 渥美裕樹, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼付とそのハイブリッドレーザへの応用, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2012.
• 福田渓太, 長部亮, 林侑介, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 富山 C-3-62, Sept. 2012.
• サイファー たけし, 渥美 裕樹, 小田 学, 姜 晙炫, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 紫外線照射を用いた温度無依存シリコンスロットリング共振器の波長トリミング, 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会学, 12p-C5-17, Sept. 2012.
• 武 大助, 白尾 瑞基, 丸山 薫, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. 光励起キャリアゲート型光-テラヘルツ信号直接変換器の信号特性の検討, 第73回応用物理学会学術講演会, 第 73 回応用物理学会学術講演会 講演予稿集(2012 秋 愛媛大学・松山大学) 11p-B1-8, Sept. 2012.
• 山原佳晃, 二見充輝, 進藤隆彦, 李智恩, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, C-4-15, Sept. 2012.
• 李智恩, 山原佳晃, 進藤隆彦, 二見充輝, 土居恭平, 西山伸彦, 荒井滋久. InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, C-3-93, Sept. 2012.
• 姜晙炫, 渥美裕樹, サイファー豪志, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ, 電気情報通信学会, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 富山, C-3-59, Sept. 2012.
• 雨宮智宏, 金澤徹, 石川篤, 明賀聖慈, 村井英淳, 進藤隆彦, 姜晙炫, 西山伸彦, 宮本恭幸, 田中拓男, 荒井滋久. 透磁率の制御によるInP 系導波路型光変調器, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 愛媛, No. 13p-C5-3, Sept. 2012.
• 村井 英淳, 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 姜 晙炫, 明賀 聖慈, 西山伸彦, 荒井 滋久. 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の曲げ特性評価, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 愛媛, No. 13p-C5-14, Sept. 2012.
• 土居恭平, 進藤隆彦, 二見充輝, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの熱特性に関する検討, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 愛媛, No. 13a-PA8-2, Sept. 2012.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. Beドープp-GaInAsコンタクト層を有する薄膜DFBレーザのしきい値低減, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 愛媛, No. 13a-PA8-1, Sept. 2012.
• 林 侑介, 長部 亮, 福田 渓太, 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 西山 伸彦, 荒井 滋久.. 表面活性化接合を用いたGaInAsP/Siハイブリッドファブリペローレーザ, 第73回応用物理学会学術講演, No. 12a-C6-8, Sept. 2012.
• 土居 恭平, 進藤 隆彦, 二見 充輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 112, No. 180, pp. 41-46, Aug. 2012.
• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 西山伸彦, 荒井滋久.. Si導波路を用いた波長フィルタを有するAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, 光エレクトロニクス研究会(OPE), 電子情報通信学会, Apr. 2012.
• 渥美裕樹, 姜晙炫, 西川佳宏, 小田学, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, 第59回応用物理学関係連合講演会, 18a-GP4-22, Mar. 2012.
• 進藤隆彦, 二見充輝, 信野圭祐, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討, 電子情報通信学会 2012年総合大会, Mar. 2012.
• 明賀聖慈, 雨宮智宏, 石川篤, 西山伸彦, 田中拓男, 荒井滋久. GaInAs/InP半導体上メタマテリアルにおける共振波長変化の金属膜厚依存性, 第59回応用物理学関係連合講演会, 第59回応用物理学関係連合講演会, 16p-E5-9, Mar. 2012.
• 村井英淳, 雨宮智宏, 進藤隆彦, 姜晙炫, 明賀聖慈, 西山伸彦, 荒井滋久. 金属側壁層有するInP系プラズモニック導波路の作製評価, 電気情報通信学会, 電子情報通信学会 2012年総合大会, C-3-91, Mar. 2012.
• 信野圭祐, 進藤隆彦, 二見充輝, 土居恭平, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上, 第59回応用物理学関係連合講演会, 第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-F3-7, Mar. 2012.
• 姜晙炫, 西川佳宏, 渥美裕樹, 小田学, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ, 電気情報通信学会, 電子情報通信学会 2012年総合大会, 岡山, C-3-38, Mar. 2012.
• 李智恩, 山原佳晃, 渥美 裕樹, 進藤 隆彦, 西山 伸彦, 荒井 滋久. BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線1×2 MMIの作製, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-F4-11, Mar. 2012.
• 小田学, 渥美裕樹, サイファー豪志, 姜晙炫, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 温度無依存BCB 埋め込みSi スロットリング共振器を用いたドロップフィルタ, 電気情報通信学会, 電子情報通信学会 2012年総合大会, C-3-39, Mar. 2012.
• Jieun Lee, Yasuna Maeda, Yuki Atsumi, Yuuta Takino, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection, GCOE Global Seminar, Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection, Dec. 2011.
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2011.
• 姜 晙炫, 渥美 裕樹, 小田 学, 西山 伸彦, 荒井 滋久. アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討, 光エレクトロニクス研究会(OPE), 光エレクトロニクス研究会(OPE), 電子情報通信学会, Tokyo, OPE2011-146, pp. 27-32, Dec. 2011.
• Jieun Lee, Yasuna Maeda, Yuki Atsumi, Yuuta Takino, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection, The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, Nov. 2011.
• 李智恩, 前田泰奈, 渥美裕樹, 瀧野祐太, 西山伸彦, 荒井滋久. 光インターコネクションに向けた低損失GaInAsP細線導波路の実現, 第16回 シリコン・フォトニクス研究会, 電子情報通信学会 シリコン・フォトニクス研究会, Nov. 2011.
• 姜 晙炫, 渥美 裕樹, 小田 学, 西山 伸彦, 荒井 滋久. SOI 基板上多層アモルファスシリコン導波路の低損失伝搬特性, シリコン・フォトニクス研究会, Tokyo, P-20, Nov. 2011.
• JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Low-loss Amorphous Silicon Wire Waveguides Multilayer Stacked on SOI, The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence 2011, The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence 2011 (ISPEC 2011), P-34, Nov. 2011.  公式リンク  
  
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの検討, シリコン・フォトニクス研究会, Nov. 2011.
• Yuki Atsumi, Manabu Oda, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Athermal Wavelength Filters toward Photonic Integrated Circuits, The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence 2011, The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence 2011 (ISPEC 2011), P-20, Nov. 2011.  公式リンク  
  
• 西山 伸彦, 荒井 滋久. シリコンフォトニクスのためのIII-V化合物発光デバイス, 第16回シリコンフォトニクス研究会, Nov. 2011.
• 小田 学, 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 幅広ギャップを有するBCB埋め込み温度無依存Siスロット導波路波長フィルタ, シリコン・フォトニクス研究会, Nov. 2011.
• 佐藤 孝司, 白尾 瑞基, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作, 第72回応用物理学会学術講演会, Oct. 2011.
• 小田学, 渥美裕樹, 姜晙炫, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタ信号伝送特性の温度依存性, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Vol. 札幌, No. C-3-49, Sept. 2011.
• 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光通信に向けた InP/Si 貼り付け技術とその光デバイス特性, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Vol. 札幌, No. CI-3-6, Sept. 2011.
• 雨宮智宏, 進藤隆彦, 明賀聖慈, 西山伸彦, 荒井滋久. 金属側壁層を有するプラズモニックDFB レーザの理論解析, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Vol. 札幌, No. C-4-27, Sept. 2011.
• 雨宮智宏, 明賀聖慈, 進藤隆彦, 西山伸彦, 荒井滋久. メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Vol. 札幌, No. CS-2-5, Sept. 2011.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 長部亮, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 山形, No. 1p-ZL-2, Sept. 2011.
• 進藤隆彦, 二見充輝, 長部亮, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 山形, No. 1p-ZL-3, Sept. 2011.
• 姜晙炫, 渥美裕樹, 小田学, 西山伸彦, 荒井滋久. オンチップ光配線に向けた光導波路作製, 電気情報通信学会, 電子情報通信学会 2011年ソサイエティ大会, 札幌, C-3-50, Sept. 2011.
• 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井滋久. 1.3μm波長帯AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振, 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 111, No. 184, pp. 123-128, Aug. 2011.
• 渥美裕樹, 小田学, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. 幅広ギャップ構造を有する温度無依存BCB埋め込みSiスロット型リング共振器, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, 第72回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 山形, 21-ZN-9, Aug. 2011.  公式リンク  
  
• 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井滋久. 1.3μm波長帯AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振, 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 111, No. 186, pp. 123-128, Aug. 2011.
• 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井滋久. 1.3μm波長帯AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振, 電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 111, No. 185, pp. 123-128, Aug. 2011.
• 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井滋久. 1.3μm波長帯AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振, 電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 111, No. 183, pp. 123-128, Aug. 2011.
• 明賀聖慈, 雨宮智宏, 石川篤, 西山伸彦, 田中拓男, 荒井滋久. 半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 山形, No. 31p-ZN-14, Aug. 2011.
• 李智恩, 前田泰奈, 渥美裕樹, 瀧野祐太, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB貼付を用いたSi基板上低損失GaInAsP細線導波路の実現, 第72回応用物理学会学術講演, 31p-ZN-3, 山形, Aug. 2011.
• 佐藤憲明, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ, 第72回応用物理学会学術講演会, July 2011.
• 福田 渓太, 渥美 裕樹, 長部 亮, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA 多機能集積のための設計, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, July 2011.
• 佐藤憲明, 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中温度の再成長界面品質に対する影響, 2011春季第58回応用物理関係連合講演会, July 2011.
• 長部 亮, 福田 渓太, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 荒井 滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計, 第72回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 1p-ZL-1, June 2011.
• 西山 伸彦, 高橋 大佑, 李 承勲, 白尾 瑞基, 信野 圭祐, 雨宮 智宏, 荒井 滋久. 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, vol. 111, no. 112, pp. 1-6, June 2011.
• 西山伸彦, 荒井滋久. 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性, 電子情報通信学会2011年総合大会, 電子情報通信学会, CI-1-6, Mar. 2011.
• 雨宮智宏, 進藤隆彦, 高橋大佑, 明賀聖慈, 西山伸彦, 荒井滋久. 金属側壁層を有するプラズモニックDFB レーザの理論解析, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-13, Mar. 2011.
• 渥美裕樹, 小田学, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. 幅広ギャップ構造を有するBCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI, 第58回応用物理学会学術講演, 第58回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Mar. 2011.
• 明賀聖慈, 雨宮智宏, 石川篤, 西山伸彦, 田中拓男, 荒井滋久. III-V 化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 27p-KB-1, Mar. 2011.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 二見充輝, 長部亮, 高橋大佑, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-17, Mar. 2011.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 長部亮, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ, 第58回応用物理学関係連合講演会, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-16, Mar. 2011.
• 姜晙炫, 渥美裕樹, 小田学, 西山伸彦, 荒井滋久. 多層化されたアモルファスシリコン細線導波路の低損失伝播特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, 神奈川, 24a-KB-9, Mar. 2011.
• 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 明賀聖慈, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタフォトニクス素子 ～ 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性 ～, 電子情報通信学会 フォトニックネットワーク研究会, IEICE Technical Report, Vol. 110, No. 431, pp. 45-48, Feb. 2011.
• 佐藤孝司, 白尾瑞基, 瀧野祐太, 西山伸彦, 荒井滋久.. 1.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作, 第58回応用物理学関係連合講演会, 第58回応用物理学関係連合講演会, 26a-P5-14, Feb. 2011.  公式リンク  
  
• 高橋 大佑, 李 承勲, 進藤 隆彦, 信野 圭祐, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井滋久. C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 一般社団法人電子情報通信学会, Vol. 2011, No. 1, pp. 274, Feb. 2011.
• 西山伸彦, 奥村忠嗣, 荒井滋久. Si・SOI基板上レーザ素子の現状, レーザー学会学術講演会第31回年次大会, Vol. 東京, No. 10pⅴ5, Jan. 2011.
• 西山 伸彦, 荒井 滋久. 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性, 電子情報通信学会2011総合大会, 電子情報通信学会, CI-1-6, Jan. 2011.
• 白尾瑞基, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. 3端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析, 第58回応用物理学関係連合講演会 予稿集, 27a-P8-10, Jan. 2011.
• 前田泰奈, 李智恩, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性, 光エレクトロニクス研究専門委員会, 信学技報, （社）電子情報通信学会, vol. 110, no. 325, pp. 55-60, Dec. 2010.
• 渥美裕樹, 小田学, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB埋め込みSi細線スロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ, 光エレクトロニクス研究会(OPE), 光エレクトロニクス研究会(OPE), 電子情報通信学会, vol. Tokyo, no. 2010-12-9, Dec. 2010.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 高橋大佑, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 110, No. 353, 17-22, Dec. 2010.
• 高橋大佑, 李承勲, 信野圭祐, 進藤隆彦, 西山伸彦, 荒井滋久. 活性層分離型分布反射型レーザの変調特性の構造依存性, 第71回応用物理学会学術講演, 第71回応用物理学会学術講演, 長崎, 16p-H-9, Sept. 2010.
• 渥美裕樹, 姜晙炫, 前田泰奈, 小田学, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB埋め込みスロットリング共振器の低損失化, 第71回応用物理学会学術講演, 応用物理学会, vol. 長崎, no. 14-G-16, Sept. 2010.
• 長部亮, 奥村忠嗣, 近藤志文, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 14p-G-15, Sept. 2010.
• 小口貴之, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-12, Sept. 2010.
• 伊藤瞳, 奥村忠嗣, 李承勲, 進藤隆彦, 西山伸彦, 荒井滋久. SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-13, Sept. 2010.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-11, Sept. 2010.
• 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久. GaInAsP/InP MMIとメタマテリアル融合素子における透磁率変化の観測, 第71回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 信野圭祐, 李承勲, 進藤隆彦, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性, 第71回応用物理学会学術講演, 第71回応用物理学会学術講演, 長崎, 16p-H-10, Sept. 2010.
• 前田泰奈, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. III-V族薄膜光回路実現のためのSi基板上BCB貼付GaInAsP薄膜構造品質の改善, 2010年秋季 応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, vol. 14, no. G, p. 14, Sept. 2010.
• 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久.. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 16p-H-14, Aug. 2010.  公式リンク  
  
• 西山伸彦, 荒井滋久, 奥村忠嗣, 伊藤 瞳, 榎本晴基, 近藤志文, 前田泰奈, 長部 亮, 雨宮智宏. Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会研究会, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会, 日本学術振興会, Vol. 68, May 2010.
• 李 承勲, Devang Parekh, 進藤 隆彦, Weijian Yang, Peng Guo, 高橋 大佑, 田島 典明, 西山 伸彦, Connie J. Chang-Hasnain, 荒井 滋久. 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大, 電子情報通信学会 2010年総合大会, 電子情報通信学会 2010年総合大会, 仙台, C-4-29, Mar. 2010.
• 奥村忠嗣, 近藤大介, 伊藤瞳, 李承勲, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入レーザの変調特性, 第57回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 19p-E-5, Mar. 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性, 第57回春季応用物理学会学術講演会, 第57回春季応用物理学会学術講演会, Vol. 神奈川, No. 17p-P3-13, Mar. 2010.
• 白尾瑞基, 西山伸彦, 李承勲, 荒井滋久. AlGaInAs量子井戸活性層を有する長波長帯レーザトランジスタ変調効率の構造依存性, 第57回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 19p-E-6, Mar. 2010.
• 瀧野祐太, 白尾瑞基, 佐藤孝司, 西山伸彦, 荒井滋久. AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおける再成長界面品質のサーマルクリーニング依存性, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 19p-E-4, Mar. 2010.  公式リンク  
  
• 渥美裕樹, 井上敬太, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB埋め込みSiスロット導波路の光伝搬損失の評価, 第57回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, 17p, P3, 10, Mar. 2010.  公式リンク  
  
• 井上敬太, 渥美裕樹, 西山伸彦, 田村茂雄, 荒井滋久. SOI基板上多層a-Si細線導波路の伝搬特性の評価, 第57回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 17p-P3-7, Mar. 2010.
• SeungHun Lee, Devang Parekh, Takahiko Shindo, Weijian Yang, Peng Guo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Connie J. Chang-Hasnain, Shigehisa Arai. Optical Injection Locking of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions, IEICE-LQE2009-169, IEICE-Vol.109, IEICE-No.401, pp. 75-80, Jan. 2010.
• 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 ～ 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性 ～, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 109, No. 401, pp. 123-128, 2010.
• 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久. メタマテリアルを有するInP導波路型デバイスにおける光周波数領域での磁気応答, 第57回春季応用物理学関係連合講演会, 18p-P6-18, 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部 亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるInP/Si接合とフォトルミネセンス特性評価, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P11, Dec. 2009.
• 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2009-147, pp. 45-50,, Dec. 2009.
• 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 光配線のための薄膜半導体光源に向けた横注入型レーザ, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P18, Nov. 2009.
• 近藤大介, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜光回路にむけた横方向接合導波路型フォトダイオード, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P27, Nov. 2009.
• Yuuki Atsumi, Keita Inoue, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Athermal Wavelength Operation of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene, 第12回シリコン・フォトニクス研究会, 第12回シリコン・フォトニクス研究会 講演予稿集, SIPH, Nov. 2009.  公式リンク  
  
• 白尾瑞基, 瀧野祐太, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. レート方程式によるAlGaInAs長波長帯レーザトランジスタの動作解析, 第７０回応用物理学会学術講演会, 第７０回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 10p-S-10, Sept. 2009.
• 伊藤瞳, 奥村忠嗣, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの微分量子効率改善, 第70回応用物理学会学術講演, Vol. 富山, No. 10p-S-11, Sept. 2009.
• 近藤大介, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. シリコン上薄膜光回路のための横方向接合導波路型フォトダイオード, 第70回応用物理学会学術講演, Vol. 富山, No. 10a-S-5, Sept. 2009.
• 荒井滋久, 西山伸彦. Si基板上ハイブリッドIII-V族半導体薄膜光デバイス, 第７０回応用物理学会学術講演会, 9p-TE-6, Sept. 2009.
• 渥美裕樹, 井上敬太, 西山伸彦, 荒井滋久. BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子デバイス研究会, Sept. 2009.
• Takahiko Shindo, SeungHun Lee, Noriaki Tajima, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Progress in Distributed-Reflector(DR) Lasers with Wirelke Active Regions, IEICE-LQE2009-3, IEICE-Vol.109, IEICE-No.49, pp. 13-18, May 2009.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの室温連続動作, 第56回応用物理学関係連合講演会, Vol. 茨城, No. 1a-G-3, Apr. 2009.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 近藤大介, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半絶縁性基板上の横方向注入型DFB レーザ, 第56回応用物理学関係連合講演会, Vol. 茨城, No. 1a-G-2, Apr. 2009.
• 進藤 隆彦, 李 承勲, 田島 典明, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの低しきい値・高効率動作, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波, 1a-G-9, Digest III p., Apr. 2009.
• 沼尻 祐貴, 横山 亮, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. 光生成キャリア変調による光信号からサブテラヘルツ信号への直接変換速度特性, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, Apr. 2009.  公式リンク  
  
• 渥美裕樹, 西山伸彦, 榎本晴基, 井上敬太, 荒井滋久. BCB埋め込みSiスロット導波路による波長フィルタの温度無依存化の検討, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 3, p. 1230, Apr. 2009.
• 榎本晴基, 井上敬太, 奥村忠嗣, ｸﾞｪﾝ・ﾄﾞｩｯｸ・ﾊﾝ, 西山伸彦, 渥美裕樹, 近藤志文, 荒井滋久. Si上BCB貼付型強光閉じ込めGaInAsP細線導波路の特性, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, Vol. 3, No. 2P-A-8, p. 1242, Mar. 2009.
• 西山伸彦, 丸山武男, 荒井滋久. シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状, 2009年電子情報通信学会総合大会, CI-2-4, Mar. 2009.
• 李 承勲, 田島典明, 進藤隆彦, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性, 電子情報通信学会 2009年総合大会, 電子情報通信学会 2009年総合大会, 松山, C-4-34, Mar. 2009.
• 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 光通信帯における左手系光制御素子の設計, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 109, No. 353, pp. 19-24, 2009.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. シリコンフォトニクス光源, シリコンフォトニクス技術分科会, シリコンフォトニクス技術分科会, JEITA（社 電子情報技術産業協会）, Dec. 2008.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2008-137, pp. pp. 47-52, Dec. 2008.
• 沼尻 祐貴, 横山 亮, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 荒井 滋久. テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換, 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 社団法人電子情報通信学会, Vol. 108, No. 369, pp. 65-70, Dec. 2008.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. SOI上の半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, 電子情報通信学会, 東京, SiPH2008-15, pp. 19–24, Nov. 2008.
• 黒川宗高, 奥村忠嗣, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤 瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. OMVPE再成長法による薄膜クラッド層を有する横方向電流注入型レーザ, 69回応用物理学会学術講演会, 2p-P3-8、p. 1020, Sept. 2008.
• 進藤隆彦, 李承勲, デイビス カイル, 田島典明, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. 位相シフトDFB領域と受動DBR領域を有する分布反射型(DR)レーザの低電流動作, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 2p-P3-15, Digest III p.1023, Sept. 2008.
• デイビス カイル, 李承勲, 進藤隆彦, 田島典明, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. 自己注入同期による分布反射型(DR)レーザの直接変調帯域の増大, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会, Vol. 愛知, No. 2p-P3-14, Digest III p.1022, Sept. 2008.
• 沼尻祐貴, 横山亮, 白尾瑞基, 西山伸彦, 浅田雅洋, 荒井滋久. 光生成キャリア変調による光信号のテラヘルツ・サブテラヘルツ信号への直接変換, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, Vol. Ⅲ, No. 4p-ZE-11, Sept. 2008.  公式リンク  
  
• 荒井滋久. SOI基板上のアクティブ光デバイス, 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 神奈川, CT-1-2, Sept. 2008.
• 白尾瑞基, 今西大輔, 西山伸彦, 荒井滋久. 長波長帯レーザトランジスタ実現へ向けたベース層の構造設計, 第69回応用物理学会学術講演会, 第69回応用物理学会学術講演会予稿集, P3-7, Sept. 2008.  公式リンク  
  
• Keita Inoue, Nobuhiko Nishiyama, Haruki Enomoto, Shigeo tamura, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai. Evaluation of Si Wire Waveguide Fabricated by Parallel Plate RIE Process using Double Layered EB Resist Containing C60, iNOW 2008, Digest of iNOW2008, No. 3-P24, Aug. 2008.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久. SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会., Vol. 東京, No. LQE2008-29, pp. pp. 45-50, June 2008.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFB レーザ, 第55回応用物理学関係連合講演会, 第55回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 千葉, no. 29p-ZQ-4, Mar. 2008.
• プルームウォンロート・タノーム, 小沢浩二, 黒川宗高, 田村茂雄, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. 低温現像によるGaInAsP/InP量子細線構造の線幅ばらつきの低減, 第55回応用物理学関係連合講演会, 第55回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 千葉, no. 28p-E-18, Mar. 2008.
• 黒川宗高, プルームウォンロート・タノーム, 小沢浩二, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. GaInAsP/InP量子井戸構造のRIEプラズマによるPL強度劣化とアニールによる回復, 第55回応用物理学関係連合講演会, 第55回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 千葉, No. 28p-P9-7, Mar. 2008.
• 井上敬太, プルームウォンロート･タノーム, 西山伸彦, 阪本真一, 榎本晴基, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. C60含有と非含有EBレジストZEPの重ね塗りによるSi導波路ドライエッチング形状の向上, 第55回応用物理学関係連合講演会, 第55回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 千葉, No. 29p-ZG-15, Mar. 2008.
• 李承勲, Saeed Mahmud Ullah, 進藤隆彦, Kyle Spencer Davis, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性, 電子情報通信学会 2008年総合大会, 電子情報通信学会 2008年総合大会, 電子情報通信学会, Vol. 北九州, no. C-4-29, Mar. 2008.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 荒井滋久. シリコン上レーザ実現への展望, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサィエティ大会, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサィエティ大会, 電子情報通信学会, Vol. 鳥取, no. CK-1-8, pp. SS14-SS15, Sept. 2007.
• 黒川宗高, Dhanorm Plumwongrot, 西本頼史, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. 2段階OMVPE成長GaInAsP/InP量子井戸レーザにおけるRIEプラズマ損傷とその低減, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, Vol. 札幌, no. 7p-C-6, p. 1162, Sept. 2007.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 金丸正樹, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP-LED, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 札幌, no. 7a-C-13, p. 1160, Sept. 2007.
• Dhanorm Plumwongrot, 田村洋介, 西本頼史, 黒川宗高, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. Wire-Length Dependence of Polarization Anisotropy in GaInAsP/InP Quantum-Wire Structures, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, Vol. 札幌, no. 7a-N-11, p. 1421, Sept. 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, shigeo tamura, SHIGEHISA ARAI. Thermal characteristics of GaInAsP/InP membrane DFB lasers on SOI substrate integrated with rib-waveguide, The 12th Opto-Electronics and Communications Conference, 12D1-3, July 2007.
• 内藤秀幸, 阪本真一, 大竹守, 奥村忠嗣, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電子情報通信学会, Vol. 東京, no. LQE2007-21, pp. 19-22, June 2007.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 金丸正樹, 阪本真一, 荒井滋久. 導波路集積型SOI基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザ, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28a-SG-11, Mar. 2007.
• 内藤秀幸, 阪本真一, 大竹守, 奥村忠嗣, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ, 第54回応用物理学関係連合講演会, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-SG-11, p. 1225, Mar. 2007.
• 末光 涼, S. M. ウラー, 李 承勲, 西本頼史, 大武誠人, 西山伸彦, 荒井滋久. 深い極微溝による電気的分離を利用したDRレーザ前端面へのパワーモニターの集積, 第54回応用物理学関係連合講演会, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-SG-15, pp. 1226, Mar. 2007.
• S. M. ウラー, 末光 涼, 李 承勲, 西本頼史, 大武誠人, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層の線幅変調による電界吸収変調器集積DRレーザ, 第54回応用物理学関係連合講演会, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, no. 28p-SG-14, p. 1226, Mar. 2007.
• プルームウォンロート・タノーム, 田村洋介, 西本頼史, 黒川宗高, 丸山武男, 荒井滋久. Plasma Induced Material Composition Alteration in GaInAsP/InP Quantum-Well Structure, 第54回応用物理学関係連合講演会, 第54回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 神奈川, no. 27a-SM-9, p. 1483, Mar. 2007.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 金丸正樹, 阪本真一, 荒井滋久. SOI基板上導波路集積型BH-DFB半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京, No. SiPH2006-11, pp. 49-52, Jan. 2007.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 阪本真一, 西本頼史, 荒井滋久. 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2006-104, pp. 7-12, Dec. 2006.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 阪本真一, 西本頼史, 荒井滋久. 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. LQE2006-104 (2006-12), pp. 7-12, Dec. 2006.
• 阪本真一, 内藤秀幸, 川島宏幸, 西本頼史, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. 半導体薄膜BH-DFBレーザの高温連続動作, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-5, pp. Digest III -p. 1046, Aug. 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 阪本真一, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザ, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-15, pp. Digest III -p. 1049, Aug. 2006.
• 田村洋介, Dhanorm Plumwongrot, 西本頼史, 丸山武男, 荒井滋久. GaInAsP/InP任意形状低次元量子構造の作製, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31a-RC-6, pp. Digest II -p. 648, Aug. 2006.
• 阪本真一, 内藤秀幸, 川島宏幸, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. 凹凸形状回折格子を用いた短共振器半導体薄膜BH-DFBレーザの低しきい値動作, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-6, pp. Digest III -p. 1046, Aug. 2006.
• 内藤秀幸, 阪本真一, 川島宏幸, 西本頼史, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. 1回OMVPE成長による凹凸形状半導体薄膜DFBレーザ, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-7, pp. Digest III -p. 1047, Aug. 2006.
• 西本頼史, タノーム・プルームウォンロート, 田村洋介, 丸山武男, 荒井滋久. ブラッグ波長デチューニングを用いたGaInAsP/InP活性層分離型DFBレーザの温度依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-8, pp. Digest III -p. 1047, Aug. 2006.
• SAEED MAHMUD ULLAH, Ryo Suemitsu, SeungHun Lee, SHIGEHISA ARAI. A Low Threshold Current Operation of Distributed Reflector (DR) Laser, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-10, pp. Digest III -p. 1048, Aug. 2006.
• プルームウォンロート・タノーム, 伊藤弘毅, 田村洋介, 西本頼史, 丸山武男, 秋山英文, 荒井滋久. GaInAsP/InP 単一量子細線構造のPL特性, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31a-RE-1, pp. Digest III -p. 1268, Aug. 2006.
• SeungHun Lee, Saeed Mahmud ULLAH, Ryo Suemitsu, Shigehisa ARAI. Threshold Current Reduction of Distributed Reflector (DR) Laser after Antireflection Coating, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 29a-ZT-9, pp. Digest III -p. 1047, Aug. 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 阪本真一, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザ, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 滋賀, No. 29a-ZT-15, p. Digest III-p. 1049, Aug. 2006.
• 西本頼史, タノーム・ブルームウォンロート, 丸山武男, 荒井滋久. ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善, 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol. OPE2006-19, LQE2006-23, pp. 21-24, June 2006.
• 阪本真一, 内藤秀幸, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ, 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol. OPE2006-15, LQE2006-19 (2006-6), pp. 1-6, June 2006.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. Direct bonding of GaInAsP/InP membrane structure on SOI wafer, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006), The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference, Vol. WP-2, May 2006.
• 三浦幸治, 西本頼史, タノーム・プルームウォンロート, 大平和哉, 丸山武男, 荒井滋久. 歪補償単層量子井戸を用いたGaInAsP/InP量子細線DFBレーザ, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 23a-ZN-2, pp. Digest III -p. 1227, Mar. 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 荒井滋久. SOI 基板上へのGaInAsP/InP 薄膜直接貼り付け, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 24a-B-6, pp. Digest III -p. 1472, Mar. 2006.
• 阪本真一, 川島宏幸, 内藤秀幸, 田村茂雄, 丸山武男, 荒井滋久. 凹凸形状回折格子を用いた狭ストライプ半導体薄膜BH-DFBレーザアレイ, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 23a-ZN-4, pp. Digest III -p. 1228, Mar. 2006.
• 西本頼史, 三浦幸治, タノーム・プルームウォンロート, 大平和哉, 丸山武男, 荒井滋久. ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの特性温度の改善, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 23a-ZN-3, pp. Digest III -p. 1227, Mar. 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 荒井滋久. SOI 基板上へのGaInAsP/InP 薄膜直接貼り付け, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 東京, No. 24a-B-6, Mar. 2006.
• J.-K. Seo, 水本哲弥, 八木英樹, プルームウォングロート, 荒井滋久. 量子薄膜・量子細線を導入したGaInAsP/InP導波路の光強度依存屈折率変化測定, 第66回応用物理学会学術講演会, 第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 8a-T-25, pp. 1037, Sept. 2005.
• 三浦幸治, 八木英樹, 西本頼史, プルームウォングロート, 大平和哉, 丸山武男, 荒井滋久. 低損傷界面を有するGaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザ, 第66回応用物理学会学術講演会, 第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 7p-ZN-14, pp. 1015, Sept. 2005.
• 丸山武男, プルームウォングロート, 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層量子細線構造の利得異方性, 第66回応用物理学会関係連合講演会, 第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9p-W-16, Sept. 2005.
• プルームウォングロート, 丸山武男, アニスル・ハク, 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, 荒井滋久. GaInAsP/InP 量子細線構造の偏光異方性, 第66回応用物理学会学術講演会, 第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9p-W-15, pp. 1221, Sept. 2005.
• 丸山武男, プルームウォングロート, 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償多層量子細線構造の利得異方性, 第66回応用物理学会学術講演会, 第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9p-W-16, pp. 1221, Sept. 2005.
• 丸山武男, プルームウォングロート, 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性, 電子情報通信学会技術研究報告レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. OPE2005-17/LQE2005-16, pp. 15-18, June 2005.
• 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, ﾀﾉｰﾑ・ﾌﾟﾙｰﾑｳｫﾝｸﾞﾛｰﾄ, 大平和哉, 荒井滋久. 1540nm 波長帯 GaInAsP/InP 歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会技術研究報告レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. OPE2005-18, LQE2005-17, pp. 19-22, June 2005.
• 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, プルームウォングロート, 大平和哉, 丸山武男, 荒井滋久. GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31p-ZH-1, pp. 1304, Mar. 2005.
• 川島宏幸, 阪本真一, 岡本健志, 山崎達也, 湯　京龍, 田村茂雄, 荒井滋久. 狭ストライプ半導体薄膜BH-DFBレーザの横モード制御, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31p-ZH-6, pp. 1306, Mar. 2005.
• 阪本真一, 岡本健志, 山崎達也, 川島宏幸, 湯　京龍, 田村茂雄, 荒井滋久. 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザアレイ, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31p-ZH-5, pp. 1305, Mar. 2005.
• 村山智則, 大平和哉, サイード・ウラー, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 位相シフトDFB領域と量子細線DBR領域を集積した分布反射型(DR)レーザの低しきい値動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31p-ZH-2, pp. 1304, Mar. 2005.
• プルームウォングロート, 丸山武男, 八木英樹, 三浦幸治, 西本頼史, 田村茂雄, 荒井滋久. 1540 nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの室温連続動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29p-V-10, pp. 1552, Mar. 2005.
• 大平和哉, 村山智則, サイード・ウラー, 八木英樹, 田村茂雄, 荒井滋久. 量子細線活性層の横方向量子閉じ込めを用いた集積法とその光通信用レーザへの応用, 第52回応用物理学関係連合講演会, 第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-ZH-1, pp. 1297, Mar. 2005.

特許など

• 雨宮智宏, 田中真琴, 荒井滋久. 光機能デバイスの制御方法および制御装置. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2019/01/08. 特願2019-001417. 2020/07/27. 特開2020-112606. 特許第7252598号. 2023/03/28 2023.
• 雨宮智宏, 各務響, 荒井滋久. 屈折率測定装置、屈折率測定方法およびプログラム. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2018/05/30. 特願2018-103988. 2019/12/05. 特開2019-207207. 特許第7205851号. 2023/01/06 2023.
• 雨宮智宏, 金澤徹, 荒井滋久. 有機薄膜光集積回路. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学. 2017/01/13. 特願2017-564161. 2018/11/22. 再表2017/130744. 特許第6817634号. 2021/01/04 2021.
• 雨宮智宏, 庄司雄哉, 荒井滋久, 金澤徹, 西山伸彦, 水本哲弥. 光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学. 2016/08/24. 特願2016-164148. 2018/03/01. 特開2018-031896. 2018.
• 雨宮智宏, 荒井滋久, 榊原　陽一, 吉田　知也. 光多重素子、および、光多重素子製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 国立研究開発法人産業技術総合研究所. 2015/12/24. 特願2015-252378. 2017/06/29. 特開2017-116744. 特許第6713631号. 2020/06/08 2020.
• 雨宮　智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, 奥村　忠嗣, 上岡　裕之, 柴田　泰夫, 大橋　弘美, 石井　啓之, 馬渡　宏泰. プラズモン薄膜レーザ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2012/02/10. 特願2012-027114. 2013/08/22. 特開2013-165152. 2013.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 渥美　裕樹, 上岡　裕之, 柴田　泰夫, 大橋　弘美, 石井　啓之, 馬渡　宏泰. 半導体薄膜レーザ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2012/02/09. 特願2012-025978. 2013/08/22. 特開2013-165095. 2013.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 進藤　隆彦, 上岡　裕之, 柴田　泰夫, 大橋　弘美, 石井　啓之, 馬渡　宏泰. 光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザ. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2011/03/08. 特願2011-050063. 2012/09/27. 特開2012-186419. 特許第5540360号. 2014/05/16 2014.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 李　承勲, 上岡　裕之, 柴田　泰夫, 大橋　弘美, 石井　啓之, 馬渡　宏泰. 活性層分離型位相シフトＤＦＢレーザ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2011/03/08. 特願2011-050062. 2012/09/27. 特開2012-186418. 2012.
• 西山　伸彦, 荒井滋久, 上岡　裕之, 須郷　満, 大崎　弘美. 半導体レーザ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2009/09/17. 特願2009-215168. 2011/03/31. 特開2011-066175. 2011.
• 西山　伸彦, 荒井滋久, 李　承勲, 上岡　裕之, 須郷　満, 大橋　弘美. 光集積素子. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 日本電信電話株式会社. 2009/09/17. 特願2009-215167. 2011/03/31. 特開2011-066174. 2011.

学位論文

• 1.5--1.6μm Wavelength GaInAsP/InP Injection Lasers,  Thesis,  Doctor of Engineering,  東京工業大学,  1982/03/26,   

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